论文摘要
宽条形半导体激光器即使在低电流注入的情况下也会有多阶横模激射（沿着结平面方向）从而导致光束质量很差。为了增强横向的选模能力，避免高阶模式，设计了一种简单的结构与工艺在注入区为100μm宽的宽条形半导体激光器的输出腔面蒸镀一定轮廓分布的SiO2增透膜，使得增透膜在横向（平行于结平面的方向）提供了一个近高斯分布的反射率。 论文给出了具体的工艺过程，比较了有无分布增透膜的激光器的特性测试及光束质量，镀膜后斜率效率由0.84W／A提高到1.00W／A。水平方向远场发散角减小，光束质量因子M2变小。 讨论分析了分布反射率的腔面膜的原理是对腔内衍射模的调制，并分析了镀膜精度对出射光束质量的影响。
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