Si1-xGex材料参数计算

论文摘要

本文在前人研究的基础上，利用解析方法研究了应变Si1-xGex层中本征载流子浓度、少数载流子浓度、p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系。计算了在基区掺杂为高斯分布、Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况。拟合了价带有效态密度公式、重掺杂禁带变窄公式，对由非简并情形向简并情形过渡的杂质电离出来的空穴浓度公式进行了修正。并在计算内建电场时综合考虑了（1）在基区掺杂分布优化设计（从发射结到集电结逐渐降低）的基础上考虑了掺杂对内建电场的影响。（2）考虑了由Ge组分引起的禁带宽度变窄量和重掺杂引起禁带变窄量对内建电场的影响。（3）考虑了价带有效态和导带有效态密度为非常数时对内建电场的影响。特别是首次导带有效态密度的影响。并将得到的结果与实验数据以及他人的研究成果比较对照，发现两者符合的很好：

论文目录

• 摘要
• Abstract
• 第一章 绪论
• §1.1 发展情况及研究现状
• §1.2 本论文的理论意义和实际应用意义
• 第二章 应变SiGe层中本征载流子浓度的计算
• §2.1 引言
• §2.2 物理模型
• §2.3 计算结果及讨论
• §2.4 结论
• 1-xGe_x层中少子常温和低温行为'>第三章 p型重掺杂应变Si_1-xGe_x层中少子常温和低温行为
• §3.1 引言
• §3.2 物理模型
• §3.3 计算结果及讨论
• §3.4 结论
• 1-xGe_x层中p型杂质电离常温和低温特性'>第四章 应变Si_1-xGe_x层中p型杂质电离常温和低温特性
• §4.1 引言
• §4.2 物理模型
• §4.3 计算结果及讨论
• §4.4 结论
• 1-xGe_x基区HBT内建电场的物理机制'>第五章 p型重掺杂应变Si_1-xGe_x基区HBT内建电场的物理机制
• §5.1 引言
• §5.2 物理模型
• §5.3 计算结果及讨论
• §5.4 结论
• 第六章 结论与展望
• 参考文献
• 附录:发表及已接收待发表的论文
• 致谢