本文主要研究内容
作者马明明,杨晓珊,郭祥,王一,汤佳伟,张之桓,许筱晓,丁召（2019）在《生长温度对In0.5Ga0.5As/GaAs量子点尺寸的影响》一文中研究指出：采用分子束外延（MBE）技术制备In0.5Ga0.5As/GaAs量子点,利用扫描隧道显微镜（STM）对不同衬底温度下生长的样品进行表征分析.研究表明量子点密度随温度升高先增大后减小,其尺寸随温度的升高而增大.另外,量子点以S-K模式生长并受Ostwald熟化机制影响,其尺寸增大所需的能量来自应变能和温度提供的能量,高温条件下表面原子的解吸附作用会限制量子点的生长.
Abstract
cai yong fen zi shu wai yan （MBE）ji shu zhi bei In0.5Ga0.5As/GaAsliang zi dian ,li yong sao miao sui dao xian wei jing （STM）dui bu tong chen de wen du xia sheng chang de yang pin jin hang biao zheng fen xi .yan jiu biao ming liang zi dian mi du sui wen du sheng gao xian zeng da hou jian xiao ,ji che cun sui wen du de sheng gao er zeng da .ling wai ,liang zi dian yi S-Kmo shi sheng chang bing shou Ostwaldshou hua ji zhi ying xiang ,ji che cun zeng da suo xu de neng liang lai zi ying bian neng he wen du di gong de neng liang ,gao wen tiao jian xia biao mian yuan zi de jie xi fu zuo yong hui xian zhi liang zi dian de sheng chang .
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自原子与分子物理学报的马明明,杨晓珊,郭祥,王一,汤佳伟,张之桓,许筱晓,丁召，发表于刊物原子与分子物理学报2019年01期论文，是一篇关于量子点论文,原子与分子物理学报2019年01期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自原子与分子物理学报2019年01期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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