本文主要研究内容
作者马晴,李书婷（2019）在《Sb/Al/Zn多掺杂Mg2Si热电材料的制备及性能研究》一文中研究指出：采用放电等离子体烧结技术,制备了Sb/Al/Zn多掺杂Mg2Si热电材料,利用粉末X射线衍射、霍尔效应和标准四探针电导率研究了Mg2Si热电材料的电输运特性和热电性能。结果表明,Sb/Al/Zn多掺杂Mg2Si热电材料具有良好的电输运和热电性能。采用放电等离子体烧结技术在880 K时,Sb0.5%Zn0.5%掺杂Mg2Si热电材料具有最大热电优值为0.964,与PbTe基热电材料相当。根据电导率（σ）、塞贝克系数（S）和热导率（κ）的温度依赖性计算掺杂Mg2Si热电材料在300～900 K的热电性能和热电图优值（ZT）,同时根据霍尔系数确定掺杂Mg2Si热电材料的电子浓度（N）。
Abstract
cai yong fang dian deng li zi ti shao jie ji shu ,zhi bei le Sb/Al/Znduo can za Mg2Sire dian cai liao ,li yong fen mo Xshe xian yan she 、huo er xiao ying he biao zhun si tan zhen dian dao lv yan jiu le Mg2Sire dian cai liao de dian shu yun te xing he re dian xing neng 。jie guo biao ming ,Sb/Al/Znduo can za Mg2Sire dian cai liao ju you liang hao de dian shu yun he re dian xing neng 。cai yong fang dian deng li zi ti shao jie ji shu zai 880 Kshi ,Sb0.5%Zn0.5%can za Mg2Sire dian cai liao ju you zui da re dian you zhi wei 0.964,yu PbTeji re dian cai liao xiang dang 。gen ju dian dao lv （σ）、sai bei ke ji shu （S）he re dao lv （κ）de wen du yi lai xing ji suan can za Mg2Sire dian cai liao zai 300～900 Kde re dian xing neng he re dian tu you zhi （ZT）,tong shi gen ju huo er ji shu que ding can za Mg2Sire dian cai liao de dian zi nong du （N）。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自功能材料的马晴,李书婷，发表于刊物功能材料2019年08期论文，是一篇关于热电材料论文,放电等离子体烧结论文,电输运特性论文,热电性能论文,功能材料2019年08期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自功能材料2019年08期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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