溶胶—凝胶法制备NiO薄膜的光学特性研究

论文摘要

氧化镍是具有典型的3d电子结构的氧化物半导体,是一种p型半导体材料,禁带宽度是在3.6～4.0eV之间。因为氧化镍薄膜具有优良的光电特性,而被广泛应用于紫外探测器,电致变色器件,电池电极及电化学电容器等领域。氧化镍薄膜的制备方法有：磁控溅射、化学气相沉积、分子束外延、脉冲激光沉积等。这些方法设备昂贵,技术较复杂,不易于大面积的薄膜制备。目前发展的溶胶-凝胶法则成本低廉、工艺简单、成分均匀,适用于多元掺杂薄膜的制备。本论文采用溶胶-凝胶法,用不同浓度的溶液,在不同热处理温度下制备了多组NiO薄膜。为了调节NiO薄膜的禁带宽度,使其更好的应用于紫外探测器领域,还制备了掺Mg的NiO薄膜,并采用紫外-可见（UV-VIS）分光光度计,X射线衍射仪（XRD）,原子力显微镜对所得薄膜进行测试,研究了薄膜的结构,光学,表面形貌等特性。

论文目录

• 摘要
• ABSTRACT
• 目录
• 第一章 绪论
• 1.1 引言
• 1.2 NiO薄膜性质
• 1.3 NiO薄膜的制备方法
• 1.4 本论文的研究意义和主要研究内容
• 第二章 溶胶-凝胶法制备薄膜原理与表征方法
• 2.1 溶胶-凝胶法的概述
• 2.2 溶胶-凝胶法的工艺过程
• 2.3 影响溶胶和凝胶质量的因素
• 2.4 薄膜的表征方法
• 第三章 溶胶-凝胶法制备NiO薄膜及性质分析
• 3.1 引言
• 3.2 实验材料及实验设备
• 3.3 薄膜的制备过程
• 3.4. NiO薄膜的性质分析
• 第四章 不同制备工艺下NiO薄膜性质的研究
• 4.1 不同热处理温度下NiO薄膜的性质
• 4.2 不同溶液浓度下NiO薄膜的性质
• 第五章 掺Mg的NiO薄膜的制备及性质的初步研究
• 5.1 引言
• 5.2 掺Mg的NiO薄膜的制备
• 5.3 掺Mg的NiO薄膜性质的初步研究
• 结论
• 致谢
• 参考文献