导读:本文包含了器件封装论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:球栅阵列,振动,弯曲变形
器件封装论文文献综述
何国华,周凤龙,符云峰[1]（2019）在《球栅阵列封装器件振动弯曲变形工艺实验研究》一文中研究指出开展了随机振动环境条件下PCB板动态弯曲行为对球栅阵列封装器件焊点可靠性影响研究;通过评估PCB板固有频率计算印制板最大动态弯曲挠度,并利用连接器压接机改进与优化设计开展试验件弯曲变形试验。最终通过电性能测试与金相剖切方法评估振动弯曲对球栅阵列封装器件焊点界面影响。(本文来源于《科技创新与应用》期刊2019年34期）
张一鸣,邓二平,赵志斌,崔翔,唐新灵[2]（2019）在《压接型IGBT器件封装内部多物理场耦合问题研究概述》一文中研究指出压接型绝缘栅双极型晶体管(insulatedgatebipolar transistor,IGBT)器件相对传统焊接式IGBT模块而言具有功率密度大、可靠性高、易于串联和失效短路等优点,现已逐步应用到高压直流输电等高压大功率应用场合。在压接型IGBT器件中,各组件通过外施压力堆迭在一起形成电学和热学接触,内部除温度场和电磁场外,还需考虑应力场的作用,各场通过耦合变量形成联系,构成了一个复杂、非线性的多物理场耦合问题,给建模与计算带来了巨大挑战。该文对近年来国内外压接型IGBT器件多物理场耦合问题的研究现状进行综述,建立多物理场问题的数学描述,并梳理考虑多子模组相互作用的耦合关系,提炼多物理场耦合问题中的难点,即耦合关系的建模及对比分析、多物理场耦合问题的准确描述与简化及多物理场耦合算法的改善等。文中针对这些难点,在总结现有研究成果的基础上,指出今后需要深入研究的重点问题,借鉴相关领域研究成果,给出可能的解决方案。(本文来源于《中国电机工程学报》期刊2019年21期）
周忠伟,郭向茹,毛林山,方荣虎,喻召福[3]（2019）在《芯片级封装大功率LED器件的二次光学设计及应用》一文中研究指出针对当前直下式液晶显示器存在的光度不均匀(Mura)及厚度偏大的现象,本文从原理上分析了该现象产生的原因,主要在于LED灯珠的出光角度较小通过分析二次光学透镜的出光原理并采用Lighttools光学模拟软件设计出具有较大出光角度的二次光学透镜采用分布式光度计系统测试该透镜的实际出光角度为198.6°,相比普通透镜提高了41.8%,将其应用在32寸超薄液晶显示器中实现了良好的显示效果。(本文来源于《电子产品世界》期刊2019年11期）
戴超,陈向荣[4]（2019）在《碳化硅IGBT电力电子器件封装和绝缘研究综述》一文中研究指出基于传统Si(碳)材料的制约和宽禁带材料SiC(碳化硅)的大力发展,对电力电子的发展、电力电子器件的结构和封装工艺、电力电子器件的检测技术以及电力电子绝缘材料的研究进行了梳理。主要的检测技术是局部放电和电树枝测量技术,而对于材料介电性能的研究方法包括击穿强度、介电常数、电导率、时域介电弛豫等。对于材料理化性能主要是采用扫描电镜、超声波扫描显微镜、傅里叶红外光谱、热失重、差式扫描热分析等研究手段。(本文来源于《浙江电力》期刊2019年10期）
刘乐[5]（2019）在《功率半导体器件封装技术的新趋势分析》一文中研究指出功率半导体体积较小、输出功率非常大,在现代制造行业当中有着非常广泛的应用,对其封装技术进行讨论,有利于全面提高功率半导体器件应用的有效性。基于此,本文主要分析功率半导体器件封装当中的关键技术,并结合具体的器件封装发展情况,分析这种封装技术的新趋势。(本文来源于《科学技术创新》期刊2019年30期）
王玉龙,王威,石宝松,张艳鹏,张伟[6]（2019）在《宇航产品CCGA封装器件高可靠组装工艺研究及进展》一文中研究指出陶瓷柱栅阵列封装器件(CCGA)由于其诸多的技术优势,在高可靠性产品中大量被选用。本文以XQR2V3000-CG717 (铅柱为Pb80/Sn20)为例开展了高可靠性组装工艺研究工作,详细论述了组装工艺及环境应力试验过程并开展了可靠性分析,从最终的试验结果看,CCGA器件焊接后,焊料与PCB焊盘及焊柱间润湿良好;焊料与焊盘间形成的合金层均匀连续,厚度在0.5μm-3.0μm之间,均匀处约在1μm左右,从形貌上看,基本以Cu_6Sn_5的典型扇贝状形貌呈现,均未见明显的Cu_3Sn形成;说明焊接工艺(温度、时间)较为适宜,CCGA器件焊接工艺良好、稳定。(本文来源于《2019中国高端SMT学术会议论文集》期刊2019-10-25）
王鹏飞,李昂震[7]（2019）在《回音壁模式光学微腔器件的封装与集成》一文中研究指出回音壁模式微腔器件在现代光学中扮演着十分重要的角色,在高灵敏度传感、低阈值激光器等领域具有广泛的应用前景.然而基于回音壁模式微腔的光学系统容易受到振动、温湿度变化等外界环境干扰,这些问题为其实用化带来巨大挑战.近年来回音壁模式微腔器件的实用化问题日益受到关注,大量相关研究被报道.本文简要介绍了关于回音壁模式光学微腔器件封装和集成的最新研究进展.(本文来源于《光子学报》期刊2019年11期）
