导读:本文包含了双极晶体管论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:IGBT,晶体管,高压直流输电,仿真
双极晶体管论文文献综述
范晓波[1]（2019）在《绝缘栅双极晶体管的仿真设计方法》一文中研究指出IGBT即绝缘栅双极型晶体管业已得到广泛的应用,高压大电流是其未来的发展方向,近年来已经应用在高压直流输电领域。随着功率容量的不断提升,对器件的设计制造提出了更高的要求。为了缩短设计周期,提高成品率,降低制造成本,应采用计算机进行仿真,可极大地提高工作效率。论文结合流片的情况应用ISE软件进行了仿真研究,结果表明,采用软件仿真的方法能够有效地指导器件的生产制造。(本文来源于《中小企业管理与科技(中旬刊)》期刊2019年10期）
韩代云,李源彬[2]（2019）在《绝缘栅双极晶体管表面电沉积镍基石墨烯薄膜的制备及其散热性能研究》一文中研究指出将镍基石墨烯薄膜应用在IGBT模块散热方面,提出了镍基石墨烯薄膜的制备工艺,并利用扫描电镜、透射电镜、能谱仪等对镍基石墨烯薄膜进行表征。结果表明,当电流密度为2 A/dm~2时,镍基石墨烯薄膜中的有大量的Ni和C元素,镍基石墨烯薄膜中的石墨烯平均粒径为32.5 nm。当脉冲电流密度为1 A/dm~2时,镍基石墨烯薄转移镍基石墨烯薄膜后的S1芯片的散热效果较好。当脉冲电流密度为2 A/dm~2时,镍基石墨烯薄转移镍基石墨烯薄膜后的S2芯片的散热效果最好,其最大散热量为14.9℃。(本文来源于《功能材料》期刊2019年09期）
范晓波[3]（2019）在《绝缘栅双极晶体管(IGBT)表面耐压结构仿真研究》一文中研究指出绝缘栅双极晶体管(IGBT)作为新一代的功率半导体器件,高电压大电流是未来的发展趋势,研究人员一直都将器件的表面耐压作为研究的重点。本文采用ISE仿真软件对器件终端结构进行研究,分析了多环系统的表面电场、表面电势以及击穿特性。结果表明,高压IGBT终端必须采用多环系统,而且随着电压的进一步提高,环数也必须增加,以满足耐压的需要。(本文来源于《中国设备工程》期刊2019年18期）
赵圣哲,张立荣,宋磊[4]（2019）在《高频双极晶体管工艺特性研究》一文中研究指出高频双极晶体管由于具有高频、电流放大等特性,已广泛应用到放大器电路、电动机、高频雷达、航空航天工程等领域。对目前典型的高频双极晶体管制作工艺进行了分析与探讨,重点研究了制作工艺中的难点,包括集电极深N阱工艺、多晶硅刻蚀工艺、多晶硅发射极工艺。设计并试制了工程样品,对于关键工艺对器件结构及参数的影响进行了详细的研究,可为实际的生产制造提供理论指导。(本文来源于《电子与封装》期刊2019年07期）
吴永辉,魏洪涛,刘军,崔雍,樊渝[5]（2019）在《InP双异质结双极晶体管的相位噪声特性》一文中研究指出InP双异质结双极晶体管(DHBT)由于优异的频率和相位噪声特性被广泛应用于高品质压控振荡器(VCO)芯片的研制。研究了影响InP DHBT相位噪声特性的因素,并从器件结构和SiN钝化层两方面对器件进行了优化设计。详细介绍了附加相位噪声的测试原理和方法,并提出了一种改进的"正交鉴相"在片测量系统,测得所制作的InP DHBT的附加相位噪声在100 kHz偏移频率时达到-144 dBc/Hz。基于此InP DHBT工艺设计并实现了一款47 GHz差分VCO单片微波集成电路(MMIC),测试结果显示1.2 GHz调谐带宽内该VCO的典型单端输出功率为-3.8 dBm,单电源-5 V工作时的电流为23 mA,在100 kHz偏移频率时的相位噪声达到-87 dBc/Hz,验证了文中所研制的InP DHBT优异的相位噪声特性。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年07期）
