本文主要研究内容
作者雷丹,王琦琨,黄嘉丽,贺广东,龚建超,付丹扬,吴亮（2019）在《坩埚位置对PVT生长AlN晶体过程中物质传输的影响》一文中研究指出：使用FEMAG晶体生长模拟仿真软件以及自主开发的PVT法有限元传质模块对全自动、双电阻加热物理气相沉积炉开展了AlN晶体生长工艺过程中不同坩埚埚位对温度场、过饱和度场及烧结体升华速率等影响的模拟仿真分析研究。模拟仿真结果表明:在给定工艺条件下,坩埚埚位较低时烧结体温度较高且内部温差较小,烧结体升华表面存在较大的Al蒸气分压梯度,各表面升华速率较快且均匀,籽晶衬底生长前沿温度场呈微凸分布,有利于晶体扩径及生长高质量晶体。随着坩埚埚位的上升,低温区向坩埚壁扩展,预烧结体内轴向及径向温度梯度增加,籽晶衬底附近径向温度梯度逐步降低,过饱和度区域扩大且增强。在坩埚埚位较高情况下,坩埚内原料升华变得不均匀,坩埚侧壁存在高过饱和区域,极易在坩埚壁上发生大量的AlN多晶沉积。模拟分析结果与大量实际晶体生长实验后的坩埚壁处沉积现象及剩余烧结体原料形态相符,较好地验证了模拟仿真分析结果的准确性。
Abstract
shi yong FEMAGjing ti sheng chang mo ni fang zhen ruan jian yi ji zi zhu kai fa de PVTfa you xian yuan chuan zhi mo kuai dui quan zi dong 、shuang dian zu jia re wu li qi xiang chen ji lu kai zhan le AlNjing ti sheng chang gong yi guo cheng zhong bu tong gan guo guo wei dui wen du chang 、guo bao he du chang ji shao jie ti sheng hua su lv deng ying xiang de mo ni fang zhen fen xi yan jiu 。mo ni fang zhen jie guo biao ming :zai gei ding gong yi tiao jian xia ,gan guo guo wei jiao di shi shao jie ti wen du jiao gao ju nei bu wen cha jiao xiao ,shao jie ti sheng hua biao mian cun zai jiao da de Alzheng qi fen ya ti du ,ge biao mian sheng hua su lv jiao kuai ju jun yun ,zi jing chen de sheng chang qian yan wen du chang cheng wei tu fen bu ,you li yu jing ti kuo jing ji sheng chang gao zhi liang jing ti 。sui zhao gan guo guo wei de shang sheng ,di wen ou xiang gan guo bi kuo zhan ,yu shao jie ti nei zhou xiang ji jing xiang wen du ti du zeng jia ,zi jing chen de fu jin jing xiang wen du ti du zhu bu jiang di ,guo bao he du ou yu kuo da ju zeng jiang 。zai gan guo guo wei jiao gao qing kuang xia ,gan guo nei yuan liao sheng hua bian de bu jun yun ,gan guo ce bi cun zai gao guo bao he ou yu ,ji yi zai gan guo bi shang fa sheng da liang de AlNduo jing chen ji 。mo ni fen xi jie guo yu da liang shi ji jing ti sheng chang shi yan hou de gan guo bi chu chen ji xian xiang ji sheng yu shao jie ti yuan liao xing tai xiang fu ,jiao hao de yan zheng le mo ni fang zhen fen xi jie guo de zhun que xing 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自半导体光电的雷丹,王琦琨,黄嘉丽,贺广东,龚建超,付丹扬,吴亮，发表于刊物半导体光电2019年05期论文，是一篇关于物理气相传输法论文,模拟仿真论文,坩埚埚位论文,物质传输论文,半导体光电2019年05期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自半导体光电2019年05期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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