论文摘要
近年来,由于对短波长发光器件的巨大市场需求,人们越来越关注于宽禁带半导体的研究,二氧化锡(Sn02)是一种典型的宽带隙(Eg =3.6eV,300K)的n型半导体材料,但是由于Sn02带隙比较宽,而导带位置较低,电子更难以激发,在此须选用带隙相对比较窄,而导带位置较高的半导体材料进行修饰。关于SnO2/TiO2复合体系已有报道,研究表明由于这两种半导体材料能级匹配,光生电子和空穴可以有效分离,复合几率减小,从而可以提高SnO2/TiO2复合体系的光电性能。但是研究者大多是以溶胶-凝胶法或气相沉淀法制备,这些制备方法存在制备成本高,制备条件苛刻、难以实用化的缺点。为了寻求更简便的制备方法,近年来已有报道采用静电纺丝的方法制备SnO2/TiO2复合体系,但大多是以Ti02为基底或采用混合前驱体液进行纺丝的方法制备SnO2/TiO2复合体系,而未见采用静电纺丝制备Sn02纳米线为基底再附着Ti02颗粒的文献报道。本课题采用溶胶-凝胶法制备一维Sn02纳米线,首先配制出具有一定粘度的前驱体液,采用静电纺丝技术成功地制备PVP/SnCl2·2H2O复合纤维,并对工艺条件进行了系统的研究,主要考察了PVP浓度、电压、接收板距离和前驱体液中无机物含量的影响,500℃煅烧5h后可得到一维SnO2纳米线,通过对前驱体液中SnCl2·2H2O浓度的调节制备了直径为90-180 nm的SnO2纳米线,再经TiCl4溶液水解处理制备得到了SnO2/TiO2薄膜电极。分别使用SEM和EDS对薄膜电极进行表征,并通过线性扫描伏安法和光电催化测试方法,分析研究了SnO2/TiO2纳米复合薄膜电极的光电化学性质。结果表明,当前驱体液中SnCl2·2H2O浓度为3wt%时,得到的SnO2纳米线制备的SnO2/TiO2复合薄膜电极的光电流密度达到最大;随后将其与TiO2、SnO2薄膜电极相比,SnO2/TiO2复合薄膜电极产生的光电流明显增大;复合薄膜电极对罗丹明B (RhB)的光电催化降解率在90 min后可达到95%,而TiO2仅为56%、SnO2为58%,同时结合SnO2与TiO2的能级理论,讨论了TiO2的附着有利于SnO2/TiO2复合薄膜电极光电性能提高的原理。
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