论文摘要
Cu-W、Cu-Mo均属典型二元难混溶合金,由于具有较大的正混合焓(铜钨体系AHmix>+35.5KJ/mol,铜钼体系AHmix>+28KJ/mol),很难通过常规工艺制备出高度均质化的、实用性强的Cu-W和Cu-Mo合金。钨和钼具有熔点高、硬度大、强度高、热膨胀系数低等优点,而铜则具有良好的导电导热性能,二者的复合使Cu-W及Cu-Mo合金材料具备诸多优越性能而成为人们研究的热点。随着研究的不断深入,Cu-W、Cu-Mo合金及合金薄膜在微电子、航空、热交换等领域显示出广阔前景。本文采用磁控共溅射法制备了含2.12-53.14at.%W的Cu-W薄膜和含2.19~74.91at.%Mo的Cu-Mo薄膜,用EDX、XRD、TEM、SEM、AFM、显微硬度仪和电阻仪等研究其成分、结构、表面形貌及性能。结果表明,W、Mo的添加改变了Cu薄膜的结构,进而影响薄膜的力学及电学性能。W添加量低于6at.%的Cu-W薄膜和Mo添加量小于10at.%的Cu-Mo薄膜的XRD谱呈Cu(111)择优取向,薄膜呈超细晶结构。当W含量超过6at.%后,Cu-W薄膜XRD谱呈现由Cu(111)峰与W(110)峰构成的叠合峰,叠合峰的峰宽随W添加量的提高而增大,薄膜主要由超细铜单质微晶、钨单质微晶和一定量的非晶构成。Mo的添加量超过10at.%后,Cu-Mo薄膜XRD谱呈现由Cu(111)峰与Mo(110)峰组成的叠合峰,叠合峰的峰宽随Mo添加量的增加而增大,溥膜主要由超细铜单质微晶、钼单质微晶以及一定量的非晶组成。随着W、Mo添加量的进一步提高,薄膜XRD谱主要呈现W(110)或Mo(110)的主峰。TEM分析表明,Cu-2.12at.%W薄膜和Cu-4.27at.%Mo薄膜为多晶结构,而Cu-14.20at.%W薄膜和Cu-9.89at.%Mo薄膜中含有一定量的非晶。SEM和AFM分析结果表明,随W、Mo添加量的提高,薄膜表面光洁度增大,平整度提高。对薄膜显微硬度和电阻率的测试结果得出,沉积态纯铜膜的努氏超显微硬度为1GPa,电阻率为5.24μΩ·cm, W和Mo的添加可使Cu-W薄膜和Cu-Mo薄膜的显微硬度分别提高到7.0 GPa和8.76GPa,电阻率则分别增大到27.7μΩ·cm及32.32μΩ·cm。经200,400及650℃退火处理1h后,Cu-W薄膜和Cu-Mo薄膜XRD谱中出现Cu(111)、W(110)、Mo(110)和Cu(200)等峰,表明薄膜中微结构发生了变化。SEM分析表明,经热处理后薄膜中出现亚微米级的富铜颗粒,薄膜表面光洁度降低,平整性变差。经200,400和650℃退火处理1h后,薄膜的显微硬度及电阻率均降低,且退火温度越高,降幅越大,这是由于薄膜的微观结构随退火温度升高而发生了显著的变化。
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