论文摘要
密实SnO2电极陶瓷材料具有良好导电性能和抗玻璃液侵蚀性能,是玻璃电熔技术的关键组成部分。论文以SnO2、CuO、Sb2O3粉体为原料,采用无压烧结技术制备含CuO与Sb2O3复合添加剂的SnO2基电极陶瓷材料,并系统研究其相关性能。烧结致密化研究表明,CuO的最佳添加量为0.5~1.0mol%。当CuO含量为0.5或1.0mol%,Sb2O3含量不宜超过CuO。SnO2-CuO-Sb2O3电极陶瓷的烧结致密化有两种情况:一是当Sb2O3含量少于CuO含量时,在晶界区域的CuO在高温时产生富铜的液相起到粘结作用占主导地位,促进SnO2基陶瓷烧结致密化;二是当Sb2O3含量多于CuO含量时,与SnO2发生固溶反应占主导地位,抑制SnO2基陶瓷烧结致密化。电学性能测量结果表明,SnO2-1.0mol%CuO-1.0mol%Sb2O3电极陶瓷具有良好的综合导电性能,其室温温电阻率为5.87×10-2Ω·cm,700℃中温电阻率为5.96×10-3Ω·cm。当SnO2-CuO-Sb2O3。陶瓷材料未烧结致密时,增加CuO含量,增加载流子迁移率,进而导致电阻率降低;当SnO2-CuO-Sb2O3陶瓷材料已烧结致密时,增加CuO含量增加晶界富Cu相的厚度,使得载流子迁移率下降,从而导致电阻率升高。力学强度测量结果表明,当Sb2O3含量不超过CuO含量时,Sb2O3的加入增加了SnO2-CuO-Sb2O3基电极陶瓷的抗弯强度,主要原因是与SnO2发生的固溶反应导致了晶粒的细化。SnO2-0.5mol%CuO-0.25mol%Sb2O3电极陶瓷材料的抗弯强度达到最高值190MPa。采用玻璃液侵蚀静态测量方法测量SnO2-CuO-Sb2O3基电极陶瓷在1200℃的钠钙玻璃液的侵蚀速率,结果表明SnO2-CuO-Sb2O3基陶瓷具有良好的抗玻璃液侵蚀能力。当Sb2O3的含量在0.1~1.0mol%时,SnO2-1.0mol%CuO-Sb2O3基电极陶瓷玻璃液侵蚀速率在3~4×10-4mm/h之间。
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