常耀东[6]（2019）在《典型商用双极晶体管高总剂量下的剂量率效应》一文中研究指出双极晶体管因其体积小、成本低、放大倍数高等优势被广泛应用于航天电子系统中,然而航天器长期暴露在一个复杂的空间辐射环境内,电子系统不可避免的遭受空间射线和粒子的作用,引起电子元器件电学性能的退化,影响航天器安全、可靠地运行。对此,国内外相关工作者展开了大量研究,结果表明,双极器件普遍存在的低剂量率损伤增强效应是导致器件在典型空间低剂量率辐射环境中性能退化的主要原因,但对其损伤机制尚无统一定论。与此同时,空间技术发展迅速,深空探测任务日益增多,国内外为进一步提高深空探测能力,长寿命(15年)、高可靠性航天器已成为当前航天任务的必要条件,这就对双极器件的抗辐射能力和使用寿命提出了更高的要求。此外,商用现货双极晶体管的制造工艺已非常成熟,若将其运用到航天器上,将会大大降低航天器的建造成本,因此开展商用现货双极晶体管在高总剂量下的辐射效应研究具有深刻意义。基于上述问题,本文选取叁款不同型号的商用双极晶体管,进行高总剂量水平下双极晶体管的剂量率效应研究,并首次将累积辐照剂量提升至300krad(Si)。结果表明:(1)随着辐照累积剂量的增加,电流增益持续下降,但在200~300krad(Si)总剂量范围内下降速度明显减缓;(2)高总剂量条件下偏置对器件退化的影响与0~100krad(Si)类似,在同一偏置条件下,低剂量率下的损伤普遍比高剂量率下损伤更严重,表现出低剂量率损伤增强效应;(3)此外研究发现在高总剂量水平下,双极器件对剂量率的敏感程度随着辐照剂量的累积产生变化,辐照初始,低剂量率条件器件退化更快,随着辐照剂量累积,器件退化速度逐渐减缓,甚至低于高剂量率下的退化速率。本文通过分析不同剂量阶段质子的主要来源,发现质子的堆积与释放过程和氢分子碎裂机制是产生该现象的核心因素。本文还深入研究了温度对双极器件剂量率效应的影响,分析了不同温度条件下界面陷阱的演化规律,发现温度对界面陷阱的形成具有两重性:一方面,温度的升高可以加速质子产生,加快界面陷阱堆积,器件损伤加剧;另一方面,当温度足够高时,大部分质子参与二聚化反应生成氢分子,界面陷阱生长所需质子严重不足,从而对界面陷阱的形成产生抑制作用。二者的竞争使得不同温度下对双极器件造成的电离损伤存在最大值,这个最大值所对应的温度即为最佳辐照温度。该研究不仅对晶体管抗辐射加固工艺提供了帮助,还为加速评估方法中温度的选择奠定了理论基础。综上所述,本文全面深入地研究了高总剂量水平下商用双极晶体管的剂量率效应,完善了累积剂量至300krad(Si)的剂量率效应响应规律。并结合温度对氧化层内氢二聚化反应的影响机制,阐明了界面陷阱电荷随温度的变化规律。为高可靠、长寿命卫星的研发与制造以及航天器的安全在轨运行提供了理论和数据支持。(本文来源于《新疆大学》期刊2019-05-19）
张傲,高建军[7]（2019）在《基于T-π网络转换的异质结双极晶体管等效电路模型的研究》一文中研究指出本文对基于T-π网络转换的异质结双极晶体管等效电路模型进行了研究。简化了HBT等效电路模型的网络参数计算方法,提出的π型等效电路模型包含有两个受控源并且和商用电路模拟软件相兼容。(本文来源于《2019年全国微波毫米波会议论文集（下册）》期刊2019-05-19）
