导读:本文包含了和的掺杂论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:氮氧比,施主,受主,光电性能
和的掺杂论文文献综述
高立华,高松华,陈礼炜[1]（2019）在《不同氮氧比对N掺杂ZnO:Al薄膜结构及光电性能的影响》一文中研究指出采用射频磁控溅射技术,在不同氮氧比条件下,经过退火处理制备了N掺杂ZnO∶Al薄膜。对样品进行X射线衍射(XRD)、探针扫描显微镜(FAM)、透过率和电阻测试。结果表明:薄膜表面呈现柱状结构,当氮氧比为9∶1时,c轴择优取向最强。在可见光(500～800 nm)范围内,平均透过率都达到了90%以上。随着氮氧比增大,薄膜电阻先增大后减小,后又略微增大。当氮氧比由3∶1增加到9∶1时,由于N作为施主和受主掺杂的浓度不同,薄膜实现了由n型导电转变为p型导电。(本文来源于《新乡学院学报》期刊2019年12期）
温恒瑶,龙文元[2]（2019）在《Ti掺杂量对Nb-Si基合金抗氧化性的影响》一文中研究指出添加Ti元素能有效地提高Nb-Si基合金的抗氧化性,但对于其机理仍缺少一些理论上的解释。采用第一性原理的方法研究了Ti掺杂Nb/Nb_5Si_3基合金氧化过程中存在的几种重要点缺陷杂质。结果表明:当Ti掺杂量为0～15.6 at%时,Nb/Nb_5Si_3复合基合金中的形成能逐渐降低,当Ti掺杂含量为15.6 at%时,达到最稳定的状态;当Ti掺杂量为15.6 at%～25 at%时,Nb/Nb_5Si_3复合基合金的稳定性逐渐降低,对抗氧化性能造成不利影响;O杂质和Si空位的形成能当Ti掺杂量为15.6 at%时达到最高,说明Ti能更有效地降低氧扩散及空位缺陷的进入,从而提高了Nb/Nb_5Si_3基合金的抗氧化性能。(本文来源于《材料热处理学报》期刊2019年12期）
杨洋,何亮,张亚男,龙云飞,苏静[3]（2019）在《微通道反应器共沉淀法制备钴掺杂一氧化锰及其储锂性能》一文中研究指出以乙酸锰、乙酸钴、草酸为原料,采用微通道反应器共沉淀法合成了花朵状的钴掺杂氧化锰(Mn_(1-x)Co_xO)锂离子电池负极材料。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)对电极材料的结构、形貌和元素状态进行了表征。采用恒流充放电测试和电化学工作站研究了钴不同掺杂量对一氧化锰负极材料电化学性能的影响。研究发现,随着钴掺杂量逐渐增加,Mn_(1-x)Co_xO由棒状演变为花朵状结构,比容量随着钴掺杂量增加先增加后下降。合成的Mn_(0.95)Co_(0.05)O在5C倍率下循环200次后放电比容量为496.7 mA·h/g,与未掺杂的一氧化锰相比其比容量提高约40.0%,显示出较好的电化学性能。(本文来源于《无机盐工业》期刊2019年12期）
鲁韶芬,邱军,张丛丛,刘力嘉,夏蕾[4]（2019）在《胶体碳球为模板制备铝掺杂二氧化钛空心微球及其表征》一文中研究指出采用新型的绿色模板—胶体碳球作为模板,廉价的硝酸铝为铝源,TiCl_4溶液为原料,制备了铝掺杂的二氧化钛微球,并通过引入聚丙烯酰胺和聚丙烯酸可控制备了双层二氧化钛微球,克服了二氧化钛材料的热稳定性随比表面积的增大而降低的缺陷,实现高稳定性和高表面积的兼容,提高二氧化钛的实用性。(本文来源于《青岛科技大学学报(自然科学版)》期刊2019年06期）
范潆方[5]（2019）在《掺杂原子的电子自旋态对铁酸铋改性的第一性原理研究》一文中研究指出在过去的几十年中,铋铁氧体作为一种多铁性材料脱颖而出,并且因其独特的性质而备受关注。块状BiFeO_3(BFO)的基态具有菱方扭曲的钙钛矿结构,这种结构源自Bi阳离子位移和FeO_6八面体倾斜。因此,该氧化物构成了极少数的情况,即铁电性和反铁磁性共存于低温。大的自发极化(90-100μC/cm~2)和倾斜的G型反铁磁结构使BFO成为最具话题的多铁性材料。众所周知,离子取代是改变材料性质的有效方法。由于弱铁磁性限制了BFO的实际应用,许多尝试都集中在Bi或Fe位置进行化学掺杂以调制其螺旋磁结构。在各种掺杂剂中,过渡金属(TM)离子(通常在Fe位点掺杂)由于交换相互作用和自旋多样性而对磁性有着重要的影响,引起了各界的关注。本文主要采用第一性原理计算方法,并结合实验手段,研究过渡金属掺杂BFO对体系性质的影响。研究的体系以及主要结论概括如下:(1)本项工作中,一个30原子的BFO超晶胞被构建用于第一性原理计算,其中有一个Fe原子被Ni原子取代,相当于掺杂浓度为16.7%。