本文主要研究内容
作者姬庆刚,刘杰,李东青,刘天奇,叶兵,赵培雄,孙友梅,陆妩,郑齐文（2019）在《电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响》一文中研究指出：电离总剂量(TID)与单粒子效应(SEE)是纳米SRAM器件在航天应用中的主要威胁。随着CMOS工艺的进步,两种辐射效应在纳米SRAM器件中的协同效应出现了一些新现象,有必要进一步开展深入研究。利用γ射线以及不同种类重离子对两款纳米SRAM器件开展了辐照实验,研究了不同辐照参数、测试模式以及数据图形条件下,电离总剂量对单粒子翻转(SEU)敏感性的影响。研究结果表明,γ射线辐照过后,存储单元中反相器开关阈值减小,漏电流增大,导致SRAM存储单元抗翻转能力降低,SEU截面有明显增大;未观察到"印记效应",数据图形对测试结果没有明显影响;多位翻转(MBU)比例无明显变化。
Abstract
dian li zong ji liang (TID)yu chan li zi xiao ying (SEE)shi na mi SRAMqi jian zai hang tian ying yong zhong de zhu yao wei xie 。sui zhao CMOSgong yi de jin bu ,liang chong fu she xiao ying zai na mi SRAMqi jian zhong de xie tong xiao ying chu xian le yi xie xin xian xiang ,you bi yao jin yi bu kai zhan shen ru yan jiu 。li yong γshe xian yi ji bu tong chong lei chong li zi dui liang kuan na mi SRAMqi jian kai zhan le fu zhao shi yan ,yan jiu le bu tong fu zhao can shu 、ce shi mo shi yi ji shu ju tu xing tiao jian xia ,dian li zong ji liang dui chan li zi fan zhuai (SEU)min gan xing de ying xiang 。yan jiu jie guo biao ming ,γshe xian fu zhao guo hou ,cun chu chan yuan zhong fan xiang qi kai guan yu zhi jian xiao ,lou dian liu zeng da ,dao zhi SRAMcun chu chan yuan kang fan zhuai neng li jiang di ,SEUjie mian you ming xian zeng da ;wei guan cha dao "yin ji xiao ying ",shu ju tu xing dui ce shi jie guo mei you ming xian ying xiang ;duo wei fan zhuai (MBU)bi li mo ming xian bian hua 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自原子核物理评论的姬庆刚,刘杰,李东青,刘天奇,叶兵,赵培雄,孙友梅,陆妩,郑齐文，发表于刊物原子核物理评论2019年03期论文，是一篇关于单粒子翻转论文,总剂量效应论文,协同效应论文,静态随机存储器论文,原子核物理评论2019年03期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自原子核物理评论2019年03期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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