论文摘要
本文建立了一套双高纯锗探头——二维多道符合技术正电子湮没辐射多普勒展宽装置。用该装置测量的正电子湮没辐射多普勒展宽谱的峰高与本底之比高于105。对多谱线高能端进行分析,可提取原子内层电子的信息。该技术对过渡族、稀土元素的d或f电子特别敏感。测量了过渡金属纯元素、含Zr等元素的Ni-Al系金属间化合物的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱。从多普勒展宽谱中提取金属及合金的d或f电子的信息,进而研究合金元素对金属间化合物中微观缺陷和电子状态的影响。纯元素的多普勒展宽谱表明:正电子与同一周期内的过渡金属中较高动量芯电子湮没的几率随4d电子的数目的增加而增加。测量不同Zr含量和经不同温度退火前后的多晶Ni3Al合金多普勒展宽谱和寿命谱。实验表明,多晶Ni3Al合金晶界缺陷的开空间大于单空位或位错。多晶Ni3Al合金中加入Zr元素,Zr原子容易偏聚到Ni3Al合金的晶界缺陷上,当Zr含量低于1.0at%时,正电子与合金中的d电子湮没几率随Zr含量增大而增加;当Zr含量为1.0at%时,达到最大值;当Zr含量高于1.5at%时,Ni5Zr相析出,相界面增加,导致正电子与合金中的d电子湮没几率降低。不同温度热处理对Zr在多晶Ni3Al合金中的扩散影响很大,Zr含量越高、退火温度越高,在合金中Ni5Zr相的析出量越多。第二相的析出使得正电子寿命增加,合金样品的商谱峰高降低,合金中缺陷浓度增加。在二元NiAl合金中,由于Ni的d电子与Al的p电子被局域化形成强共价键,正电子与d电子湮没的概率较低,随少量第三组元Zr、Nb、Mn、Ti原子的加入,能抑制最近邻Ni-Al原子对形成强Ni d-Al p共价键趋势,提高d-d电子对相互作用,从而增加了正电子与d电子湮没的概率。
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摘要ABSTRACT目录第一章 绪论1.1 概述1.2 NiAl基本特性研究进展1.2.1 NiAl优异的性能1.2.2 NiAl的合金化1.2.3.NiAl微观结构与缺陷1.2.4.NiAl成键特性与力学性能之间联系3Al基本特性研究进展'>1.3 Ni3Al基本特性研究进展3Al的微观结构和缺陷'>1.3.1 Ni3Al的微观结构和缺陷3Al性能的影响'>1.3.2 合金化对Ni3Al性能的影响1.4 研究方法1.5 研究内容第二章 正电子湮没寿命谱原理和实验方法2.1 引言2.2 正电子与正电子湮没2.3 正电子湮没谱学实验方法2.3.1 正电子寿命谱仪2.3.2 两态捕获模型2.4 正电子湮没率与电子密度2.4.1 均匀电子气系统中的正电子湮没率2.4.2 非均匀电子系统中的正电子湮没率第三章 多普勒展宽谱实验仪器及方法的改进3.1 多普勒展宽谱实验仪器原理3.2 单探头多普勒展宽谱仪3.3 双探头符合多普勒展宽谱仪3.4 双HP Ge探头—二维多道符合正电子湮没辐射多普勒展宽装置3.5 小结第四章 过渡金属元素中d和f电子行为研究4.1 引言4.2 实验方法4.3 结果与讨论4.3.1 Ge-NaI双探头系统的测量结果4.3.2 Ge-Ge双探头系统的测量结果4.4 小结第五章 Zr对Ni-Al系金属间化合物d电子行为的影响研究3Al合金的影响'>5.1 Zr对Ni3Al合金的影响5.1.1 实验方法5.1.2 结果与分析5.1.3 小结5.2 Zr对NiAl合金影响5.2.1 实验方法5.2.2 结果和讨论5.2.3 小结参考文献致谢攻读硕士学位期间发表论文情况
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标签:合金论文; 正电子寿命论文; 多普勒展宽论文; 微观缺陷论文; 电子论文;
Zr对Ni-Al系金属间化合物中微观缺陷和电子状态的影响
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