导读:本文包含了砷化锗镉晶体论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:CdGeAs_2晶体,合成与生长,光学吸收,第一性原理
砷化锗镉晶体论文文献综述
朱崇强,雷作涛,宋梁成,杨春晖[1]（2015）在《砷化锗镉晶体的生长及电子结构研究》一文中研究指出采用单温区法合成了CdGeAs_2多晶料,单批量合成质量达到200g。经XRD和TG-DTA检测,多晶料的结晶性和热稳定性良好,适合作CdGeAs_2晶体生长的原料。采用双温区透明小角度倾斜温梯冷凝法生长了CdGeAs_2晶体,尺寸达到Φ20mm×80mm。经XRD检测,晶体的结晶性和单相性良好,适合作CdGeAs_2晶体性能表征的样品。采用光学吸收的手段对CdGeAs_2晶体的光学性能进行了表征,其吸收系数受极化作用,温度,氧化物,生长方向等因素的影响明显。采用基于密度泛函理论的第一性原理方法对CdGeAs_2晶体的能带结构、态密度、电子密度、电子密度差分、弹性性质和光学性能进行了计算。与实验值相比,晶格尺寸减小;晶体具有直接能隙,禁带宽度为0.048eV;能带结构由不同原子轨道态混合构成的;Cd-As键和Ge-As键都具有共价性;晶体具有六个独立弹性常数,利用计算的弹性性质可以判断晶体具有机械稳定性、延性和弹性各向异性等力学特点;晶体介电函数的实部和虚部可以表达所有的光学性质,而且其谱峰由电子在不同原子轨道上跃迁形成的。(本文来源于《第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集》期刊2015-08-11）
李春彦,石秀梅,邹辉,巩丽红[2]（2008）在《计算晶胞能量确定砷化锗镉晶体的吸收缺陷》一文中研究指出目的:通过晶胞形成能量分析砷化锗镉晶体的本征缺陷。方法:通过砷化锗镉晶体合成特点及其是p-型半导体的检测结果,确定了纯砷化锗镉(CdGeAs2)晶体的各种可能本征缺陷模型,并利用密度泛函理论计算各种可能缺陷的晶胞能量。结果:根据计算锗占砷位晶胞能量最低。结论:锗占砷位是最可能的吸收缺陷,这与国外用EPR推测出的缺陷类型相一致,同时计算得出铬掺杂能够有效地降低晶体在中红外区的吸收,进而克服了晶体在中红外区强吸收。(本文来源于《牡丹江医学院学报》期刊2008年01期）
朱崇强,杨春晖,王锐,吕维强,孙彧[3]（2007）在《砷化锗镉晶体的合成与生长》一文中研究指出砷化锗镉(CdGeAs2)晶体是一种重要的中远红外波段非线性光学晶体,非线性光学系数高达236pm/V[1]。此外,晶体的透光波段宽(2.4~18μm)[2],双折射率适中(ne-no=0.1)·K)[3],具有广泛的应用前景。本文采用单温区法合成了Cd(本文来源于《人工晶体学报》期刊2007年04期）
李春彦,王锐,杨春晖,徐衍岭,朱崇强[4]（2006）在《黄铜矿类半导体砷化锗镉晶体的研究进展》一文中研究指出砷化锗镉,CdGeAs2,是叁元的黄铜矿类半导体,具有非常高的非线性光学系数(236pm/V),这使得其作为CO2激光器倍频转换方面有突出的优势。长期以来生长晶体时由于存在严重的各向异性而使晶体开裂。砷化锗镉晶体在5.5μm处存在强吸收使得频率转化的效率非常低,此吸收是晶体内存在大量受体缺陷造成的。本文对晶体生长的几种方法和红外吸收进行论述,并提出掺杂予体的方法降低红外吸收。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2006年05期）
李春彦[5]（2006）在《黄铜矿半导体砷化锗镉晶体的生长和密度泛函理论研究》一文中研究指出砷化锗镉晶体(CdGeAs2)是黄铜矿类半导体晶体中综合性能最优者,其非线性光学系数和远红外区透过率很高,但其在中红外区5.5μm有较强的吸收。本论文主要采用水平梯度冷凝法生长CdGeAs2单晶,运用密度泛函理论的平面波赝势法计算了砷化锗镉晶体及砷空位、锗占砷位-砷化锗镉晶体的结构、能带结构、态密度、光学性质等,提出了铬掺杂砷化锗镉晶体能有效的降低红外吸收。首先通过大量的实验研究选择合适的工艺条件合成砷化锗镉多晶,在具有较低温度梯度的水平单晶炉中生长CdGeAs2单晶,同时填充氩气以抑制砷的挥发。生长出的单晶粉末做XRD衍射分析检测,发现其X-射线衍射图与标准图谱相一致。用红外光谱仪在中红外区做吸收检测,结果显示晶体在中红外区的吸收较低。运用密度泛函理论计算,建立纯砷化锗镉晶体的结构模型并对之进行结构优化,使理论模型更加接近真实结构,从而研究纯砷化锗镉晶体的能带结构和态密度、光学性质;分别建立砷空位模型(VAs-CdGeAs2),锗占砷位模型(Ge/As-CdGeAs2),分别计算它们的能带结构、态密度、光学性质。同时计算了铬离子掺杂模型的能带结构,推断出铬掺杂砷化锗镉晶体能改变晶体的能带结构,降低红外吸收。通过能量优化,锗占砷位缺陷的能量最接近理想的纯砷化锗镉晶体优化能量,这与EPR对缺陷检测结果相一致,所以锗占砷位反位缺陷是最可能的吸收缺陷。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2006-06-01）
砷化锗镉晶体论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
目的:通过晶胞形成能量分析砷化锗镉晶体的本征缺陷。方法:通过砷化锗镉晶体合成特点及其是p-型半导体的检测结果,确定了纯砷化锗镉(CdGeAs2)晶体的各种可能本征缺陷模型,并利用密度泛函理论计算各种可能缺陷的晶胞能量。结果:根据计算锗占砷位晶胞能量最低。结论:锗占砷位是最可能的吸收缺陷,这与国外用EPR推测出的缺陷类型相一致,同时计算得出铬掺杂能够有效地降低晶体在中红外区的吸收,进而克服了晶体在中红外区强吸收。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
砷化锗镉晶体论文参考文献
[1].朱崇强,雷作涛,宋梁成,杨春晖.砷化锗镉晶体的生长及电子结构研究[C].第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集.2015
[2].李春彦,石秀梅,邹辉,巩丽红.计算晶胞能量确定砷化锗镉晶体的吸收缺陷[J].牡丹江医学院学报.2008
[3].朱崇强,杨春晖,王锐,吕维强,孙彧.砷化锗镉晶体的合成与生长[J].人工晶体学报.2007
[4].李春彦,王锐,杨春晖,徐衍岭,朱崇强.黄铜矿类半导体砷化锗镉晶体的研究进展[J].人工晶体学报.2006
[5].李春彦.黄铜矿半导体砷化锗镉晶体的生长和密度泛函理论研究[D].哈尔滨工业大学.2006
标签：CdGeAs_2晶体; 合成与生长; 光学吸收; 第一性原理;