导读:本文包含了硅片厚度论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:校准样片,厚度,不确定度,局部厚度变化
硅片厚度论文文献综述
王世援[1]（2019）在《提高MEMS用超薄硅片厚度测量质量的研究》一文中研究指出从常用MEMS器件用硅片对厚度测试要求的角度出发,分析了厚度测试设备-晶片厚度测试系统在测试MEMS用超薄高精度硅片时引发测量不确定度的主要来源,并对各来源引起的不确定度分量大小进行了计算。结果表明,测试用的校准厚度样片是影响整个测试系统不确定度的主要因素。重点研究了校准样片的几何参数(主要指局部厚度变化D_(LTV))与其本身不确定度的关系。研究发现,降低校准样片的D_(LTV)值能够有效降低其不确定度大小,当D_(LTV)值为0.46μm时,校准样片的扩展不确定度值为0.3μm,整个测试系统的扩展不确定度值为0.5μm,能够较好地提升测试质量、保证硅片初始厚度的一致性。(本文来源于《电子工业专用设备》期刊2019年01期）
郑晓峰,郑博文,蒋立正,应正平[2]（2017）在《硅片总厚度偏差及翘曲度检测装置研制与测试》一文中研究指出通过机械结构、控制系统及显示系统设计,研制了硅片总厚度偏差及翘曲度检测装置,该装置具备自动送料、自动检测、自动回料、自动显示与数据存储等功能;设计相关实验条件,对装置进行了测试,并根据测试结果分析了其测量不确定度;将装置与Mahr测长仪进行了比较测量,试验表明,该装置精度满足设计要求,且性能稳定。(本文来源于《仪表技术与传感器》期刊2017年11期）
李建敏[3]（2017）在《晶体硅片切割厚度控制工艺方法研究》一文中研究指出随着全球的能源危机的愈演愈烈,能源危机也随之变得更为突出明显。太阳能作为当今全球的一种最为清洁的能源,将太阳能转换成电能,从根本上缓解了能源危机的问题[1]。因此太阳能电池无疑成了最有潜力的新型能源,太阳能电池的研发和生产自然受全球瞩目。太阳能电池中,绝大多数的太阳能电池都以硅作为基底的。目前全球各国都在加大力度推进太阳能电池的使用,太阳能电池的产量和质量是现有能源转化研究领域的热门[1]。本文结合具体的生产情况,研究了不同的生产工艺条件对晶体硅片切割厚度的影响,改善了某企业太阳能硅片厚度偏薄的问题[2]。(本文来源于《冶金与材料》期刊2017年05期）
郑博文,周波[4]（2016）在《一种非接触式硅片厚度及翘曲度自动检测系统》一文中研究指出本文介绍了硅片厚度和翘曲度的测量方法,提出一种非接触式的自动检测系统,该系统利用电容测微原理,设计出一套全自动硅片传输方案,并最终实现硅片厚度和翘曲度的自动检测。(本文来源于《计量与测试技术》期刊2016年06期）
郑博文,徐欣,周波,应献[5]（2016）在《太阳能硅片厚度与翘曲度检测方法及振动抑制研究》一文中研究指出本文设计了一种太阳能硅片厚度与翘曲度检测装置,阐述了厚度与翘曲度的检测方法,分析了检测过程中存在的问题,并通过算法优化,提出了一种可靠的解决方案。实践表明,该算法可有效地抑制振动因素,从而提高了测量精度。(本文来源于《计量与测试技术》期刊2016年03期）
牛晓龙,乔松,张莉沫,潘明翠,张运锋[6]（2016）在《利用光致发光技术研究多晶硅片厚度对太阳电池性能的影响》一文中研究指出利用光致发光技术对两种厚度的多晶硅片进行缺陷检测并分类,在缺陷比例相同的条件下分析了硅片厚度对太阳电池性能的影响。薄(175μm)太阳电池在开路电压、短路电流、转换效率方面明显低于同等缺陷的厚(190μm)电池,即硅片厚度的降低会引起电池性能的下降。此外,厚度降低后,低缺陷硅片的电池效率损失大于高缺陷硅片。(本文来源于《光电子技术》期刊2016年01期）