盛况,董泽政,吴新科[8]（2019）在《碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望》一文中研究指出碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作为一种宽禁带器件,具有耐高压、高温,导通电阻低,开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战:传统封装杂散电感参数较大,难以匹配器件的快速开关特性;器件高温工作时,封装可靠性降低;以及模块的多功能集成封装与高功率密度需求等。针对上述挑战,论文分析传统封装结构中杂散电感参数大的根本原因,并对国内外的现有低寄生电感封装方式进行分类对比;罗列比较现有提高封装高温可靠性的材料和制作工艺,如芯片连接材料与技术;最后,讨论现有多功能集成封装方法,介绍多种先进散热方法。在前面综述的基础上,结合电力电子的发展趋势,对SiC器件封装技术进行归纳和展望。(本文来源于《中国电机工程学报》期刊2019年19期）
文惠东,张代刚,刘建松,徐士猛[9]（2019）在《热学环境下2.5D封装器件60Pb40Sn互连焊点可靠性研究》一文中研究指出2.5D封装具有信号传输快、封装密度高等特点,被广泛应用于高性能集成电路封装工艺中。目前2.5D器件在互连焊点方面通常采用无铅焊料,不满足宇航用器件含铅量不低于3%的要求。采用60Pb40Sn焊料作为2.5D封装器件中硅转接基板与上层芯片之间互连焊点,评估了60Pb40Sn焊点的互连可靠性,结果显示器件在1000次-65～150℃温度循环、1000 h 150℃稳定性烘焙、500次-65～150℃热冲击后互连合格,初步证实了60Pb40Sn焊料在2.5D封装器件应用的可行性。(本文来源于《电子与封装》期刊2019年09期）
文惠东,黄颖卓,林鹏荣,练滨浩[10]（2019）在《陶瓷封装倒装焊器件热学环境可靠性评估》一文中研究指出陶瓷封装倒装焊器件在应用过程中往往面临大温差、湿热、高温等外部环境,为了满足其应用要求,必须进行充分的热学环境可靠性评估。以陶瓷封装菊花链倒装焊器件为研究对象,进行温度循环、强加速稳态湿热(HAST)、高温存储等考核试验,并通过超声扫描(C-SAM)、电子扫描显微镜(SEM)检测等手段对器件底部填充胶以及焊点界面生长情况进行分析。结果表明:未经底部填充的器件在经历200次温度循环后发生失效;底部填充器件在经历3 000次温度循环、792 h HAST以及1 000 h高温存储后,电通断测试以及超声扫描合格。实验结果对于促进国产陶瓷封装倒装焊器件的实际应用具有重要意义。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年09期）
器件封装论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
压接型绝缘栅双极型晶体管(insulatedgatebipolar transistor,IGBT)器件相对传统焊接式IGBT模块而言具有功率密度大、可靠性高、易于串联和失效短路等优点,现已逐步应用到高压直流输电等高压大功率应用场合。在压接型IGBT器件中,各组件通过外施压力堆迭在一起形成电学和热学接触,内部除温度场和电磁场外,还需考虑应力场的作用,各场通过耦合变量形成联系,构成了一个复杂、非线性的多物理场耦合问题,给建模与计算带来了巨大挑战。该文对近年来国内外压接型IGBT器件多物理场耦合问题的研究现状进行综述,建立多物理场问题的数学描述,并梳理考虑多子模组相互作用的耦合关系,提炼多物理场耦合问题中的难点,即耦合关系的建模及对比分析、多物理场耦合问题的准确描述与简化及多物理场耦合算法的改善等。文中针对这些难点,在总结现有研究成果的基础上,指出今后需要深入研究的重点问题,借鉴相关领域研究成果,给出可能的解决方案。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
器件封装论文参考文献
[1].何国华,周凤龙,符云峰.球栅阵列封装器件振动弯曲变形工艺实验研究[J].科技创新与应用.2019
[2].张一鸣,邓二平,赵志斌,崔翔,唐新灵.压接型IGBT器件封装内部多物理场耦合问题研究概述[J].中国电机工程学报.2019
[3].周忠伟,郭向茹,毛林山,方荣虎,喻召福.芯片级封装大功率LED器件的二次光学设计及应用[J].电子产品世界.2019
[4].戴超,陈向荣.碳化硅IGBT电力电子器件封装和绝缘研究综述[J].浙江电力.2019
[5].刘乐.功率半导体器件封装技术的新趋势分析[J].科学技术创新.2019
[6].王玉龙,王威,石宝松,张艳鹏,张伟.宇航产品CCGA封装器件高可靠组装工艺研究及进展[C].2019中国高端SMT学术会议论文集.2019
[7].王鹏飞,李昂震.回音壁模式光学微腔器件的封装与集成[J].光子学报.2019
[8].盛况,董泽政,吴新科.碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望[J].中国电机工程学报.2019
[9].文惠东,张代刚,刘建松,徐士猛.热学环境下2.5D封装器件60Pb40Sn互连焊点可靠性研究[J].电子与封装.2019
[10].文惠东,黄颖卓,林鹏荣,练滨浩.陶瓷封装倒装焊器件热学环境可靠性评估[J].半导体技术.2019