论文摘要
长QT间期综合征(long Q-T syndrome,LQTS)是指心电图上QT间期延长,伴有T波和(或)u波形态异常,常导致恶性室性心律失常(室性心动过速通常为尖端扭转型室速,心室颤动)、晕厥发作或心源性猝死。本研究构建了人类ether--gogo–related基因野生型(human ether--gogo–related gene wild type,HERG-WT)及其突变型(HERG-V535M)的HEK293细胞系异源性表达体系,分析转染HERG-WT和HERG-V535M后HEK293细胞的电生理特征及其门控动力学机制。首先抽取LQTS患者及其8个家系成员的外周血进行DNA测序,发现HERG基因编码区第1605位点发生碱基A→G错义突变,此突变导致第535位氨基酸发生了V535M突变。突变位点发生在电压依赖性钾通道的S4电压感受器上。为进一步研究该突变的意义,我们将pcDNA3.1-HERG-WT和pcDNA3.1-HERG-V535M质粒分别瞬时转染HEK293细胞系,利用磁珠法活体示踪,用全细胞膜片钳技术和动作电位钳技术记录HEK293细胞上HERG电流。全细胞膜片钳技术结果显示HERG-V535M突变使钾通道电流降低,导致心肌细胞复极过度延长,引起QT间期延长;门控动力学结果显示HERG通道基因V535M突变对于通道的激活过程和灭活过程影响较小,但是可以通过使稳态失活电压向超极化方向移动,显著加速通道的稳态失活,同时也可以降低通道的恢复动力,从而降低了电流幅值。本研究结果与LQT2综合征患者及其母亲心电图表现QTc延长一致,进一步证实单个通道的突变可以导致LQT的发生,为临床遗传性心律失常的诊断提供可靠的依据,也为该类疾病的研究提供有益的思路。
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