论文摘要
微型LED阵列器件作为一种全固体的主动发光器件，具有工作电压低、发光效率高、响应速度快、性能稳定可靠、工作温度范围宽等优点。目前，微型LED阵列在医疗、微显示以及通讯网络中的应用可行性已得到论证，尤其是在近年来快速发展的3G和IPv6网络技术中具有巨大的应用前景本文研究了以AlGaInP-LED外延片为基片的LED微显示集成阵列芯片。在研究过程中得到如下结果：1、三条形电极结构的LED有源层均匀发光面积比较未经优化的单条形电极可提高65.02%，比较双条形电极可提高25.63%，有效提高了微型LED阵列的出光效率。2、在三条形电极结构的基础上提出回形电极结构,确定电极宽度为15m，在保证LED有源层电流分布均匀性的同时使得LED像素具有最大的出光面，改善LED阵列的显示效果。3、设计了基于MEMS技术的LED阵列制作工艺流程，该流程的重点在于高深宽比的厚胶光刻及用ICP设备进行高深宽比的深刻蚀工艺等。4、进行了LED阵列微显示器件工艺实验研究，主要包括光刻实验和衬底减薄实验，确定使用浓度配比为H3PO4：H2O2：H2O=1：1：2（体积比）的磷酸系列溶液作为衬底化学减薄溶液，减薄速率为2.57m/min，减薄后的衬底表面平整且有较好的均匀性。
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