豆鹏飞:镥(Ⅲ)离子印迹聚合物的制备及表征研究论文

豆鹏飞:镥(Ⅲ)离子印迹聚合物的制备及表征研究论文

本文主要研究内容

作者豆鹏飞(2019)在《镥(Ⅲ)离子印迹聚合物的制备及表征研究》一文中研究指出:分子印迹技术是近些年发展起来的一种新的分子识别技术,如今已成为当前研究的热点之一。通过分子印迹技术获得的分子印迹聚合物具有选择性高、稳定性好及制备简单等特点。本文介绍了一种新的镥离子印记聚合物合成的方法,即以镥(Ⅲ)离子作为模板,4-乙烯基吡啶(4-VP)、乙酰丙酮(Hacac)和镥(Ⅲ)形成的三元配合物为功能单体、乙二醇二甲基丙烯酸酯(EDMA)为交联剂,采用传统方法——本体聚合法合成镥(Ⅲ)离子配位分子印迹聚合物。本文研究了镥(Ⅲ)离子印迹聚合物对镥(Ⅲ)离子的吸附性,并分别用紫外、红外及X射线衍射(XRD)对其进行了系统表征。结果表明,印迹聚合物对镥(Ⅲ)离子具有良好的亲和性,其饱和吸附量为Qmax=69.4mg/g,与实验所得的最大吸附量64.2mg/g基本相符。

Abstract

fen zi yin ji ji shu shi jin xie nian fa zhan qi lai de yi chong xin de fen zi shi bie ji shu ,ru jin yi cheng wei dang qian yan jiu de re dian zhi yi 。tong guo fen zi yin ji ji shu huo de de fen zi yin ji ju ge wu ju you shua ze xing gao 、wen ding xing hao ji zhi bei jian chan deng te dian 。ben wen jie shao le yi chong xin de lu li zi yin ji ju ge wu ge cheng de fang fa ,ji yi lu (Ⅲ)li zi zuo wei mo ban ,4-yi xi ji bi ding (4-VP)、yi xian bing tong (Hacac)he lu (Ⅲ)xing cheng de san yuan pei ge wu wei gong neng chan ti 、yi er chun er jia ji bing xi suan zhi (EDMA)wei jiao lian ji ,cai yong chuan tong fang fa ——ben ti ju ge fa ge cheng lu (Ⅲ)li zi pei wei fen zi yin ji ju ge wu 。ben wen yan jiu le lu (Ⅲ)li zi yin ji ju ge wu dui lu (Ⅲ)li zi de xi fu xing ,bing fen bie yong zi wai 、gong wai ji Xshe xian yan she (XRD)dui ji jin hang le ji tong biao zheng 。jie guo biao ming ,yin ji ju ge wu dui lu (Ⅲ)li zi ju you liang hao de qin he xing ,ji bao he xi fu liang wei Qmax=69.4mg/g,yu shi yan suo de de zui da xi fu liang 64.2mg/gji ben xiang fu 。

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  • 论文详细介绍

    论文作者分别是来自橡塑技术与装备的豆鹏飞,发表于刊物橡塑技术与装备2019年12期论文,是一篇关于印迹聚合物论文,本体聚合法论文,吸附性论文,表征论文,橡塑技术与装备2019年12期论文的文章。本文可供学术参考使用,各位学者可以免费参考阅读下载,文章观点不代表本站观点,资料来自橡塑技术与装备2019年12期论文网站,若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权,请联系我们删除。

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