本文主要研究内容
作者唐文翰,房慧,李凡生,黄灿胜,余小英,郑鑫,王如志（2019）在《Al掺杂TiO2基晶体材料电子结构及光学性质的理论研究》一文中研究指出：采用密度泛函理论计算分析的方法系统研究了Al掺杂TiO2基晶体材料的电子结构和光学性质.结果表明,本征Ti02材料具有直接带隙型能带,其带隙宽度为2.438 eV,Al掺杂TiO2材料同样具有直接带隙型能带,其带隙宽度降低至2.329 eV.本征TiO2与Al掺杂的TiO2材料均含有五个子能带,但是Al掺杂TiO2材料子能带位置发生改变.Al掺杂在Ti02材料价带中引入大量新的能级,降低了费米能级上的态密度,Al掺杂为n型掺杂.对于Al掺杂TiO2材料来说,s态电子和p态电子主要在Al掺杂TiO2材料的带内跃迁过程起较大的作用.Al掺杂的TiO2材料最强的介电吸收峰在320 nm附近,Al掺杂拓展了TiO2材料的光吸收范围,其介电吸收能量范围向长波方向移动.本征TiO2及Al掺杂TiO2材料在1000 nm以下波长的折射率曲线相似.Al掺杂TiO2材料在500 nm以下的折射率较本征TiO2材料降低,而500 nm以上折射率较本征TiO2材料增大.
Abstract
cai yong mi du fan han li lun ji suan fen xi de fang fa ji tong yan jiu le Alcan za TiO2ji jing ti cai liao de dian zi jie gou he guang xue xing zhi .jie guo biao ming ,ben zheng Ti02cai liao ju you zhi jie dai xi xing neng dai ,ji dai xi kuan du wei 2.438 eV,Alcan za TiO2cai liao tong yang ju you zhi jie dai xi xing neng dai ,ji dai xi kuan du jiang di zhi 2.329 eV.ben zheng TiO2yu Alcan za de TiO2cai liao jun han you wu ge zi neng dai ,dan shi Alcan za TiO2cai liao zi neng dai wei zhi fa sheng gai bian .Alcan za zai Ti02cai liao jia dai zhong yin ru da liang xin de neng ji ,jiang di le fei mi neng ji shang de tai mi du ,Alcan za wei nxing can za .dui yu Alcan za TiO2cai liao lai shui ,stai dian zi he ptai dian zi zhu yao zai Alcan za TiO2cai liao de dai nei yue qian guo cheng qi jiao da de zuo yong .Alcan za de TiO2cai liao zui jiang de jie dian xi shou feng zai 320 nmfu jin ,Alcan za ta zhan le TiO2cai liao de guang xi shou fan wei ,ji jie dian xi shou neng liang fan wei xiang chang bo fang xiang yi dong .ben zheng TiO2ji Alcan za TiO2cai liao zai 1000 nmyi xia bo chang de she she lv qu xian xiang shi .Alcan za TiO2cai liao zai 500 nmyi xia de she she lv jiao ben zheng TiO2cai liao jiang di ,er 500 nmyi shang she she lv jiao ben zheng TiO2cai liao zeng da .
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自量子电子学报的唐文翰,房慧,李凡生,黄灿胜,余小英,郑鑫,王如志，发表于刊物量子电子学报2019年01期论文，是一篇关于光电子学论文,掺杂论文,电子结构论文,光学性质论文,量子电子学报2019年01期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自量子电子学报2019年01期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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