论文题目: 双势垒抛物量子阱结构中的电子隧穿
论文类型: 博士论文
论文专业: 理论物理
作者: 宫箭
导师: 梁希侠
关键词: 抛物量子阱,共振隧穿,隧穿寿命,电子声子相互作用,磁隧穿
文献来源: 内蒙古大学
发表年度: 2005
论文摘要: 本文详尽研究AlxGa1-xAs材料构成的双势垒抛物量子阱中的电子隧穿问题,详细讨论了外加电磁场和电-声子相互作用对电子隧穿的影响,讨论了隧穿动力学的一些相关问题。 横向磁场对电子隧穿过程的影响较为复杂,主要原因是由于电子横向动量守恒被破坏。我们采用转移矩阵和数值计算相结合的方法,引入有效势概念,计算了横向磁场作用下,通过几种典型抛物量子阱结构的隧穿系数。我们发现磁场对于结构尺寸大的抛物阱影响较大,随磁场增加,共振峰向高能区移动,说明磁场使阱内束缚能级提高,同时我们就回旋中心在入射垒边、阱中心和出射垒边三种情况,利用Esaki模型计算了隧穿电流。通过比较,我们认为,回旋中心在阱中心位置体现了平均效果,更能代表实验情况。磁场将阻碍电子隧穿,其效果是使电流峰值下降并且向高偏压位置移动,这些理论结果与实验相一致。 基于讨论通过双势垒抛物量子阱结构隧穿动力学的需要,给出了含时Schr（?）dinger方程数值解,采用波包散射理论计算了电子隧穿时间。习惯上人们利用电子在阱内的延迟常数来表征隧穿时间特性,我们也证实在一些情况下这一做法是不严格的,因为电子在阱区内的几率需要经过一段时间（构建时间）才能达到极大值,然后指数衰减。构建时间对结构参数的依赖较弱,但隧穿寿命随阱宽和垒厚的减小而迅速衰减,这样就导致对于小尺寸的抛物阱结构构建时间和隧
论文目录:
中文摘要
英文摘要
第一章 绪论
1．1 国内外研究现状
1．2 本文主要研究内容及安排
第二章 均匀横磁场作用下抛物量子阱结构的共振隧穿
2．1 理论模型
2．2 数值计算与讨论
2．3 结论
第三章 抛物量子阱结构的波包隧穿时间
3．1 理论模型
3．2 数值计算与讨论
3．3 结论
第四章 双势垒抛物量子阱结构的局域LO声子辅助隧穿
4．1 波函数和共振隧穿
4．2 声子辅助隧穿电流
4．3 结论
第五章 双势垒抛物量子阱结构的LO声子辅助磁隧穿
5．1 理论模型
5．2 数值计算与讨论
5．3 结论
参考文献
致谢
攻读学位期间发表和完成的论文
发布时间: 2005-12-05
参考文献
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