导读:本文包含了闪存芯片论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:闪存芯片,叁星,阶段投资,存储市场,存储芯片,中国电子报,赛迪顾问,期第,封装测试,存储器
闪存芯片论文文献综述
顾鸿儒[1]（2019）在《叁星80亿美元闪存芯片项目落户西安》一文中研究指出从“尚未决定”到“最终落户”，叁星电子二期第二阶段投资落户西安。据最新消息，叁星电子在西安的闪存芯片项目二期投资80亿美元落地。在今年5月份，叁星电子曾表示，尚未决定对中国西安的第二条闪存芯片生产线进行额外投资的计划，具体情况将取决于市场状况。第(本文来源于《中国电子报》期刊2019-12-17）
车阳阳[2]（2019）在《叁星电子闪存芯片项目二期80亿美元投资落地》一文中研究指出本报讯（ 车阳阳）12月10日下午，省委常委、市委书记王浩，市长李明远会见叁星电子非终端部门经营支援负责人、副社长姜凤勇，叁星电子芯片项目取得重要突破，项目二期第二阶段80亿美元投资正式启动。王浩首先就姜凤勇为促进叁星与西安合作所作的贡献表示(本文来源于《西安日报》期刊2019-12-11）
[3]（2019）在《科技进步：中国首次量产64层3D NAND闪存芯片》一文中研究指出3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型,通过把内存颗粒堆迭在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。平面结构的NAND闪存已接近其实际扩展极限,给半导体存储器行业带来严峻挑战。新的3D NAND技术,垂直堆迭了多层数据存储单元,具备卓越的精度。近日,紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。(本文来源于《电子世界》期刊2019年19期）
陈炳欣[4]（2019）在《中国首次量产64层3D NAND闪存芯片影响几何》一文中研究指出近日，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。产品将应用于固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用。这是中国首次实现64层3D NAND闪存芯片的量产，将大幅拉近中国与全球一线存(本文来源于《中国电子报》期刊2019-09-17）
李墨,于鑫益[5]（2019）在《中国首款64层叁维闪存芯片光谷量产》一文中研究指出9月2日，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC3D NAND闪存芯片，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。据悉，这是我国自主研发生产的首款64层3D NAND闪存芯片(本文来源于《湖北日报》期刊2019-09-03）
刘璟,谢元禄,霍长兴,呼红阳,张坤[6]（2019）在《65nm闪存芯片擦除时间退化的优化设计》一文中研究指出随着制造工艺进入65nm节点,闪存的可靠性问题也越来越突出,其中闪存芯片擦除速度随着擦写循环的增加出现明显退化。该文从单个存储器件的擦写退化特性入手,详细讨论了隧穿氧化层缺陷的产生原因、对器件性能的影响及其导致整个芯片擦除时间退化的内在机理,并提出针对性的优化方案:采用阶梯脉冲电压擦写方式减缓存储单元退化;对非选中区块进行字线浮空偏置以抑制擦除时的阵列干扰。该文基于65 nm NOR Flash工艺平台开发了128 Mb闪存芯片,并对该方案进行了验证,测试结果表明,采用优化设计方案的芯片经过10万次擦写后的Sector擦除时间为104.9 ms,较采用常规方案的芯片(大于200 ms)具有明显的提升。(本文来源于《电子科技大学学报》期刊2019年04期）
沈欣[7]（2019）在《新型SPI NOR闪存芯片测试系统的设计》一文中研究指出集成电路只有经过测试合格后,才能成为真正的产品进入市场。目前国内外常见的集成电路测试方式有:ATE(自动化测试设备)测试,优点是测试速度快、覆盖率高,探针卡测试,优点是可以节约封装成本,BIST电路测试,优点是对测试仪器依赖性小。但是这些测试方式有一个共同的缺点:费用高昂,从而会提高研发成本。本着降低集成电路测试成本,推广测试仪器小型化的目的,推出了基于FPGA的测试系统。本文针对OCTA NOR Flash芯片设计了一套基于FPGA的芯片测试系统。该系统覆盖待测OCTA NOR Flash芯片的叁种接口模式,分别是传统SPI模式(单口输入,单口输出),STR-OPI模式(Single Transfer Rate OPI,单沿8 I/O口传输),DTR-OPI模式(Double Transfer Rate OPI,双沿8 I/O口传输)。