导读:本文包含了寄生电阻论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:直流比较仪式电桥,标准电阻,寄生电势,不完全平衡法虚设零位
寄生电阻论文文献综述
吕光明[1]（2019）在《直流比较仪式电桥测量标准电阻时消除寄生电势影响方法的研究》一文中研究指出使用直流比较仪式电桥测量500Ω及以下电阻时,为了能使测量准确度达到百万分之一,必须消除寄生电势影响。本文从理论和操作上对消除寄生电势进行了论述,确保标准电阻测量时可基本消除寄生电势影响,以保证测量的准确性。(本文来源于《木工机床》期刊2019年03期）
万璐绪[2]（2019）在《基于半解析法的功率VD-MOS器件二维电势与源/漏寄生导通电阻特性研究》一文中研究指出在科学技术日新月异的今天,越来越多的电子产品进入我们的生活中,半导体器件作为电子产品的核心被广泛应用于数模集成电路和半导体存储器中。功率VD-MOS器件作为新一代半导体器件,被广泛运用于航空航天、汽车电子以及日用小型化设备上,在日常生活中扮演着越来越重要的角色。可是,随着大功率大电流的需求不断增大,如何在器件性能、器件的尺寸以及源/漏寄生导通电阻叁者之间做好平衡是目前功率器件设计与制造行业面临的最棘手的问题。因此,针对这叁者之间如何达到平衡的研究具有长远的意义。本文系统地建立了用于电路系统仿真的功率VD-MOS器件二维半解析模型。研究总共分为如下四个部分:首先,介绍了本文所研究的功率VD-MOS器件的使用场景以及相较于传统MOS器件的优缺点,并简要概括了功率VD-MOS器件源/漏寄生导通电阻的发展现状以及研究意义。还介绍了近年来国内外期刊关于功率VD-MOS器件导通电阻在理论分析、工艺制造以及新模型建立上的最新进展。其次,分析了功率VD-MOS器件的电气特性,简要介绍了器件的工作原理,通过对器件各组分电阻的介绍,详细说明了功率VD-MOS器件源/漏寄生导通电阻的影响因素和技术难点,还从理论上介绍了目前业内关于功率器件建模所采用的主要分析方法,包括数值计算方法、解析法和半解析法。然后,根据功率VD-MOS器件的源/漏寄生导通电阻特性和工作原理,将所建矩形等效元结构划分为电子积累区、JFET区、N-漂移区和衬底四个相对独立的区域;通过对每个区域内的载流子运动规律进行分析,确定稳恒场下的状态方程和边界条件,并在区域之间设置衔接条件。采用分离变量以及傅里叶正交变换的方法求解出所建模型各区域的二维电势方程半解析表达式。利用计算机求解所求得的方程组,将解出的结果回代到所求得的表达式中,获得所划分的各区域范围内的电势值,根据电流连续性方程,最终确定本次所求功率VD-MOS器件的源/漏寄生导通电阻。最后,利用中心差分法以及Silvaco器件仿真软件对所求寄生导通电阻和器件二维电势的结果进行比对。此外,还分析了器件的N-漂移区各参数对器件耐压的影响。本文所建立的功率VD-MOS器件二维半解析模型所得结果与中心差分法和仿真软件Silvaco进行了对比,最大误差为2.56%。半解析表达式可用作电路模拟器和功率VD-MOS器件特性的统一模型,也可用于具体工程实践中导通电阻的确定,所得电势模型对于功率VD-MOS的安全研究具有指导意义。(本文来源于《安徽大学》期刊2019-02-01）
常红,王亚洲,柯导明[3]（2018）在《短沟道MOSFET源漏寄生电阻的二维半解析模型》一文中研究指出根据金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的工作原理,在MOSFET的源/漏区域引入了矩形等效源,提出了源/漏电阻的二维定解问题。通过用分离变量法、傅里叶展开和积分方程相结合建立MOSFET源/漏电阻的二维半解析模型,得到了源/漏电阻与几何尺寸之间的关系。该模型避免了数值分析时的方程的离散化,且具有较高的精度。计算和仿真结果表明,模型计算出的源/漏电阻阻值接近于Silvaco的仿真值。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2018年04期）