计算采用的平面波方法为投影缀加波(PAW),交换关联泛函采用的是广义梯度近似的GGA-PBE方法。从计算结果可以看出,中间自旋态(IS)的Ni~(2+)可以破坏BFO的自旋结构,并引入净磁矩。此外,虽然掺杂过后BFO体系的绝缘性遭到破坏,表现出半金属性,但因而具有了电子输运方面的潜在应用前景。(2)通过第一性原理计算方法在Co~(3+)掺杂的BFO中测试了Co~(3+)的各种自旋态,旨在揭示Co~(3+)自旋态转变在引入亚铁磁性中的作用。结果发现低自旋(LS)Co~(3+)对总磁矩的贡献远大于高自旋(HS)Co~(3+)(~3.914μB)。计算结果表明非磁性的LS Co~(3+)可以破坏BFO的摆线自旋结构。此外,LS Co~(3+)具有空的3d轨道,从而增强了p-d的共价性并增强了局部的亚铁磁性。Co~(3+)自旋态跃迁的可以从结构上归因于CoO_6八面体的变形。为了在实验中探究Co~(3+)掺杂的影响,8%Co~(3+)掺杂和未掺杂的BFO粉末被制备出来。从磁滞回线可以看出Co~(3+)的取代导致磁化的轻微增加,即HS Co~(3+)对BFO的磁性作出有限的贡献。(3)本项工作中,一个50原子的BFO超晶胞被构建用于第一性原理计算,其中有一个Fe原子被Co原子取代,一个Bi原子被Dy原子取代,相当于掺杂浓度为10%。其中,Co原子的磁矩分别被设置为与相邻Fe原子平行以及反平行。计算和实验结果均表明,Dy原子以及Co原子的掺入,使得体系的晶格发生畸变,从而改变了反铁磁自旋排列,并且形成Co和Fe离子的局部铁磁耦合,从而有效地增强了磁性(~6.9μB)。(本文来源于《南京邮电大学》期刊2019-12-09）
王丽,陈春梅,田树盛,黄子鹏,邵会民[6]（2019）在《用于辐射探测器的低Fe掺杂半绝缘InP材料》一文中研究指出基于半绝缘InP衬底的辐射探测器在X射线成像领域有着广阔的应用前景。半绝缘InP衬底中Fe的掺杂量对InP基辐射探测器的性能有一定的影响。通过液封直拉(LEC)法和垂直梯度凝固(VGF)法生长了掺Fe半绝缘InP单晶,并对普通Fe掺杂(0.3 g/kg)和低Fe掺杂的InP单晶的电参数特性、光学特性及辐射特性等方面进行了研究。测试数据表明VGF生长的InP单晶的位错密度小于500 cm~(-2),缺陷非常少。但VGF必须使用多晶InP作为原料,Fe的掺杂量不能低于0.3 g/kg,造成晶体中的杂质含量较高。低Fe掺杂LEC生长的InP单晶的掺杂量只有普通掺杂的一半,经过退火,低Fe掺杂LEC生长的InP的电阻率达到4.9×10~7Ω·cm,迁移率达到4 410 cm~2·V~(-1)·s~(-1),位错密度小于1×10~4 cm~(-2),显示出了较好的半绝缘特性且晶体质量良好。使用低Fe掺杂半绝缘InP制成的辐射探测器显示出了良好的性能。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年12期）
张楠,付姚,张常龙,史月,邢明铭[7]（2019）在《Ho~(3+)共掺杂对NaYTiO_4∶Er~(3+)发光粉上转换发光调控作用研究》一文中研究指出采用固相法于1 100℃下成功制备了钙钛矿结构NaYTiO_4∶Er~(3+), Ho~(3+)上转换发光粉。借助980 nm激光器系统研究了发光粉的上转换发光(UCL)特性及掺杂离子对UCL色纯度的调控作用。上转换发光测试结果表明,发光粉的上转换发光由波长位于525～560 nm的绿光和640～680 nm的红光组成,分别源于Er~(3+)的~2H_(11/2)、~4S_(3/2)→~4I_(15/2)跃迁和~4F_(9/2)→~4I_(15/2)跃迁。Ho~(3+)共掺杂会显着改变发光粉UCL的光谱组成。Er~(3+)离子单掺时,上转换发光以绿光为主。随着Ho~(3+)离子的引入,发光粉红光发射占据主导,且红绿光强度分支比(I_R/I_G)随Ho~(3+)浓度的提高由0.97增大到6.30,呈现优异红光色纯度。上述现象可归因于Er~(3+)→Ho~(3+)的能量传递。Ho~(3+)共掺杂引起的~4S_(3/2)(Er~(3+))+~5I_8(Ho~(3+))→~4I_(13/2)(Er~(3+))+~5I_6(Ho~(3+))过程,为Er~(3+)离子绿光的猝灭提供了渠道,随后Er~(3+)的~4I_(13/2)→~4F_(9/2)激发态吸收导致了红光发射的显着增强。(本文来源于《功能材料》期刊2019年11期）
