论文摘要
为实现双色探测的目的,我们在探测薄膜材料结构设计中,提出将GaAs和GaN两种材料外延生长一起构成异质结薄膜,利用GaN带间吸收实现紫外光电探测,同时,利用GaAs自由载流子对红外光信号的吸收受异质结能带(势垒高度)束缚作用实现红外光电探测。为此,本文对GaAs/GaN双色探测薄膜的能带结构和光电性能进行了研究。利用MBE技术制备了GaAs/GaN薄膜材料,并通过X射线衍射方法分析了GaAs/GaN薄膜的结晶质量。利用Keithley 617光电特性测量仪测试了薄膜材料的伏安特性,通过理论计算和实验结果分析揭示了GaAs/GaN薄膜能带结构和载流子的输运机制。利用VERTEX70光电流谱测量仪测试了薄膜材料的光电响应特性,通过理论计算和实验结果分析阐明了不同光谱区域光电响应机制。伏安特性研究表明,p-n型和n-n型GaAs/GaN薄膜伏安特性曲线均表现出良好的整流特性。实验测得的I-V曲线与模拟曲线相近,说明薄膜能带结构符合设计。由薄膜伏安特性分析得出了两种类型GaAs/GaN薄膜能带结构。通过对伏安特性曲线的拟合得出薄膜载流子的输运机制。p-n型GaAs/GaN薄膜0.2V以下为扩散和热电子发射复合机制,0.2-2.8V为热电子发射隧道复合机制。2.8V以上隧穿机制起主要作用。n-n型GaAs/GaN薄膜0.3V以下时为热电子发射和扩散复合机制,0.3V-3V为热电子发射和隧穿复合机制。3V以上隧穿机制起主要作用。光电响应特性研究表明,两种类型GaAs/GaN薄膜在紫外区域均有较好的光电响应,且n-n型GaAs/GaN薄膜在紫外区域响应强于p-n型GaAs/GaN薄膜。在红外区域,p-n型GaAs/GaN薄膜在正向偏压下有较好光电响应。随着正向电压增大探测截止波长向短波方向移动。n-n型GaAs/GaN薄膜在负向偏压下有较好光电响应,随着负向电压增大探测截止波长向长波方向移动。这与设计的红外区域利用GaAs自由载流子对红外光信号的吸收受异质结能带(势垒高度)束缚作用实现红外光信号的光电探测响应机制相符合。另外,p-n型GaAs/GaN薄膜加正向偏压时GaAs中自由载流子越过势垒形成响应的同时,GaN中的电子也会在电压作用下通过隧穿效应引起隧道电流形成噪声。n-n型GaAs/GaN薄膜在负向偏压下只有GaAs中自由载流子越过势垒形成响应,而GaN中电子被束缚住,其光电流谱中背景电流(噪声)明显低于p-n型GaAs/GaN薄膜。
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