论文摘要
染料敏化太阳电池是高效率、低成本太阳电池的一个重要发展方向。在染料敏化太阳电池中,TiO2纳米结构多孔膜光阳极是电池的核心部件,制约着电池的光电流密度乃至光电转化效率。与由纳米颗粒随机构成的纳米晶膜相比,纳米阵列膜直接提供了电子传输的通道,有利于提高注入电子的收集效率,从而提高光电流密度乃至光电转化效率。在基板上直接生长TiO2阵列膜,还为制作电池提供了便利。与ZnO不同的是,四方晶系的TiO2因晶体结构的对称性而较难生长为一维纳米阵列。因此,在基板上直接生长TiO2纳米阵列并将其用于染料敏化太阳电池的研究不仅具有挑战性,而且还具有重要意义。本研究以钛酸丁酯和浓硝酸的混合水溶液为生长体系,采用一步水热合成法,直接在F掺杂氧化锡导电玻璃(FTO)基板上生长TiO2纳米阵列,并将其进行染料敏化后组装成染料敏化太阳电池。采用XRD、SEM、TEM以及HRTEM等手段对TiO2纳米阵列膜的晶相和微观形貌进行了表征,并通过测试I-V曲线评价了染料敏化太阳电池的光电转换效率。系统地考察了生长体系中浓硝酸用量、钛酸丁酯体积、反应温度、反应时间以及晶种层等工艺条件对TiO2阵列膜的微观形貌、厚度、染料吸附量乃至染料敏化太阳电池光电转换效率的影响,获得了制备TiO2纳米阵列膜的适宜工艺条件。结果表明,此水热法生长的TiO2膜为取向性金红石薄膜,结晶度良好,垂直于基底表面,在[001]方向择优生长。在100mL聚四氟乙烯不锈钢反应釜中,当生长溶液中含有3mL钛酸丁酯、20mL浓HNO3和40mL去离子水,反应温度为120℃,生长时间为9小时,制备出的TiO2纳米阵列膜厚度为3.2μm,由其构成的染料敏化太阳电池的光电流密度Jsc为5.86mA/cm2,开路电压Voc为735mV,填充因子FF为53.65%,电池的光电转换效率达到了2.31%。采用水热法直接在导电玻璃基底上生长TiO2纳米阵列膜,具有无须晶种层,工艺简单易行,反应温度低,反应时间短,且不需要更换新鲜溶液进行轮次反应的特点,便于大规模化生产。
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