赵江,顾培楼,张雷,陈珏,奚晟蓉[4]（2018）在《多晶硅表面前处理对嵌入式闪存器件寄生电阻的减小》一文中研究指出分析了一个发生在0.13μm嵌入式闪存芯片中振荡器电路模块失效的案例。通过研究发现此失效与作为门极的多晶硅与后段金属互联线之间金属钨导线的接触电阻(晶体管寄生电阻)有关,而金属钨导线的接触电阻大小在很大程度上取决于多晶硅表面刻蚀前处理工艺。通过对多晶硅表面前处理工艺的优化实验,探讨了金属钨导线接触电阻减小的方法。(本文来源于《电子与封装》期刊2018年03期）
鲁明亮,陶永春[5]（2018）在《一种提取纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻的恒定迁移率方法》一文中研究指出源/漏寄生电阻作为器件总电阻的一个重要组成部分,严重制约着纳米CMOS器件性能.随着纳米CMOS器件尺寸不断减小,源/漏寄生电阻占器件总电阻比例越来越高,已经成为衡量CMOS器件可靠性的一个重要参数.本文提出一种恒定沟道迁移率条件下提取纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻的方法.本方法通过测量固定偏压条件下一个器件的两条线性区I_d-V_(gs)曲线之比,推导出纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻,操作简单,精确度高,避免了推导过程中由沟道迁移率退化引入与器件栅长相关的误差.我们详细研究并选取合适外加偏压条件,保持推导过程中沟道迁移率恒定,确保源/漏寄生电阻值的稳定性.在固定外加偏压条件下,我们提取了45 nm CMOS工艺节点下不同栅长器件的源/漏寄生电阻值,结果表明源/漏寄生电阻值与栅长不存在直接的依赖关系.最后,我们研究了工艺过程和计算过程引入的波动并进行了必要的误差分析.(本文来源于《南京师大学报(自然科学版)》期刊2018年01期）
王亚洲[6]（2018）在《SOI MOSFET源/漏寄生电阻的二维半解析模型研究与仿真》一文中研究指出随着微电子工艺的进步与发展,平面MOS器件的尺寸早已进入纳米级。较小的器件尺寸极大的提高了 IC的集成度和性能。然而器件的诸如寄生效应、工作电压等实际上并不能按照等比例缩小定律等比例缩小,这会极大的影响器件的性能。为了降低因器件尺寸缩小而带来的各种寄生效应的影响,研究者们开发出SOI MOSFET这种器件,SOI MOSFET相对于平面MOSFET拥有很多优良的特性如避免了闩锁效应、寄生效应小、功耗低、易于集成。目前SOI MOSFET被认为是最适合应用于超大规模集成电路中的器件。对SOI MOSFET的诸多电学特性进行深入的分析研究,对于改善器件的性能很有意义。由于SOI MOSFET的小尺寸,沟道短的特点,其源/漏寄生电阻在总导通电阻中所占比重较大,对器件的性能影响不可忽视。因此能够准确地预测出SOI MOSFET器件的源/漏寄生电阻随器件结构参数的变化,建立一个简洁,准确,可预测性的源/漏寄生电阻模型对后续器件的研究,以及电路的设计意义重大,本文所做工作如下:首先,本文介绍了平面MOSFET和SOIMOSFET及其优缺点,分析了 SOI MOSFET源/漏寄生电阻研究的意义和研究现状,并且介绍了源/漏寄生电阻常用的研究方法,主要包括建模法和提取法。建模法介绍了解析法、数值法和半解析法。提取法介绍了沟道电阻法以及近年来研究者们提出的一些新型提取法。其次,本文针对源/漏区的特点提出了一种新的二维半解析模型,分两个区,对这两个区分别列出定解问题、边界条件,列出两个区交界处的衔接条件。