导读:本文包含了圆片键合论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:迭层键合,绝缘体上硅,高温压力传感器,异质异构
圆片键合论文文献综述
齐虹,丁文波,张松,张林超,田雷[1]（2019）在《圆片级迭层键合技术在SOI高温压力传感器中的应用》一文中研究指出针对绝缘体上硅(SOI)异质异构结构特点,提出了两次对准和两次阳极键合工艺方法,实现了圆片级SOI高温压力传感器硅敏感芯片的迭层键合。采用玻璃—硅—玻璃叁层结构的SOI压力芯片具有良好的密封性和键合强度。经测试结果表明:SOI高温压力传感器芯片键合界面均匀平整无缺陷,漏率低于5×10~(-9)Pa·m~3/s,键合强度大于3 MPa。对芯片进行无引线封装,在500℃下测试得出传感器总精度小于0. 5%FS。(本文来源于《传感器与微系统》期刊2019年02期）
丁蕾,陈靖,杜国平,刘米丰,王立春[2]（2018）在《圆片级BCB键合的Cu-Cu互连技术研究》一文中研究指出研究了基于圆片级苯并环丁烯(Benzocyclobutence,BCB)键合技术的Cu-Cu互连的界面情况。提出一种Cu凸点插针形式的圆片级BCB键合结构,研究BCB预固化程度、键合压力以及BCB与Cu厚度差等因素对晶圆界面键合质量的影响,并对此键合结构进行了键合空洞检测与剖面SEM分析,以及温循可靠性评价。结果表明,当预固化温度为210℃、键合压力为2×10~5 Pa,电流密度为20mA/cm~2、Cu与BCB厚度差值为3μm时,键合结构界面无空洞、键合质量高,并且Cu-Cu互连导通良好,接触电阻小于10mΩ。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2018年02期）
仇寻,郭祥虎,王典,孙利杰,施祥蕾[3]（2016）在《Si/GaAs晶圆片键合热应力及其影响因素分析》一文中研究指出分别利用Suhir双金属带热应力分布理论和有限元法研究了Si/GaAs晶圆片键合界面在退火过程中的热应力分布,并将热应力分布理论计算结果与有限元分析结果进行了对比验证,得到了一致的结论。根据计算分析结果,对晶圆片进行了结构热变形分析,并研究了不同因素对键合热应力的影响,提出了减小键合热应力的有效措施。(本文来源于《半导体光电》期刊2016年06期）
王典,仇寻,仇原鹰,郭祥虎,孙利杰[4]（2016）在《薄膜砷化镓太阳能电池晶圆片金-金键合热应力影响因素分析》一文中研究指出针对砷化镓太阳能电池键合过程中键合界面位错密度过大、部分区域解键合等问题,通过金-金热压键合技术结合有限元方法,提出了一系列降低结构热应力的有效途径。以砷化镓薄膜电池Ga As/Au/PI晶圆片为研究对象,建立叁维电池模型,观察和分析了在热和压力同时作用下键合界面的热应力分布及结构变形情况,并探究了金层厚度与热压曲线对结构热应力的影响。分析结果表明,所提出的改进方法使结构热应力大大减少,提高了电池的键合率。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2016年11期）
秦嵩,焦继伟,王敏昌,钱清[5]（2016）在《圆片级封装铝锗键合后残余应力的测量和分析》一文中研究指出以圆片级铝锗键合后的残余应力为研究对象,在键合环下方和周围制作了一系列形状相同的力敏电阻条,通过比较键合前后力敏电阻条的阻值变化,分析电阻条处残余应力的大小及与工艺相关性。结果表明:键合环内外的压阻变化约为键合环下方压阻变化的3倍。这种方法可以作为晶圆级键合质量的有效在线表征手段之一。(本文来源于《传感器与微系统》期刊2016年10期）
胡燕妮[6]（2013）在《圆片键合方法研究进展》一文中研究指出本文将圆片键合的各种方法分为叁类:无中介层键合、有中介层键合、低温键合。并对其优缺点及各种改进方法进行了分析,为圆片级键合的应用和设计提供了可靠思路。(本文来源于《中小企业管理与科技(上旬刊)》期刊2013年08期）
袁明权,孙远程,张茜梅,武蕊,屈明山[7]（2013）在《基于圆片级阳极键合封装的高g_n值压阻式微加速度计》一文中研究指出设计了一种适合于高gn值压阻式微加速度计圆片级封装的结构,解决了芯片制造工艺过程中电极通道建立、焊盘保护、精确划片等关键技术。采用玻璃—硅—玻璃叁层阳极键合的方式进行圆片级封装,较好地解决了芯片密封性、小型化和批量化等生产难题。在4 in生产线上制作的高gn值压阻式微加速度计样品,尺寸仅为1 mm×1 mm×0.8 mm;对传感器进行的校准与抗冲击性能测试,结果表明:样品具备105gn的抗冲击能力、0.15μV/gn/V的灵敏度以及200 kHz的谐振频率。(本文来源于《传感器与微系统》期刊2013年05期）