梁光发,周晓亮,蒙春婵[8]（2019）在《绝缘栅双极晶体管IGBT在UPS电源中的应用及维护检修实例》一文中研究指出科龙6KVA不间断电源是一款双逆变在线式UPS电源,该设备在广播电视发射机房中为信号源柜以及网络柜提供一种稳压、稳频以及不受电网干扰的电源,即使市电不正常甚至掉电以后,该UPS设备仍能给信号源柜以及网络柜上的负载继续提供一段时间的供电。本文主要介绍了科龙6KVA不间断电源逆变器中绝缘栅双极晶体管IGBT击穿的故障分析以及检修处理过程。(本文来源于《视听》期刊2019年05期）
邱盛,王文捷,王健安,张培健[9]（2019）在《双极晶体管发射极电阻的提取方法及应用研究》一文中研究指出以双多晶自对准互补双极器件中NPN双极晶体管为例,阐述了发射极电阻提取的基本原理和数学方法。在大电流情况下,NPN管的基极电流偏离理想电流是发射极串联电阻效应引起的。该提取方法综合考虑了辐照过程中NPN管的电流增益退化特性,分析了总剂量辐照效应对NPN管的损伤机理和模式。该提取方法适用于多晶硅发射极器件,也适用于SiGe HBT器件。(本文来源于《微电子学》期刊2019年02期）
[10]（2019）在《Diodes公司的双极晶体管采用3.3mm×3.3mm封装并提供更高的功率密度》一文中研究指出Diodes公司为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商,产品涵盖广泛领域,包括独立、逻辑、模拟及混合讯号半导体市场。公司推出NPN与PNP功率双极晶体管,采用小尺寸封装(3.3mm×3.3mm),可为需要高达100V与3A的应用提供更高的功率密度。新款NPN与PNP晶体管的尺(本文来源于《半导体信息》期刊2019年02期）
双极晶体管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
将镍基石墨烯薄膜应用在IGBT模块散热方面,提出了镍基石墨烯薄膜的制备工艺,并利用扫描电镜、透射电镜、能谱仪等对镍基石墨烯薄膜进行表征。结果表明,当电流密度为2 A/dm~2时,镍基石墨烯薄膜中的有大量的Ni和C元素,镍基石墨烯薄膜中的石墨烯平均粒径为32.5 nm。当脉冲电流密度为1 A/dm~2时,镍基石墨烯薄转移镍基石墨烯薄膜后的S1芯片的散热效果较好。当脉冲电流密度为2 A/dm~2时,镍基石墨烯薄转移镍基石墨烯薄膜后的S2芯片的散热效果最好,其最大散热量为14.9℃。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
双极晶体管论文参考文献
[1].范晓波.绝缘栅双极晶体管的仿真设计方法[J].中小企业管理与科技(中旬刊).2019
[2].韩代云,李源彬.绝缘栅双极晶体管表面电沉积镍基石墨烯薄膜的制备及其散热性能研究[J].功能材料.2019
[3].范晓波.绝缘栅双极晶体管(IGBT)表面耐压结构仿真研究[J].中国设备工程.2019
[4].赵圣哲,张立荣,宋磊.高频双极晶体管工艺特性研究[J].电子与封装.2019
[5].吴永辉,魏洪涛,刘军,崔雍,樊渝.InP双异质结双极晶体管的相位噪声特性[J].半导体技术.2019
[6].常耀东.典型商用双极晶体管高总剂量下的剂量率效应[D].新疆大学.2019
[7].张傲,高建军.基于T-π网络转换的异质结双极晶体管等效电路模型的研究[C].2019年全国微波毫米波会议论文集（下册）.2019
[8].梁光发,周晓亮,蒙春婵.绝缘栅双极晶体管IGBT在UPS电源中的应用及维护检修实例[J].视听.2019
[9].邱盛,王文捷,王健安,张培健.双极晶体管发射极电阻的提取方法及应用研究[J].微电子学.2019
[10]..Diodes公司的双极晶体管采用3.3mm×3.3mm封装并提供更高的功率密度[J].半导体信息.2019