根据这些条件求得电势分布和电阻。最后,为验证本文提出的模型的合理性及计算结果的正确性,本文使用MATLAB中的PDE工具求解源/漏区二维电势分布来验证模型求解出的结果。二维电势分布验证后,进行源/漏寄生电阻的验证,使用Atlas仿真提取出源/漏寄生电阻,把模型和仿真求出的电阻及误差以图表的方式进行分析和总结。计算结果表明本文提出的模型求得的电阻相对于仿真提取的电阻误差很小,这表明本文提出的模型具有很高的精度,可以用于后续器件的特性分析。(本文来源于《安徽大学》期刊2018-03-01）
陈寿面,石艳玲[7]（2018）在《14 nm工艺3D FinFET器件源漏寄生电阻提取与建模》一文中研究指出随着CMOS技术进入14 nm技术结点,叁维鳍型场效应晶体管(Fin FET)源漏寄生电阻的提取随结构的改变而变得更为复杂,高精度寄生电阻的提取对器件建模及电路性能至关重要。根据Fin FET器件结构将源漏寄生电阻分割为3部分:由凸起源漏与接触孔所引入的寄生电阻(R_(con))、狭窄鳍到宽源漏区的过渡区寄生电阻(R_(sp))以及源漏与沟道之间的寄生电阻(R_(ext))。考虑电流拥挤效应、电流展宽和栅压控制效应,分别采用平均电流长度法和微元积分法等对R_(con),R_(sp)和R_(ext)进行建模。最后,将所建模型与TCAD仿真进行对比验证,结果表明所建模型可准确反映源漏寄生电阻的变化,其中过渡区寄生电阻的相对误差小于1%。(本文来源于《半导体技术》期刊2018年02期）
彭雪扬[8]（2018）在《全耗尽SOI MOSFET源/漏寄生电阻半解析模型的研究》一文中研究指出MOSFET是当前集成电路使用最广泛的半导体器件,也是数字电路、模拟电路和存储器电路的基本模块。器件特征尺寸的减小,给集成电路带来了诸多方便,例如集成电路集成度的提高减小了电路的面积,降低了制造成本;电路的工作速度更快,实现的功能更加丰富等。但是特征尺寸的降低必然也会给MOS器件带来负面的影响,影响器件的工作性能。为了解决这些问题研究人员一方面通过现代工艺采用栅工程和沟道工程来改善小尺寸MOS器件性能,另一方面则是设计一些新型结构器件来代替传统的体硅MOS器件,例如SOI MOS器件、SON器件、双栅MOS器件、围栅MOS器件、应变沟道MOS器件等。但是在器件沟道缩小的同时,源/漏区的寄生电阻对器件的驱动电流影响也越来越大,所以研究短沟道器件中的源/漏寄生电阻变得越来越重要。本文将针对全耗尽SOI MOSFET器件源/漏寄生电阻进行研究,建立器件的物理模型,给出定解问题,解出源/漏区的电势和电阻解析式,最后将模型计算的结果与仿真结果进行对比。文章的具体内容安排如下。文章首先介绍了体硅MOSFET和SOI MOSFET,针对体硅MOSFET的缺点引入了全耗尽SOI MOSFET以及研究MOSFET器件源/漏寄生电阻的意义和研究现状。然后给出了几种经典的可以计算源/漏寄生电阻的方法,主要介绍了提取法和建模法,并且例举了这两种方法在实际应用中的例子。接着是对全耗尽SOI MOSFET源/漏区进行物理建模,通过平面MOSFET引出求解全耗尽SOI器件源/漏寄生电阻的方法。本文将源/漏寄生电阻分为叁部分,Ⅰ区的集总电阻可直接根据欧姆定律求得,Ⅱ区和Ⅲ区的分布电阻则需要先求出相应的电势分布,然后再根据欧姆定律求得相对的电阻。最后是对物理模型进行验证分析。用经典的中心差分法验证Ⅱ区和Ⅲ区电势,其中分别讨论了在电导率相同和不同两种情况下的电势等势线的分布情况,差分法和建模法的精度相同。电势求出后就可以得到Ⅰ、Ⅱ和Ⅲ区的电阻,将叁个区域的电阻之和与SILVACO仿真得到的数据进行对比验证,最大误差在9.6%。最后讨论了在电极下淀积硅化物对寄生电阻的影响,发现淀积硅化物可以有效的减小源/漏寄生电阻。本文是基于半解析法求解源/漏寄生电阻的,既具有数值法计算精确高的优点,又具有解析法的优点,对研究源/漏寄生电阻有一定的意义。(本文来源于《安徽大学》期刊2018-01-01）
