导读:本文包含了对称基论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:模糊技术,非对称基,神经网络,光伏
对称基论文文献综述
刘道华,胡秀云,刘江峰,关凤[1]（2017）在《非对称基神经网络跟踪光伏最大功率点的方法》一文中研究指出为了使光伏发电系统时刻工作在最大功率点处,构建了非对称基神经网络跟踪光伏最大功率点的方法,给出了该方法的具体实现步骤.依据光伏发电因素对发电效率的影响程度不同,构建了模糊因素隶属函数,计算出影响因素的模糊权值,并将该权值融入到非对称基神经网络结构的构建中.通过固定基宽的径向基函数方法、传统的径向基函数方法以及文中方法,并采用4种数量的样本训练网络,通过网络训练时间及标准差进行对比,可得采用180个样本训练网络的精度最高,且文中方法获得网络的精度高于其他方法至少1个数量级以上.使用这种神经网络时刻识别光伏系统的工作参数,能使光伏系统通过滑动变阻器在任一时刻均能让内外电阻完全匹配,从而保证该系统时刻工作在最大功率点处.(本文来源于《西安电子科技大学学报》期刊2017年05期）
于洋[2]（2016）在《基于非对称基区晶体管压力传感器温度补偿集成化研究》一文中研究指出本文基于双极工艺和MEMS技术在SOI片(器件层为n型<100>晶向高阻硅)上设计、制作非对称基区晶体管温度补偿压力传感器,压敏结构由C型硅杯和方形硅膜上四个p型扩散压敏电阻构成的惠斯通电桥组成,温度补偿结构由非对称基区晶体管构成。当施加压力P时,方形硅膜发生弹性形变,压敏电阻阻值改变导致惠斯通电桥输出电压发生变化,理论分析给出,压敏结构可实现外加压力P的测量。利用PN结导通电压温度系数为负,采用非对称基区晶体管结构对压力传感器灵敏度负温度系数进行温度补偿,通过改变基区电阻的比例,实现补偿优化。基于ANSYS软件构建压力传感器结构仿真模型,研究硅膜形状、尺寸对传感器特性影响,并结合MATLAB计算方形硅膜上电阻的位置分布,进行具有温度补偿结构压力传感器优化设计。本文采用L-Edit软件实现芯片版图设计,并在SOI片上实现具有温度补偿结构压力传感器芯片制作和封装,通过采用全自动压力变送器测试系统(American Mensor CPC6000)、高低温实验箱(OBIS GDJS-100LG-G)和压力测试盘等搭建的测试系统,对非对称基区晶体管温度补偿压力传感器进行特性研究。实验结果给出,在室温条件下,供电电压5.0 V,压力传感器灵敏度为0.227 mV/kPa;温度范围为-40℃到100℃变化时,该压力传感器的灵敏度温度漂移为-1862 ppm/℃,补偿后灵敏度温度漂移为-1067 ppm/℃;对非对称基区晶体管进行优化设计,最终补偿后灵敏度温度漂移为-127 ppm/℃。研究结果表明,本文设计、制作的具有温度传感器结构的压力传感器具有较好的压敏特性和温度特性。(本文来源于《黑龙江大学》期刊2016-03-28）
柴俊霞,张礼涛[3]（2015）在《基于混沌映射的非径向对称基函数的神经网络模型》一文中研究指出为提高神经网络模型的预测精度,构建了非径向对称基函数神经网络模型结构。为确定非径向对称基函数神经网络模型参数,采用Ulam-von Neumann映射规则确定混沌变量,利用混沌变量的遍历性获得不同网络结构参数下的最优网络输出,以减少所构建网络模型的实际输出与期望输出的差值,并利用模型输出的误差变化率以决定是否增加新的隐层节点。给出基于混沌映射的非径向对称基函数的网络模型构建步骤。采用基于Mackey-Glass时滞微分方程的混沌时间序列预测问题验证该模型的预测精度,并同其他文献对该序列预测的精度以及所需隐层节点数作对比。比较结果表明,采用该设计模型具有对时间序列预测精度高且所需网络结构规模小等优点。(本文来源于《计算机应用与软件》期刊2015年01期）
温殿忠[4]（1990）在《非对称基区梳状温度补偿晶体管设计原理》一文中研究指出本文提出了一种非对称基区梳状温度补偿晶体管的设计原理,并给出了这种晶体管基极电阻比η的计算公式.理论分析与实验结果表明,采用本文给出的公式确定基极电阻比η,所设计的非对称基区梳状晶体管,对半导体敏感元器件灵敏度温漂进行补偿时有最佳的补偿效果.(本文来源于《传感技术学报》期刊1990年03期）
