论文摘要
本文采用过滤阴极真空电弧沉积系统制备掺氮非晶金刚石薄膜,开展对掺杂工艺控制、薄膜光电性能和结构表征以及掺杂机制的研究,获得性能优异的光电薄膜材料,并将其用作锗红外窗口除霜增透保护膜和碳基薄膜太阳能电池。具体工作如下:采用XPS和Raman光谱分别对不同含N量的ta-C:N膜的组分和微观结构进行分析。实验表明:随着氮气流速从0增加到24sccm,薄膜中氮原子含量单调增加到最大值为4.1%,此后随氮气流速增加到48sccm,薄膜中氮原子含量有所减少。在XPS C 1s芯能谱中,sp2/sp3出现先增大后减小的变化趋势,当氮气流速为36sccm时,薄膜中sp2/sp3比例达到最大值。XPS N 1s芯能谱说明了氮原子主要于sp2的杂化形式存在。在Raman光谱中,随着氮气流速的增加,G峰峰位一直向低频率区偏移,而D峰则先向高频率区偏移,当氮气流速达到32sccm时,D峰峰位达到最大值,随着氮气流速的继续增加,D峰峰位则不断下降。同时ID/IG值也出现了先增大后减小的现象。当氮气流速为32sccm和36sccm时,ID/IG达到最大值。采用FTIR光谱、紫外可见光分度计和电阻测试系统分别对不同氮含量的ta-C:N薄膜的光学常数和电导性能进行测试。实验表明:当氮原子含量少于4.1at%时,ta-C:N薄膜在312μm、近红外波段和可见光波段基本保持较高的透过率,同时薄膜的电阻率发生明显的变化。当氮原子含量为4.1at%时,薄膜的电阻率达到最小值为6.5×10-5?/S。试验数据显示:掺氮非晶金刚石薄膜是一种N型半导体。采用过滤阴极真空电弧沉积系统在锗基底上制备非晶金刚石薄膜作为锗红外窗口的除霜增透保护膜。镀完膜后试样在波长为3.44.5微米的波段内,透过率由50%提高到65%,取得良好的增透效果。用电压为15V的恒压源对其进行通电1530分钟后,膜系的表面温度提高510℃,达到除霜的效果。采用过滤阴极真空电弧沉积系统在铝膜上制备四面体非晶碳薄膜太阳能电池。由掺氮四面体非晶碳薄膜构成n层膜,由掺硼四面体非晶碳构成p层膜。光伏曲线测试结果显示,在铝膜上制备的太阳能电池具有一定的光伏特性。
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标签:掺氮非晶金刚石薄膜论文; 锗红外窗口论文; 除霜论文; 增透论文; 太阳能电池论文;