陈海锋,陈艳峰,张波,丘东元[9]（2017）在《利用分数阶阻抗模型准确估算钽电容寄生电阻》一文中研究指出电容的等效串联电阻(ESR)等寄生参数受频率影响,但传统的RC串联等效模型难以反映这一点;另外,现有研究表明,实际的电容具有分数阶特性。为此首先建立了钽电容的分数阶等效阻抗模型,用于准确估算电容的ESR,并用于分析Boost变换器中电容ESR造成的电压突变。在Boost电路的仿真中使用该分数阶电容模型,并用实验验证。仿真结果与实验结果比较一致,证实了该模型的有效性。(本文来源于《电力电子技术》期刊2017年12期）
韩瑞龙[10]（2017）在《极化库仑场散射对GaN基电子器件栅源和栅漏寄生电阻的影响研究》一文中研究指出AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(AlGaN/GaN HEMTs)具有很多优秀的性能特性,例如高击穿场强、高输出功率、高饱和电子漂移速度。此外,AlGaN/GaN异质结材料的自发和压电极化效应使其在不掺杂的情况下,仍可产生密度高达1013cm-2的二维电子气,因此在高频、大功率集成电路中的应用十分广泛。随着新器件结构和新器件工艺的运用,AlGaN/GaN HEMTs器件性能越来越接近氮化镓材料物理特性的极限。随着对器件内部等效电路研究逐渐深入,最近研究人员发现器件非本征参数寄生电阻严重影响器件的高频性能和可靠性。其中器件在大信号下的截止振荡频率fT和非本征跨导gm,严重受制于寄生电阻,制约着器件在噪声容限、开态电阻和传输延时时间等指标上的进一步优化。为了解寄生电阻的产生原因和作用机制,本文对沟道二维电子气电子在沟道中输运所受的主要散射作用进行讨论,其中包括极化库仑场(PCF)散射、极化光学声子散射、界面粗糙度散射和压电散射,并重点就PCF散射进行研究。PCF散射与栅源偏压、源漏偏压和栅面积均相关,导致栅源和栅漏寄生电阻RS和RD也与栅源偏压、源漏偏压和栅面积相关,从而对应电流-电压(I-V)输出特性曲线的线性区和饱和区R和RD也不同。本论文分别研究了 AlGaN/GaN HEMTs器件线性区寄生电阻RS和饱和区寄生电阻RS与RD,研究了线性区RS与栅长和正向栅源偏压的关联关系,并研究得到了饱和区确定RS和RD的方法。我们制备出不同栅面积、不同栅源间距的AlGaN/GaN HEMTs,在不同外加栅源偏压条件下测量出寄生电阻,并对器件沟道内各种散射机制展开分析。最后,经过散射理论模型计算的寄生电阻数值与实验测试值的较好拟合证实了 PCF散射是Rs的重要影响因素,AlGaN/GaN HEMTs的寄生电阻与栅源偏压、源漏偏压和栅面积密切相关。具体包括以下内容:1.极化库仑场散射对器件线性区栅源沟道寄生电阻Rs的影响器件工艺之后,器件正常欧姆接触退火工艺和栅极外加偏压会改变AlGaN/GaN异质界面处的极化电荷均匀分布状态,导致附加极化电荷的产生,引起PCF散射。经TLM法测试,我们发现相同衬底上不同测试区域的器件欧姆接触存在差异,表明同一片衬底上制作的欧姆接触并不完全一致。欧姆接触的质量差异会干扰我们对器件在外加偏压时栅下AlGaN势垒层区域处由于逆压电效应产生的附加极化电荷的研究。为了减小欧姆接触质量差异的影响,我们设计了共用源极欧姆接触的电子器件。由于同个台面上的左右两个栅极接触共用同一个源极欧姆接触,从而消除了不同欧姆接触质量差异的影响,由此可准确研究栅面积和栅源偏压对RS的影响。在欧姆接触下方区域,金属原子扩散作用减弱了AlGaN势垒层的压电极化强度,并且欧姆接触下方的附加极化电荷△σ1是一个与栅源偏压无关的负值。在VGS>0的情况下,栅下区域引入的随栅源偏压变化且为正值的△σ3和欧姆区域引入的不变且为负值的△σ1共同决定PCF散射势。