论文摘要
TiB2-BN复相陶瓷具有方便的电性能可设计性和优良的机加工性等,其作为真空蒸镀,尤其是真空镀铝的蒸发容器被广泛使用。由于我国对该类复相陶瓷的基础研究起步较晚,国内外水平差距大,目前,真空镀铝蒸发舟仍主要依赖进口。开展对TiB2与BN复相陶瓷的研究,以期获得高性能的TiB2-BN复相导电陶瓷蒸发舟,将对我国真空镀铝行业关键部件的国产化有着积极意义。本文采用渗流理论解释TiB2-BN复相陶瓷的导电性能并建立模型; 运用正交试验方法优化烧结过程中的主要影响因素; 分析TiB2-BN陶瓷蒸发舟在真空镀铝生产中的失效机制,探讨了改善材料耐铝腐蚀性能的方法; 分析了TiB2-BN复相陶瓷电阻率变化问题,并提出了解决方案。采用渗流理论解释了TiB2-BN复相导电陶瓷的导电性能,确定了真空热压烧结的TiB2-BN复相陶瓷的电阻率与导电相百分含量的关系符合渗流理论,V%>Vc%时,渗流模型为:ρ/ρc = 6.291×103×(V -18.2)-1.98。说明真空热压烧结的TiB2-BN复相陶瓷,TiB2颗粒无规则地分布在BN绝缘相中,且TiB2颗粒边界上不存在BN相的绝缘包裹体。运用正交试验的方法研究了当TiB2含量42wt%时,作为烧结助剂的Y2O3含量和烧结温度以及保温时间对材料性能的影响。其优化结果为:烧结助剂Y2O3含量为1.0wt%,烧结温度为1800℃,保温时间为1.5小时。此时材料的常温电阻为627μΩ·cm,抗弯强度为159MPa,体积密度为2.63g/cm3。TiB2-BN蒸发舟失效原因是高温下液态铝与蒸发舟基体中的BN反应生成AlN,孤立的TiB2颗粒在熔池两侧沉积,随着蒸发舟使用时间的延长,舟体变薄,熔池有效蒸镀面积变小,必须通过增加舟体发热功率来弥补,直到设备输入调整到100%输入时,如果蒸发量依然不够,就意味着蒸发舟失效。利用AlN代替了部分BN的TiB2-BN基复相陶瓷由于BN含量的减少也就减少了铝液对基体进行腐蚀的途径,使其耐铝腐蚀性能优于TiB2-BN二元复相陶瓷。由原料BN带入到TiB2-BN烧结体中来的少量三氧化二硼在空气中吸水生成的硼酸晶体不仅可填充原孔隙通道,而且由于其体积膨胀改变了原有的导电网络,使绝缘相的体积增大,从而使得复相陶瓷的电阻率变大。通过碳还原反应来降低复相陶瓷中的三氧化二硼含量可以改善材料的电阻率在空气中随时间变化的现象。
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