测试时钟频率达该芯片最高工作频率,104 MHz。比特率最高达1.664 Gbps(Bit Per Second)。本文针对以下几方面展开:1、讨论了NOR Flash在集成电路中地位重要、国内外测试Flash的方式、存储器基本测试原理,包含存储器各种分类、NOR Flash架构类型、非挥发性类别的存储单元结构、NOR Flash的基本操作方式、OCTA Flash芯片的结构以及访问命令。2、提出本测试系统的可行性结构,整体结构上包含上位机,USB2.0接口,FPGA以及待测芯片。上位机测试直观。USB2.0接口,传输速度快,支持热插拔。FPGA能给待测芯片激励,能实现多种算法。待测芯片直接与FPGA的引脚相连。设计了系统的硬件电路,对硬件电路的结构进行了介绍。硬件部分主要有电源、FPGA最小系统以及USB2.0控制电路。3、软件部分包含上位机和Verilog代码。上位机使用Lab VIEW设计。根据测试需求,Verilog代码划分为九个模块,分别是:USB读写模块、FIFO模块、OCTA Flash待测芯片指令模块、SPI接口模块、STR-OPI接口模块、DTR-OPI接口模块、计“1”个数模块、模式选择模块以及LED灯指示模块。4、最后,在系统上完成了对OCTA NOR Flash的功能和性能的测试工作。使用FPGA测试系统的优点有:节约与测试厂商沟通上的时间与测试成本;通用性强,易于维护,测试直观。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
李婕[8]（2019）在《转型中国，引资魅力不减》一文中研究指出新年伊始，特斯拉超级工厂在上海临港产业区正式开工。这笔预计约500亿元的投资，是上海迄今为止最大的外资制造业项目。在全球投资形势并不乐观的背景下，中国吸引外资亮点频现。仅去年10月，涉及通用汽车、迪卡侬、欧姆龙、花王、乐高等知名外资企业的12个项目在沪签(本文来源于《人民日报海外版》期刊2019-01-15）
迎九[9]（2018）在《紫光对3D NAND闪存芯片的战略愿景》一文中研究指出在"2018中国半导体市场年会暨IC中国峰会"上,紫光集团有限公司董事长赵伟国作了"自主可控的中国存储器产业崛起之路"报告,介绍了从2015年3月到2018年上半年的叁年时间,紫光进入3D NAND闪存芯片的思考与愿景。(本文来源于《电子产品世界》期刊2018年07期）
朱加豆,江宇,洪耀良,黄评[10]（2018）在《叁星半导体公司闪存芯片生产废水处理工程》一文中研究指出根据叁星半导体有限公司闪存芯片项目生产废水的水质水量特点,采用"分质预处理-混凝-水解酸化-IC厌氧反应器-A/O-MBR-芬顿氧化-混凝"新型组合工艺进行处理,详细介绍了分质预处理和深度处理阶段的工艺设计、工艺流程和主要构筑物的设计参数。运行结果表明,该组合工艺处理效果稳定,最终出水水质均远优于设计排放标准。(本文来源于《中国给水排水》期刊2018年10期）
闪存芯片论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本报讯（ 车阳阳）12月10日下午，省委常委、市委书记王浩，市长李明远会见叁星电子非终端部门经营支援负责人、副社长姜凤勇，叁星电子芯片项目取得重要突破，项目二期第二阶段80亿美元投资正式启动。王浩首先就姜凤勇为促进叁星与西安合作所作的贡献表示
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
闪存芯片论文参考文献
[1].顾鸿儒.叁星80亿美元闪存芯片项目落户西安[N].中国电子报.2019
[2].车阳阳.叁星电子闪存芯片项目二期80亿美元投资落地[N].西安日报.2019
[3]..科技进步：中国首次量产64层3DNAND闪存芯片[J].电子世界.2019
[4].陈炳欣.中国首次量产64层3DNAND闪存芯片影响几何[N].中国电子报.2019
[5].李墨,于鑫益.中国首款64层叁维闪存芯片光谷量产[N].湖北日报.2019
[6].刘璟,谢元禄,霍长兴,呼红阳,张坤.65nm闪存芯片擦除时间退化的优化设计[J].电子科技大学学报.2019
[7].沈欣.新型SPINOR闪存芯片测试系统的设计[D].电子科技大学.2019
[8].李婕.转型中国，引资魅力不减[N].人民日报海外版.2019
[9].迎九.紫光对3DNAND闪存芯片的战略愿景[J].电子产品世界.2018
[10].朱加豆,江宇,洪耀良,黄评.叁星半导体公司闪存芯片生产废水处理工程[J].中国给水排水.2018