本文主要研究内容
作者陈洪宇,尚慧明,戴明金,王月飞,李炳生,胡平安（2019）在《InSe/Se范德瓦尔斯异质结的可控制备及其高响应度广光谱光电探测器（英文）》一文中研究指出：为了实现紫外-可见波段的高响应度/低成本的广光谱光电探测,我们制备了基于一维p型Se微米线与二维n型InSe纳米片的混维范德瓦尔斯异质结广光谱探测器。得益于Se微米线与二维层状结构InSe纳米片的高结晶质量,该器件在紫外-可见光广光谱范围都具有非常高的响应度,该器件的响应截止边为700 nm。值得指出的是,该器件在-5 V的偏压下,对460 nm的光源响应度可以达到108 mA/W,该数值比原来的Se探测器高了800%。这项研究有利于拓展我们对范德瓦尔斯异质结的认识,也为今后制备高性能的低维光电探测器提供了一种新的途径。
Abstract
wei le shi xian zi wai -ke jian bo duan de gao xiang ying du /di cheng ben de an guang pu guang dian tan ce ,wo men zhi bei le ji yu yi wei pxing Sewei mi xian yu er wei nxing InSena mi pian de hun wei fan de wa er si yi zhi jie an guang pu tan ce qi 。de yi yu Sewei mi xian yu er wei ceng zhuang jie gou InSena mi pian de gao jie jing zhi liang ,gai qi jian zai zi wai -ke jian guang an guang pu fan wei dou ju you fei chang gao de xiang ying du ,gai qi jian de xiang ying jie zhi bian wei 700 nm。zhi de zhi chu de shi ,gai qi jian zai -5 Vde pian ya xia ,dui 460 nmde guang yuan xiang ying du ke yi da dao 108 mA/W,gai shu zhi bi yuan lai de Setan ce qi gao le 800%。zhe xiang yan jiu you li yu ta zhan wo men dui fan de wa er si yi zhi jie de ren shi ,ye wei jin hou zhi bei gao xing neng de di wei guang dian tan ce qi di gong le yi chong xin de tu jing 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自发光学报的陈洪宇,尚慧明,戴明金,王月飞,李炳生,胡平安，发表于刊物发光学报2019年11期论文，是一篇关于半导体论文,范德瓦尔斯异质结论文,光电探测器论文,多层结构论文,发光学报2019年11期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自发光学报2019年11期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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