温殿忠,黄得星[5]（1985）在《探讨温度补偿非对称基区晶体管的设计问题》一文中研究指出本文以集成化压阻式力传感器灵敏度的温度补偿为例,给出了条状结构的非对称基区温度补偿晶体管的基极电阻计算公式以及基极电阻比η与灵敏度温度系数α之间的关系式.从而提出了条状结构的非对称基区温度补偿晶体管的最佳设计方案,这种设计方法普遍适用于集成化敏感器件的温度补偿.(本文来源于《黑龙江大学自然科学学报》期刊1985年01期）
施义晋[6]（1983）在《双强子系统L·S表象与jj表象的物理基和对称基及其变换系数》一文中研究指出本文给出了两种常用表象(作者称之为L·S表象与jj表象)下双强子系统物理基与对称基之间变换系数的一般表达式.对前者是两个SU_(mn)(?)SU_m×SU_n同位标因子乘积,后者简单就是SU_(mn)(?)SU_n×SU_m同位标因子.我们给出了L·S表象下的0s态六夸克系统且自旋同位旋仅取SU_2×SU_2全部变换系数.(本文来源于《高能物理与核物理》期刊1983年06期）
施义晋[7]（1982）在《SU_(mn)■SU_m×SU_n群的同位标因子及六夸克系统物理基与对称基变换系数》一文中研究指出在原子核壳模型及基本粒子物理计算中,母分系数(C f P) 是经常要用到的。我们已经指出：C f P 系数本质上就是相应么正群(SU 群)的 Clebsch-Gardon 系数(CGO)。对于自旋同位旋空间,我们经常采用 SU■SU_2×SU_2或 SU_5(本文来源于《第五次核物理会议资料汇编（下册）》期刊1982-11-01）
对称基论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文基于双极工艺和MEMS技术在SOI片(器件层为n型<100>晶向高阻硅)上设计、制作非对称基区晶体管温度补偿压力传感器,压敏结构由C型硅杯和方形硅膜上四个p型扩散压敏电阻构成的惠斯通电桥组成,温度补偿结构由非对称基区晶体管构成。当施加压力P时,方形硅膜发生弹性形变,压敏电阻阻值改变导致惠斯通电桥输出电压发生变化,理论分析给出,压敏结构可实现外加压力P的测量。利用PN结导通电压温度系数为负,采用非对称基区晶体管结构对压力传感器灵敏度负温度系数进行温度补偿,通过改变基区电阻的比例,实现补偿优化。基于ANSYS软件构建压力传感器结构仿真模型,研究硅膜形状、尺寸对传感器特性影响,并结合MATLAB计算方形硅膜上电阻的位置分布,进行具有温度补偿结构压力传感器优化设计。本文采用L-Edit软件实现芯片版图设计,并在SOI片上实现具有温度补偿结构压力传感器芯片制作和封装,通过采用全自动压力变送器测试系统(American Mensor CPC6000)、高低温实验箱(OBIS GDJS-100LG-G)和压力测试盘等搭建的测试系统,对非对称基区晶体管温度补偿压力传感器进行特性研究。实验结果给出,在室温条件下,供电电压5.0 V,压力传感器灵敏度为0.227 mV/kPa;温度范围为-40℃到100℃变化时,该压力传感器的灵敏度温度漂移为-1862 ppm/℃,补偿后灵敏度温度漂移为-1067 ppm/℃;对非对称基区晶体管进行优化设计,最终补偿后灵敏度温度漂移为-127 ppm/℃。研究结果表明,本文设计、制作的具有温度传感器结构的压力传感器具有较好的压敏特性和温度特性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
对称基论文参考文献
[1].刘道华,胡秀云,刘江峰,关凤.非对称基神经网络跟踪光伏最大功率点的方法[J].西安电子科技大学学报.2017
[2].于洋.基于非对称基区晶体管压力传感器温度补偿集成化研究[D].黑龙江大学.2016
[3].柴俊霞,张礼涛.基于混沌映射的非径向对称基函数的神经网络模型[J].计算机应用与软件.2015
[4].温殿忠.非对称基区梳状温度补偿晶体管设计原理[J].传感技术学报.1990
[5].温殿忠,黄得星.探讨温度补偿非对称基区晶体管的设计问题[J].黑龙江大学自然科学学报.1985
[6].施义晋.双强子系统L·S表象与jj表象的物理基和对称基及其变换系数[J].高能物理与核物理.1983
[7].施义晋.SU_(mn)■SU_m×SU_n群的同位标因子及六夸克系统物理基与对称基变换系数[C].第五次核物理会议资料汇编（下册）.1982