论文摘要
随着能源问题的日益突出,近年来太阳电池光伏发电技术发展迅猛。聚合物衬底柔性薄膜太阳电池凭借其耗材少、成本低、可卷曲(柔性)、重量比功率高、轻便等特点成为当前太阳电池研究领域的热点。聚酰亚胺(PI)膜具有耐高温等优点,被本研究选作了柔性衬底材料。针对聚合物材料光透过率普遍偏低的情况,本研究设计了“柔性衬底/Al底电极/N/I/P/TCO(透明导电薄膜)”的倒结构柔性太阳电池,并制定了相应的工艺制备方案。PI膜在高温200℃以上存在气体释放现象,本研究提出了PI膜的预烘(prebake)工艺,以解决PI膜高温释放气体问题,并通过实验确定了最佳的预烘工艺条件。在此基础上,为了保证沉积在PI膜上的Al底电极不掉膜不脱落,本研究探索了制备高电导、良好附着性的Al底电极的工艺。本研究通过在PECVD沉积非晶硅薄膜的过程中通入CH4来制备宽带隙a-SiC:H薄膜作为电池窗口层以提高电池的性能,研究优化了其制备工艺条件。同时研究了获得高光暗电导比(δph/δd>105)的本征非晶硅层的制备工艺以及获得高暗电导的N型非晶硅膜层的制备工艺。基于实验室实际情况,采用ITO薄膜作为顶电极,分析研究了制备优良ITO电极的工艺条件,获得了平均透过率超过80%,电阻率为4.0×10-4Ω.cm的ITO透明导电薄膜。在各步工艺的研究与实验基础上,制备出了弯曲前Voc=0.12V,Jsc=0.75mA/cm2。弯曲后Voc=0.07V,Jsc=0.46mA/cm2的单结柔性非晶硅薄膜太阳电池样品。
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