本文主要研究内容
作者葛玉斌,高达,王经纬,王丛（2019）在《基于正交试验方法的Si基碲镉汞工艺优化》一文中研究指出：采用正交试验方法优化了Si基碲镉汞分子束外延工艺参数,以缺陷密度和缺陷尺度为评判标准。采用三因素三水平正交试验方法,分别使用生长温度、Hg/Te比、生长速率三个因素作为变化的参数。结果表明生长温度对HgCdTe缺陷影响最大,生长速率次之,Hg/Te比最小。使用正交试验获得的生长参数进行试验即生长温度212℃,Hg流量61 sccm,生长速率为1.5μm/h,获得的HgCdTe材料缺陷密度控制在500 cm-2以内,平均缺陷直径小于3.5μm。
Abstract
cai yong zheng jiao shi yan fang fa you hua le Siji di ge gong fen zi shu wai yan gong yi can shu ,yi que xian mi du he que xian che du wei ping pan biao zhun 。cai yong san yin su san shui ping zheng jiao shi yan fang fa ,fen bie shi yong sheng chang wen du 、Hg/Tebi 、sheng chang su lv san ge yin su zuo wei bian hua de can shu 。jie guo biao ming sheng chang wen du dui HgCdTeque xian ying xiang zui da ,sheng chang su lv ci zhi ,Hg/Tebi zui xiao 。shi yong zheng jiao shi yan huo de de sheng chang can shu jin hang shi yan ji sheng chang wen du 212℃,Hgliu liang 61 sccm,sheng chang su lv wei 1.5μm/h,huo de de HgCdTecai liao que xian mi du kong zhi zai 500 cm-2yi nei ,ping jun que xian zhi jing xiao yu 3.5μm。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自激光与红外的葛玉斌,高达,王经纬,王丛，发表于刊物激光与红外2019年02期论文，是一篇关于碲镉汞论文,正交试验论文,分子束外延论文,激光与红外2019年02期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自激光与红外2019年02期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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