NBTI模型的研究以及在SPICE3 BSIM4模型中的实现

论文摘要

本文着重讨论了负偏置温度不稳定性（NBTI）效应对MOSFET性能的影响,列举了一个精确的负偏置温度不稳定性（NBTI）模型应该考虑到的因素。基于被工业界广泛接受的R-D模型,我们提出了一个易于用SPICE3实现的负偏置温度不稳定性（NBTI）半经验模型。本文还详细描述了如何将负偏置温度不稳定性（NBTI）模型引入到BSIM4模型和SPICE3 simulation flow中去。最后,本文描述了可靠性分析的流程。BSIM4模型的退化后工作状态也通过SPICE3加载使用这个新的NBTI模型来取得

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Abstract

1.前言

2.NBTI效应的作用机理

3.REACTION-DIFFUSION（R—D）模型

3.1.退化对电压偏置的依赖倾向

3.2.退化对温度依赖的倾向

3.3.饱和态

ITNBTI模型'>4.新的半经验N_ITNBTI模型

5.集成电路计算机辅助设计简介

5.1.集成电路计算机辅助设计的必要性

5.2.模拟在IC设计中的地位和作用

5.3.电路模拟的主要内容

5.4.电路模拟软件SPICE简介

6.NBTI模型安装与模拟

6.1.SPICE3 MOSFET NBTI模型模拟流程

6.2.将NBTI模型引入BSIM4模型

6.3.SPICE3网表

6.4.模拟

6.5.模拟结果分析

6.6.对实际加速应力实验数据进行参数提取结果

7.局限性和不足,与未来的改进方向

8.结论

9.参考文献

10.后记

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