论文摘要
本文介绍了利用脉冲激光分子束外延技术(L-MBE)生长LaAlO3/BaTiO3(LAO/BTO)超晶格薄膜,并首次发现其具有比相同工艺条件下生长的SrTiO3/BaTiO3 更优良的电学性能,其介电损耗比SrTiO3/BaTiO3 超晶格薄膜至少小一个数量级。更重要的是LAO/BTO 超晶格薄膜具有明显的铁电性能,其2Pr可达到25μc/cm2。由于超晶格薄膜的性能决定于生长和结构,因此,在薄膜生长过程中,我们首先利用高能电子衍射技术(RHEED)对LAO/BTO 超晶格薄膜的生长进行研究,然后再利用X 射线衍射技术对其结构进行分析。X 射线谱中的一系列卫星峰表明了典型的LAO/BTO 多层膜结构的形成,而明亮清晰的RHEED 衍射条纹说明了LAO/BTO 超晶格薄膜的高质量的外延生长。通过LAO/BTO 超晶格薄膜的小角X 射线衍射曲线与其拟合曲线的对比,我们得出了超晶格薄膜的界面粗糙度,其最小可达1?,达到原子级平整度。同时通过对LAO 和BTO 层不同界面粗糙度以及不同层的RHEED 衍射图像的分析得出:具有较大晶格常数的BTO层在水平压应力的作用下其表面粗糙度较大;而在水平张应力作用下,具有较小晶格常数LAO 层的表面粗糙度较小。在成功生长出高质量外延LAO/BTO超晶格薄膜的基础上,我们对LAO/BTO超晶格薄膜铁电性能的可控性进行了研究。首先,在超晶格结构的顶部增加LAO顶层薄膜,有效的把超晶格薄膜界面处的应力控制在超晶格薄膜内部,减小了应力的释放,同时LAO 顶层薄膜还防止超晶格薄膜与金属上电极之间相互扩散,从而改善了LAO/BTO 超晶格薄膜的铁电性能。其次,通过改变LAO/BTO 超晶格薄膜的单层厚度的研究发现,具有4/4周期结构的超晶格薄膜的铁电性能最强,这一结果与XRD 衍射曲线中具有4/4 周期结构的超晶格薄膜的晶格应变最大相一致,说明晶格应变对铁电超晶格薄膜的电学性能起主要作用,同时,这也说明了通过控制超晶格薄膜的周期结构,可以有效的控制铁电超晶格薄膜的铁电性能。最后,我们通过改变LAO/BTO 超晶格薄膜的结构对称性,发现在一定BTO层厚度的条件下,增加LAO 层的厚度,超晶格薄膜的铁电性能开始逐渐增加,这进一步说明了在铁电超晶格薄膜中界面应力对超晶格薄膜电学性能具有重要影响。
论文目录
相关论文文献
- [1].Ⅱ类超晶格红外探测器的机理、现状与前景[J]. 红外技术 2011(06)
- [2].石墨烯莫尔超晶格[J]. 物理学报 2015(07)
- [3].中科大空间限域生长策略制备石墨烯基超晶格材料取得重要进展[J]. 功能材料信息 2014(04)
- [4].应变超晶格系统的共振行为及其动力学稳定性[J]. 物理学报 2010(08)
- [5].我国掌握超晶格密码新技术[J]. 今日科苑 2018(10)
- [6].BaTiO_3/LaAlO_3铁电超晶格中耗散因子与性能的关系[J]. 电子元件与材料 2008(04)
- [7].传输矩阵法和图解法计算二类超晶格能带结构[J]. 半导体光电 2012(02)
- [8].Ⅱ型超晶格InAs/GaInSb红外探测材料[J]. 激光与红外 2008(08)
- [9].一维石墨烯超晶格上的氢吸附[J]. 物理学报 2014(19)
- [10].应变超晶格中粒子运动的混沌不稳定性[J]. 半导体光电 2018(03)
- [11].分子束外延InAs/GaSb Ⅱ类超晶格的缺陷研究[J]. 激光与红外 2016(09)
- [12].一维超晶格中超冷费米气体的量子相变[J]. 山西大学学报(自然科学版) 2015(01)
- [13].弱磁场下光学超晶格中自旋1凝聚体的量子相[J]. 河南师范大学学报(自然科学版) 2011(05)
- [14].YSZ/STO/YSZ-STO超晶格电解质薄膜低温电学特性[J]. 真空科学与技术学报 2015(01)
- [15].BaTiO_3/SrTiO_3(1∶1)有序超晶格的第一性原理研究[J]. 计算物理 2015(04)
- [16].InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测技术[J]. 红外与激光工程 2011(04)
- [17].超晶格密码的研究进展[J]. 科学通报 2020(Z1)
- [18].二类超晶格红外光电材料研究与应用[J]. 中国基础科学 2019(01)
- [19].InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测技术研究进展[J]. 激光与红外 2016(06)
- [20].BTO/LAO超晶格性能研究[J]. 电子科技大学学报 2008(S1)
- [21].InAs/GaInSb超晶格薄膜结构与电学性能[J]. 发光学报 2015(11)
- [22].锑基二类超晶格中波红外焦平面探测器技术[J]. 激光与红外 2014(03)
- [23].四层结构模型下的InAs/GaSb超晶格材料能带计算[J]. 红外与毫米波学报 2013(01)
- [24].用于红外探测的短周期InAs/GaSb超晶格材料的生长[J]. 红外与毫米波学报 2011(06)
- [25].一种铁电超晶格的制备及其性能分析[J]. 厦门理工学院学报 2017(05)
- [26].长波段InAs/GaSb超晶格材料的分子束外延研究[J]. 航空兵器 2013(02)
- [27].a-Si/a-SiN_x超晶格材料光学特性[J]. 功能材料与器件学报 2009(03)
- [28].不同周期厚度的1 eV GaNAs/InGaAs超晶格太阳电池材料的MBE生长和器件特性[J]. 中国科学:物理学 力学 天文学 2015(03)
- [29].侧向YIG/YAG超晶格表面极化子与体连续模式的研究[J]. 齐齐哈尔大学学报(自然科学版) 2014(04)
- [30].InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测技术[J]. 红外与激光工程 2011(05)