论文摘要
在铁电随机存储器(FeRAM)中,信息存储在铁电薄膜的极化方向中,由极化翻转电流读取信息。这就要求铁电薄膜具有以下特征:剩余极化强度值Pr要大,以便从小面积电容上可以得到较大的极化翻转电流;矫顽电场Ec要小,以使FeRAM可以在低电压下操作;疲劳和印迹要小,疲劳指多次翻转后剩余极化强度变小,而印迹指在两个方向上极化不对称。至今为止,在上述FeRAM要求的条件下,已经有多种铁电材料被研究。其中,主要有三种重要的材料可以用于FeRAM:PbZrxTi1-xO3(PZT),SrBi2Ta2O9(SBT)和(Bi,La)4Ti3O12(BLT)。PZT具有较大的Pr值,晶化温度低于650oC,但其存在严重的问题如含铅,疲劳和印迹;SBT最大的优点是疲劳、印记和保持特性优于PZT,但晶化温度较高,Pr值较小;BLT是在钛酸铋(Bi4Ti3O12,BTO)中Bi由部分La取代形成的,由于晶化温度低、抗疲劳性能好,在FeRAM及电光器件方面有广泛的应用前景。为进一步改善薄膜的物理性能,可以对BTO薄膜进行掺杂改性。本论文主要做了以下几个方面的工作。1. LaNiO3(LNO)薄膜材料与大多铁电材料一样具有钙钛矿结构,晶格失配小,可以实现较好的晶体学兼容,而且以LNO薄膜用作下电极还可以改善疲劳特性。本文在热分析的基础上,通过控制热分解温度,采用溶胶凝胶法制备得到了两种择优取向的LNO薄膜。结果发现,较低的热分解温度下得到(110)择优取向的LNO薄膜,而较高的热分解温度下得到(200)择优取向的LNO薄膜。同时,在固定热分解温度时,改变烘烤温度,发现烘烤温度对择优取向影响不大。2.以具有(110)和(200)两种不同择优取向的LNO薄膜作为下电极,从而生长不同择优取向的Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)薄膜,并研究了BLT取向对极化强度、矫顽场、漏电流的影响。研究发现,c轴择优取向的BLT薄膜具有较大的剩余极化强度Pr、较小的漏电流,而择优取向对矫顽场的影响不大。3.在BTO薄膜中掺入In,通过透射光谱的测试,研究了In掺入对光学性质的影响。发现,In掺入可以增大可见和近红外区的透过率,减小了光学带隙Eg、线性折射率n和消光系数k。按照单电子振荡模型,计算得到光学参数如单电子振动能E0、色散能Ed、长波折射率n∞、平均振动波长λ0、平均振子强度S0、折射率色散参数E0/S0和化学键参量β等。
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