当VGS增大,数值为正且增大的△σ3逐渐抵消数值为负且不变的Aσ1,最终Aσ3成为PCF散射势的主导因素。对于同个样品内共用同一源极欧姆接触的两个AlGaN/GaN HEMTs器件,使用栅探针法测量RS时保持VGS在同一变化范围以保证各器件中的栅下区域的△σ3相等。栅源间距相同,对于更大栅面积的器件栅下附加极化电荷总量更大,增强了 PCF散射势的强度进而导致RS的增大。栅面积相同,器件栅下附加极化电荷总量相同,然而更大栅源间距的器件附加散射势作用区域增大,降低了散射的强度,所以RS随VGS变化幅度减小。最后,使用PCF散射理论模型,我们计算了各尺寸器件不同偏压下的寄生电阻RS,并与器件寄生电阻的测试值进行对比,较好的拟合效果证实了用PCF散射理论解释RS形成机制的合理性,也明确表明AlGaN/GaN HEMTs器件线性区RS与栅源偏压和栅面积密切相关。2.极化库仑场散射对长栅长器件饱和区寄生电阻的影响PCF散射是影响AlGaN/GaN HEMTs器件性能的重要散射机制。然而对于长栅长器件,对不同静态偏置状态下的饱和区寄生沟道电阻的研究并没有考虑PCF散射的影响。由此,考虑PCF散射,并得到AlGaN/GaN HEMTs器件饱和区寄生电阻对提升器件特性至关重要。与深亚微米栅长器件不同,长栅长器件中源漏之间的电场不能使沟道载流子达到饱和漂移速度。因此,短栅长器件栅下的线性电势分布并不适用于长栅长器件。长栅长器件的沟道电势分布情况需要进一步研究。其一,在I-V输出特性曲线中选取VGS=-3V-0V,VDS=8V的静态偏置点,并使用改进的栅探针法测得器件的RS和RD。其二,根据宽禁带半导体在制备肖特基栅极下的电荷控制模型,饱和区(VDS= 8V)时的栅下沟道电势分布被分为两个部分。缓变沟道近似沟道区域Ⅰ和夹断沟道区域Ⅱ分别对应栅下电势从VC(0)变到Vknee和从Vknee变到VC(L)的区域。VC(0)和VC(L)分别是源、漏测栅极边缘处的沟道电势,Vknee近似认为是沟道恰好夹断的沟道电势。然后,使用PCF散射理论分析和确定AlGaN/GaN HEMTs器件沟道各处的附加极化电荷△σ的分布及其决定的附加散射势。最后,综合考虑极化光学声子散射、界面粗糙度散射、压电散射和极化库仑场散射在内的各种散射机制,模拟计算出不同偏置状态下的RS和RD。理论计算结果和测试得到的RS和RD呈现较好的一致性,证明了理论计算的准确性。对于样品3中的器件,欧姆接触下方区域的附加极化电荷△σ1是一个与栅源偏压无关的负值。各偏置状态下的VGS为负值,因此栅下区域附加极化电荷△σ3为负值。取值为负值的△σ1和△σ3共同确定了 PCF附加散射势。各测试点的栅源偏压变化范围是-3V到0V,逐渐减小的△σ3和固定不变的△σ1减弱了 PCF散射势的强度,导致RS和RD的减小。另外,对于其他几种散射机制,非栅极沟道区域内电子温度Te和二维电子气密度n2D决定了它们的散射强度。由于样品3中器件的电流较小不足以导致载流子明显的热声子效应和自热效应。常温条件下,栅源和栅漏之间的沟道处的n2D在不同栅源偏压VGS下为固定值。因此,各不同静态偏置状态下RS和RD的差异只能归因于PCF散射势的差异。这些研究结果证实由于PCF散射,AlGaN/GaN HEMTs器件寄生电阻RS和RD与栅源和源漏偏压相关;研究得到的确定AlGaN/GaN HEMTs器件饱和区寄生电阻RS和RD的方法是正确可行的方法。(本文来源于《山东大学》期刊2017-05-25）