刘米丰,徐德辉,熊斌,王跃林[8]（2013）在《低温非晶硅/金圆片键合技术(英文)》一文中研究指出本文研究了低温非晶硅/金圆片键合技术.具有不同金硅比的键合片在400℃键合温度和1 MPa键合压力下维持30 min,其键合成功区域均高于94%,平均剪切强度均大于10.1 MPa.键合强度测试结果表明键合成品率与金硅比大小无关,平均剪切强度在10～20 MPa范围内.微观结构分析表明键合后单晶硅颗粒随机分布在键合层内,而金则充满其他区域,形成了一个无空洞的键合层.无空洞键合层确保不同金硅比非晶硅/金键合片均具有较高的键合强度,可实现非晶硅/金键合技术在圆片键合领域的应用.(本文来源于《纳米技术与精密工程》期刊2013年04期）
聂磊,张昆,廖广兰,史铁林[9]（2013）在《湿法活化工艺对圆片直接键合影响规律研究》一文中研究指出为了优化硅圆片直接键合工艺,利用正交试验法,研究了活化液浓度、活化时间和活化温度3个重要工艺参数对硅圆片表面粗糙度的影响规律.试验以活化后表面的承载率BR(bear ratio)高度为指标评价活化效果.其结果表明:活化液浓度对表面粗糙度影响最大,在试验设定水平内浓度越高粗糙度越低;活化时间越长则表面粗糙度越高,必须避免过长的活化时间;而活化温度则对表面粗糙度影响不大.据此结论优化了硅图片的键合工艺,实现了高质量的圆片键合.(本文来源于《华中科技大学学报(自然科学版)》期刊2013年04期）
葛羽屏[10]（2013）在《MEMS低温圆片级键合密封工艺研究》一文中研究指出研究了一种使用非光敏苯并环丁烯(BCB)材料的低温硅片级键合,并将其用于压力谐振传感器封装。采用AP3000作为BCB中的黏结促进剂,将谐振片与硅片或Pyrex 7740玻璃晶圆键合,程序简单,低成本,密封性能较高,且键合温度低于250℃。通过拉伸实验,这种键合的剪切强度高于40MPa。所以此硅片级键合适用于压力传感器的封装。(本文来源于《压电与声光》期刊2013年01期）
圆片键合论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
研究了基于圆片级苯并环丁烯(Benzocyclobutence,BCB)键合技术的Cu-Cu互连的界面情况。提出一种Cu凸点插针形式的圆片级BCB键合结构,研究BCB预固化程度、键合压力以及BCB与Cu厚度差等因素对晶圆界面键合质量的影响,并对此键合结构进行了键合空洞检测与剖面SEM分析,以及温循可靠性评价。结果表明,当预固化温度为210℃、键合压力为2×10~5 Pa,电流密度为20mA/cm~2、Cu与BCB厚度差值为3μm时,键合结构界面无空洞、键合质量高,并且Cu-Cu互连导通良好,接触电阻小于10mΩ。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
圆片键合论文参考文献
[1].齐虹,丁文波,张松,张林超,田雷.圆片级迭层键合技术在SOI高温压力传感器中的应用[J].传感器与微系统.2019
[2].丁蕾,陈靖,杜国平,刘米丰,王立春.圆片级BCB键合的Cu-Cu互连技术研究[J].固体电子学研究与进展.2018
[3].仇寻,郭祥虎,王典,孙利杰,施祥蕾.Si/GaAs晶圆片键合热应力及其影响因素分析[J].半导体光电.2016
[4].王典,仇寻,仇原鹰,郭祥虎,孙利杰.薄膜砷化镓太阳能电池晶圆片金-金键合热应力影响因素分析[J].人工晶体学报.2016
[5].秦嵩,焦继伟,王敏昌,钱清.圆片级封装铝锗键合后残余应力的测量和分析[J].传感器与微系统.2016
[6].胡燕妮.圆片键合方法研究进展[J].中小企业管理与科技(上旬刊).2013
[7].袁明权,孙远程,张茜梅,武蕊,屈明山.基于圆片级阳极键合封装的高g_n值压阻式微加速度计[J].传感器与微系统.2013
[8].刘米丰,徐德辉,熊斌,王跃林.低温非晶硅/金圆片键合技术(英文)[J].纳米技术与精密工程.2013
[9].聂磊,张昆,廖广兰,史铁林.湿法活化工艺对圆片直接键合影响规律研究[J].华中科技大学学报(自然科学版).2013
[10].葛羽屏.MEMS低温圆片级键合密封工艺研究[J].压电与声光.2013