论文摘要
压电马达是一种重要的压电叠层器件,在微电子领域有着广泛的应用。为了提高压电马达的响应速度和位移量,要求压电陶瓷是具有较低机械品质因数的软性压电陶瓷。而软性压电陶瓷的低温烧结一直是PZT陶瓷材料的难点。所以本文针对这一问题,选取Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zr,Ti)O3(PZN-PZT)体系压电陶瓷作为研究对象,从陶瓷制备工艺,材料基本配方和氧化物掺杂改性这几方面进行研究,从而达到提高陶瓷性能、降低陶瓷烧结温度的目的。本文首先对材料的制备工艺进行研究,通过调节材料的预烧温度,陶瓷的致密性和压电性能提高明显。通过改善材料的球磨工艺,球磨粉料的粒径从0.91μm下降到了0.72μm,粉料粒径低的样品在烧结时具有更高的活性,因而球磨工艺的改善提高了陶瓷的铁电性与压电性。通过对不同生产厂家原料的使用,发现陶瓷的原材料对陶瓷性能也有较大的影响。最终,陶瓷制备工艺的改进提高了陶瓷的压电性能,材料的压电系数d33从340pC/N提升到527pC/N,平面机电耦合系数k31从0.31提升到了0.37。在确定陶瓷制备工艺的基础上,本文讨论了PZN-PZT的基本配方对材料性能的影响。通过PZN-PZT陶瓷体系中铌锌酸铅的含量的研究,明确了在0.3Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.7Pb(Zr,Ti)O3处陶瓷的性能达到最优。之后改变PZN-PZT陶瓷的锆钛比,使材料位于准同型相界处。最后对陶瓷中Pb元素的含量进行研究,发现Pb元素含量在刚好满足材料的化学计量比时性能最佳。明确了PZN-PZT陶瓷的基本配方后,本文研究了Li2CO3掺杂和Sm2O3掺杂对材料性能的影响。Li2CO3掺杂可以使材料的烧结温度从1125℃下降到950℃,并且陶瓷的压电性能没有明显的下降。但是,当陶瓷的烧结温度低于950℃时,材料的压电性能会大幅下降。Sm2O3掺杂可以提高900℃烧结的陶瓷样品的压电性能。最终,烧结温度为900℃时陶瓷的最佳性能参数为:d33=483pC/N,k31=0.376,Qm=73.09,εr=2524,tanδ=0.0178。
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