寄生电阻论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在科学技术日新月异的今天,越来越多的电子产品进入我们的生活中,半导体器件作为电子产品的核心被广泛应用于数模集成电路和半导体存储器中。功率VD-MOS器件作为新一代半导体器件,被广泛运用于航空航天、汽车电子以及日用小型化设备上,在日常生活中扮演着越来越重要的角色。可是,随着大功率大电流的需求不断增大,如何在器件性能、器件的尺寸以及源/漏寄生导通电阻叁者之间做好平衡是目前功率器件设计与制造行业面临的最棘手的问题。因此,针对这叁者之间如何达到平衡的研究具有长远的意义。本文系统地建立了用于电路系统仿真的功率VD-MOS器件二维半解析模型。研究总共分为如下四个部分:首先,介绍了本文所研究的功率VD-MOS器件的使用场景以及相较于传统MOS器件的优缺点,并简要概括了功率VD-MOS器件源/漏寄生导通电阻的发展现状以及研究意义。还介绍了近年来国内外期刊关于功率VD-MOS器件导通电阻在理论分析、工艺制造以及新模型建立上的最新进展。其次,分析了功率VD-MOS器件的电气特性,简要介绍了器件的工作原理,通过对器件各组分电阻的介绍,详细说明了功率VD-MOS器件源/漏寄生导通电阻的影响因素和技术难点,还从理论上介绍了目前业内关于功率器件建模所采用的主要分析方法,包括数值计算方法、解析法和半解析法。然后,根据功率VD-MOS器件的源/漏寄生导通电阻特性和工作原理,将所建矩形等效元结构划分为电子积累区、JFET区、N-漂移区和衬底四个相对独立的区域;通过对每个区域内的载流子运动规律进行分析,确定稳恒场下的状态方程和边界条件,并在区域之间设置衔接条件。采用分离变量以及傅里叶正交变换的方法求解出所建模型各区域的二维电势方程半解析表达式。利用计算机求解所求得的方程组,将解出的结果回代到所求得的表达式中,获得所划分的各区域范围内的电势值,根据电流连续性方程,最终确定本次所求功率VD-MOS器件的源/漏寄生导通电阻。最后,利用中心差分法以及Silvaco器件仿真软件对所求寄生导通电阻和器件二维电势的结果进行比对。此外,还分析了器件的N-漂移区各参数对器件耐压的影响。本文所建立的功率VD-MOS器件二维半解析模型所得结果与中心差分法和仿真软件Silvaco进行了对比,最大误差为2.56%。半解析表达式可用作电路模拟器和功率VD-MOS器件特性的统一模型,也可用于具体工程实践中导通电阻的确定,所得电势模型对于功率VD-MOS的安全研究具有指导意义。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
寄生电阻论文参考文献
[1].吕光明.直流比较仪式电桥测量标准电阻时消除寄生电势影响方法的研究[J].木工机床.2019
[2].万璐绪.基于半解析法的功率VD-MOS器件二维电势与源/漏寄生导通电阻特性研究[D].安徽大学.2019
[3].常红,王亚洲,柯导明.短沟道MOSFET源漏寄生电阻的二维半解析模型[J].固体电子学研究与进展.2018
[4].赵江,顾培楼,张雷,陈珏,奚晟蓉.多晶硅表面前处理对嵌入式闪存器件寄生电阻的减小[J].电子与封装.2018
[5].鲁明亮,陶永春.一种提取纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻的恒定迁移率方法[J].南京师大学报(自然科学版).2018
[6].王亚洲.SOIMOSFET源/漏寄生电阻的二维半解析模型研究与仿真[D].安徽大学.2018
[7].陈寿面,石艳玲.14nm工艺3DFinFET器件源漏寄生电阻提取与建模[J].半导体技术.2018
[8].彭雪扬.全耗尽SOIMOSFET源/漏寄生电阻半解析模型的研究[D].安徽大学.2018
[9].陈海锋,陈艳峰,张波,丘东元.利用分数阶阻抗模型准确估算钽电容寄生电阻[J].电力电子技术.2017
[10].韩瑞龙.极化库仑场散射对GaN基电子器件栅源和栅漏寄生电阻的影响研究[D].山东大学.2017
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