杨兴林,陶大庆[7]（2013）在《碳化硅粒径变化对多晶硅片总厚度偏差的影响》一文中研究指出在简述多晶硅片加工技术的基础上,重点阐述了碳化硅这个因素对于多晶硅片切片的影响。通过实验设计方法设计出来一组单因素的实验,把碳化硅粒径作为变量,总厚度偏差(TTV)和过程能力指数(CPK)作为输出,使用Mintab软件对实验结果进行分析,得到相关的分析结果。经过理论分析和实验结果进行对比可知:1 500#碳化硅切割出来多晶硅片的TTV值比1 200#碳化硅的减小了3.72%,即1 500#碳化硅切割出的多晶硅片TTV明显优于1 200#碳化硅。(本文来源于《金刚石与磨料磨具工程》期刊2013年03期）
冯地直[8]（2010）在《电阻率对电容法测硅片厚度的影响》一文中研究指出电容法测量硅片几何参数(厚度、TTV)已得到广泛应用,较有接触测试其具有高效、不损伤硅片表面质量的优点,目前已有ADE6034及Wafer Check 7000、7200等自动测试分选设备,但是,当被测样品的电阻率均匀性较差或与设备校正样片的电阻率差别较大时,其测试误差较大。本文在对电容法测量硅片厚度的原理分析基础上,根据电阻率与介质介电常数ε的对应关系,分析了用电容法测试硅片厚度时,电阻率及电阻率均匀性对测试结果的影响,并采用千分尺(有接触测试)、ADE6034及Wafer Check 7000(电容法测试)分别对不同电阻率及电阻率均匀性的样品进行测试比对。试验结果证明,电容法可以测量高电阻率硅片的厚度等几何参数,但不能测量电阻率均匀率较差的硅片,同时,校正电容法测量设备时,以校正样片电阻率与被测硅片电阻率范围接近为原则。(本文来源于《经济发展方式转变与自主创新——第十二届中国科学技术协会年会（第二卷）》期刊2010-11-01）
赵志娟,刘芬,王海,赵良仲,闫寿科[9]（2010）在《硅片上超薄氧化硅层厚度测量的XPS标准曲线法》一文中研究指出提出一种新的处理方法-XPS标准曲线法来测量硅片上超薄氧化硅层(SiO2/Si)的厚度。该方法利用一系列氧化硅厚度(d)准确已知的SiO2/Si标准样品,分别记录其氧化硅和元素硅的Si(2p)谱线,并得到峰高比(R),然后将厚度(d)对峰高比(R)作图得到标准曲线。在相同的实验条件下,测得未知样品氧化硅和元素硅的Si(2p)谱线并计算其峰高比,通过插入法在标准曲线上得到相应的氧化硅层厚度。SiO2/Si标准样品由设备一流和经验丰富的权威实验室提供,其氧化硅厚度采用多种方法进行测量比对。实验表明:基于氧化硅厚度准确知道的标准样品制作的XPS标准曲线,用于硅片上超薄氧化硅层厚度测量时具有快速、简便和比较准确等优点,有较好的实用价值。(本文来源于《光谱学与光谱分析》期刊2010年06期）
刘双[10]（2008）在《不同厚度及铂镀层硅片激光弯曲试验研究》一文中研究指出在微电子/光电子技术的发展过程中,微制造领域器件已经不仅仅满足在平面尺寸的制造,同时增加了对复杂曲面、特别是翘曲微型梁等的需求。随着科学技术的发展及市场对不同厚度和含镀层硅片材料的需求变化,要求我们必须突破传统的微厚度平面结构,实现单层大厚度硅片及含镀层材料成形加工的进一步研究。虽然厚硅片硬度高,不易发生碎裂现象,但传统外力成型仍会导致材料破坏,而且温度控制较为复杂;若采用化学手段则会花费很长的制造周期,而且控制的难度很大且有环境污染。