导读:本文包含了电子束反应蒸发法论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:电子束反应蒸发技术,掺钼氧化铟(In2O3,Mo,IMO)薄膜,高迁移率,太阳电池
电子束反应蒸发法论文文献综述
陈新亮,韩东港,张德坤,孙建,耿新华[1]（2011）在《电子束反应蒸发制备高迁移率IMO薄膜及其性能研究》一文中研究指出研究了掺杂剂含量对电子束反应蒸发技术生长掺钼氧化铟(In2O3:Mo,IMO)薄膜的微观结构以及光学和电学性能的影响。采用高纯度In2O3:MoO3陶瓷靶和O2作为源材料。随着MoO3掺杂剂含量的增加,IMO薄膜电阻率先降低而后增加,光学性能呈现薄膜透过率下降的趋势。在1.0 wt.%MoO3掺杂剂含量时,获得最佳薄膜性能,薄膜电阻率ρ约为1.97×10-4Ω.cm,方块电阻Rs约为18Ω/□,载流子浓度n约为6.85×1020cm-3,电子迁移率μ约为46.3 cm2.V-1.s-1,可见光和近红外区域透过率T约为75%~85%(含玻璃衬底)。这种高迁移率的IMO薄膜有望应用于μc-Si:H薄膜太阳电池以及a-Si:H/μc-Si:H硅迭层薄膜太阳电池。(本文来源于《光电子.激光》期刊2011年07期）
韩东港,陈新亮,孙建,赵颖,耿新华[2]（2010）在《电子束反应蒸发技术生长Mo掺杂In_2O_3薄膜》一文中研究指出利用电子束反应蒸发技术,调制衬底温度200～350℃,详细研究了Mo掺杂In2O3(IMO,In2O3:Mo)薄膜的微观结构以及光电性能的变化。随着衬底温度增加,原子力显微镜(AFM)与扫描电子显微镜(SEM)图像均证明IMO薄膜表面趋于粗糙,透过率和Hall测试表明其光学和电学性能逐渐提高。在衬底温度为350℃时,获得薄膜最小电阻率为2.1×10-4Ωcm,载流子迁移率为34.2cm2/Vs,其可见光区及近红外区的平均透过率为78%。衬底温度为200℃时,薄膜表现为黑褐色,经分析X射线光电子能谱(XPS)结果认为与薄膜中钼的低价氧化有关,提高衬底温度可改善薄膜氧化状态。(本文来源于《光电子.激光》期刊2010年05期）
刘谱成,邱东江,施红军,蒋银土,顾智企[3]（2007）在《衬底温度对电子束反应蒸发生长的Zn_xCo_(1-x)O薄膜性能的影响》一文中研究指出采用电子束反应蒸发法生长 Zn_xC_(1-x)O 薄膜．通过 X 射线衍射、场发射扫描电子显微镜、光致荧光光谱(PL)、室温 M-H 曲线等测量研究衬底温度对 Zn_(0．75) Co_(0．25)O 薄膜微结构及光学、磁学特性的影响．结果表明,250～350℃温度范围内生长的 Zn_(0．75)Co_(0．25)O 薄膜具有单一的纤锌矿结构,但当温度超过400℃时产生 CoO 杂相偏析．在300或350℃衬底温度下生长 Zn_(0．75)Co_(0．25)O 薄膜具有室温铁磁性,PL 测量结果表明 Zn_(0．75)Co_(0．25)O 薄膜的室温铁磁性很可能起源于氧空位缺陷诱导的自旋劈裂杂质带机制．而250℃生长 Zn_(0．75)Co_(0．25)O 薄膜在室温下呈现超顺磁性,超顺磁性的产生是 Zn_(0．75)Co_(0．25)O 晶粒的小尺寸效应所导致．(本文来源于《第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（3）》期刊2007-11-01）
熊胜明,张云洞,唐晋发[4]（2001）在《电子束反应蒸发氧化物薄膜的应力特性》一文中研究指出研究了反应电子束蒸发氧化物光学薄膜在空气中的应力。为了找到能减小多层膜结构内应力的淀积工艺参数 ,测试了氧化物膜层 Ti O2 ,Ta2 O5 ,Si O2 ,Al2 O3,Hf O2 的应力 ,发现有些膜层为压应力 ,一些高折射率膜为张应力。实验表明 ,热处理可以有效地降低氧化物膜层光学吸收 ,并改变应力。(本文来源于《光电工程》期刊2001年01期）
缪同群[5]（1996）在《电子束反应蒸发SiO_2膜的残余应力》一文中研究指出光学薄膜中的残余应力是一个影响现代仪器性能和可靠性的越来越重要的因素.过强的张应力或压应力会使膜层破裂和脱落.即使上述情况不发生,残余应力也会影响平面衬底的平面度,从而导致反射波面发生畸变.设薄膜是在温度T_2时制备的,在室温T_1时,其残余应力σ由两部分组成:(1)由在膜形成时所产生的内应力σ_i,和(2)由膜层和衬底的热胀系数不同所引起的应力σ_(th).所以,残余应力由下式给出:(本文来源于《光机电信息》期刊1996年02期）
电子束反应蒸发法论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用电子束反应蒸发技术,调制衬底温度200～350℃,详细研究了Mo掺杂In2O3(IMO,In2O3:Mo)薄膜的微观结构以及光电性能的变化。随着衬底温度增加,原子力显微镜(AFM)与扫描电子显微镜(SEM)图像均证明IMO薄膜表面趋于粗糙,透过率和Hall测试表明其光学和电学性能逐渐提高。在衬底温度为350℃时,获得薄膜最小电阻率为2.1×10-4Ωcm,载流子迁移率为34.2cm2/Vs,其可见光区及近红外区的平均透过率为78%。衬底温度为200℃时,薄膜表现为黑褐色,经分析X射线光电子能谱(XPS)结果认为与薄膜中钼的低价氧化有关,提高衬底温度可改善薄膜氧化状态。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电子束反应蒸发法论文参考文献
[1].陈新亮,韩东港,张德坤,孙建,耿新华.电子束反应蒸发制备高迁移率IMO薄膜及其性能研究[J].光电子.激光.2011
[2].韩东港,陈新亮,孙建,赵颖,耿新华.电子束反应蒸发技术生长Mo掺杂In_2O_3薄膜[J].光电子.激光.2010
[3].刘谱成,邱东江,施红军,蒋银土,顾智企.衬底温度对电子束反应蒸发生长的Zn_xCo_(1-x)O薄膜性能的影响[C].第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（3）.2007
[4].熊胜明,张云洞,唐晋发.电子束反应蒸发氧化物薄膜的应力特性[J].光电工程.2001
[5].缪同群.电子束反应蒸发SiO_2膜的残余应力[J].光机电信息.1996