张根吉,李伟,刘平,张柯,马凤仓[8]（2019）在《PTFE掺杂对叁价铬复合涂层的组织和力学性能的影响》一文中研究指出在电镀叁价铬过程中掺杂不同量的PTFE(聚四氟乙烯),形成叁价铬复合涂层,研究了不同浓度的PTFE粒子对叁价铬复合涂层的组织和力学性能的影响。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、纳米压痕仪和摩擦磨损试验机分别对叁价铬涂层的微观结构和力学性能进行表征和测试,结果表明,不同浓度的PTFE对叁价铬复合涂层的微观结构和力学性能影响显着。当镀液中PTFE掺杂量为12.5 mL/L、电流密度为35 A/dm~2、pH值约为2.0、温度为45℃、沉积时间为20 min时,所得叁价铬复合涂层具有最佳的综合性能,硬度达到6.8 GPa,摩擦系数为最低值0.28。(本文来源于《功能材料》期刊2019年11期）
王贵,王立坤,蔡文豪,杨静凯,赵洪力[9]（2019）在《Nb掺杂SnO_2电子特性与光学性能第一性原理研究》一文中研究指出使用第一性原理杂化泛函HSE06的方法对Nb掺杂SnO_2(NTO)的电子特性和光学性能进行了研究。计算得出NTO具有较小的结构畸变。本征SnO_2的直接带隙为3.80 eV,Nb掺杂使SnO_2的直接带隙减小,但大于3.33 eV。受Nb 4d轨道的影响,导带底的电子有效质量先减小后增加,并且导带向价带方向移动增加了电子亲和力。对其光学性能进行研究得出Nb掺杂扩宽了SnO_2的光学带隙,使红外光区的反射率增加。(本文来源于《功能材料》期刊2019年11期）
林佳宏,张斌,苏丽姣,郑笑笑,覃坤[10]（2019）在《Ag掺杂磁性Zn(OH)_2复合材料的制备》一文中研究指出通过配合物沉淀法制备了由贵金属Ag掺杂的磁性Zn(OH)_2复合材料,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、振动样品磁强计(VSM)对复合材料表征进行测试,并考察了在紫外光条件下复合材料对染料废水中亚甲基蓝(MB)的降解率,结果表明在光照4h时,Ag/Zn(OH)_2/Fe_3O_4对亚甲基蓝(MB)的降解率为86.91%。(本文来源于《当代化工研究》期刊2019年14期）
和的掺杂论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
添加Ti元素能有效地提高Nb-Si基合金的抗氧化性,但对于其机理仍缺少一些理论上的解释。采用第一性原理的方法研究了Ti掺杂Nb/Nb_5Si_3基合金氧化过程中存在的几种重要点缺陷杂质。结果表明:当Ti掺杂量为0～15.6 at%时,Nb/Nb_5Si_3复合基合金中的形成能逐渐降低,当Ti掺杂含量为15.6 at%时,达到最稳定的状态;当Ti掺杂量为15.6 at%～25 at%时,Nb/Nb_5Si_3复合基合金的稳定性逐渐降低,对抗氧化性能造成不利影响;O杂质和Si空位的形成能当Ti掺杂量为15.6 at%时达到最高,说明Ti能更有效地降低氧扩散及空位缺陷的进入,从而提高了Nb/Nb_5Si_3基合金的抗氧化性能。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
和的掺杂论文参考文献
[1].高立华,高松华,陈礼炜.不同氮氧比对N掺杂ZnO:Al薄膜结构及光电性能的影响[J].新乡学院学报.2019
[2].温恒瑶,龙文元.Ti掺杂量对Nb-Si基合金抗氧化性的影响[J].材料热处理学报.2019
[3].杨洋,何亮,张亚男,龙云飞,苏静.微通道反应器共沉淀法制备钴掺杂一氧化锰及其储锂性能[J].无机盐工业.2019
[4].鲁韶芬,邱军,张丛丛,刘力嘉,夏蕾.胶体碳球为模板制备铝掺杂二氧化钛空心微球及其表征[J].青岛科技大学学报(自然科学版).2019
[5].范潆方.掺杂原子的电子自旋态对铁酸铋改性的第一性原理研究[D].南京邮电大学.2019
[6].王丽,陈春梅,田树盛,黄子鹏,邵会民.用于辐射探测器的低Fe掺杂半绝缘InP材料[J].半导体技术.2019
[7].张楠,付姚,张常龙,史月,邢明铭.Ho~(3+)共掺杂对NaYTiO_4∶Er~(3+)发光粉上转换发光调控作用研究[J].功能材料.2019
[8].张根吉,李伟,刘平,张柯,马凤仓.PTFE掺杂对叁价铬复合涂层的组织和力学性能的影响[J].功能材料.2019
[9].王贵,王立坤,蔡文豪,杨静凯,赵洪力.Nb掺杂SnO_2电子特性与光学性能第一性原理研究[J].功能材料.2019
[10].林佳宏,张斌,苏丽姣,郑笑笑,覃坤.Ag掺杂磁性Zn(OH)_2复合材料的制备[J].当代化工研究.2019