因此,采用激光对微制造器件中脆性材料的弯曲加工不仅可以节省成本,还可以缩短制造周期实现绿色制造(无环境污染)。这样不但可以节省很多时间,也直接产生了长远的经济利益,最为重要的是可以把传统制造技术移植到微制造领域,为绿色微制造领域的进一步发展提供了良好的基础。针对不同厚度及铂镀层硅片材料的激光弯曲要求,本论文主要研究工作如下:(1)利用JK701H型Nd:YAG固体脉冲激光器对硅片(厚度100μm、200μm、300μm)进行弯曲试验,结合自身设备特点,研究硅片厚度、激光扫描次数、扫描冷却时间对弯曲角度的影响,得到长脉冲激光弯曲硅片的特征规律。(2)利用有限元Ansys软件建立热学仿真模型,计算在弯曲过程中相同条件下不同厚度硅片的温度场分布,同时比较温度分布特点,总结温度分布规律,得到基于温度分布的弯曲可行性预测依据。(3)采用相关的仪器对加工后的试样(厚度100μm)进行电学性能检测。利用光学显微镜对弯曲成形后的硅片表面形貌进行检测,利用半导体参数测试仪对弯曲硅片V型件两端I-V曲线进行测试,以及利用霍尔效应测试仪对弯曲硅片的载流子浓度、霍尔迁移率进行测试。结合弯曲试验,讨论激光弯曲加工工艺对硅片电学性能的影响。(4)利用有限元Ansys软件对表面有镀层的厚度为100μm的硅片进行温度场和应力应变场模拟分析,并针对模拟结果,进行验证性试验。不同厚度及铂镀层硅片材料的激光弯曲成形研究,特别是将试验与检测及模拟技术结合形成高质量弯曲硅片的成形工艺,为开辟高效、绿色、优质硅片材料的快速成形制造提供了新的途径。(本文来源于《大连理工大学》期刊2008-12-10）
硅片厚度论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
通过机械结构、控制系统及显示系统设计,研制了硅片总厚度偏差及翘曲度检测装置,该装置具备自动送料、自动检测、自动回料、自动显示与数据存储等功能;设计相关实验条件,对装置进行了测试,并根据测试结果分析了其测量不确定度;将装置与Mahr测长仪进行了比较测量,试验表明,该装置精度满足设计要求,且性能稳定。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
硅片厚度论文参考文献
[1].王世援.提高MEMS用超薄硅片厚度测量质量的研究[J].电子工业专用设备.2019
[2].郑晓峰,郑博文,蒋立正,应正平.硅片总厚度偏差及翘曲度检测装置研制与测试[J].仪表技术与传感器.2017
[3].李建敏.晶体硅片切割厚度控制工艺方法研究[J].冶金与材料.2017
[4].郑博文,周波.一种非接触式硅片厚度及翘曲度自动检测系统[J].计量与测试技术.2016
[5].郑博文,徐欣,周波,应献.太阳能硅片厚度与翘曲度检测方法及振动抑制研究[J].计量与测试技术.2016
[6].牛晓龙,乔松,张莉沫,潘明翠,张运锋.利用光致发光技术研究多晶硅片厚度对太阳电池性能的影响[J].光电子技术.2016
[7].杨兴林,陶大庆.碳化硅粒径变化对多晶硅片总厚度偏差的影响[J].金刚石与磨料磨具工程.2013
[8].冯地直.电阻率对电容法测硅片厚度的影响[C].经济发展方式转变与自主创新——第十二届中国科学技术协会年会（第二卷）.2010
[9].赵志娟,刘芬,王海,赵良仲,闫寿科.硅片上超薄氧化硅层厚度测量的XPS标准曲线法[J].光谱学与光谱分析.2010
[10].刘双.不同厚度及铂镀层硅片激光弯曲试验研究[D].大连理工大学.2008