导读:本文包含了基区杂质外扩论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:SiGe,异质结,阻挡层,可靠性
基区杂质外扩论文文献综述
汪东[1]（2000）在《SiGe微波异质结双极晶体管中基区杂质外扩及阻挡层的研究》一文中研究指出本文对SiGe HBT中基区杂质外扩现象进行了系统研究。首先，建立了基区杂质外扩模型，得出了基区杂质外扩后基区杂质分布和杂质外扩对器件电学参数的影响。然后，在高温存贮和电应力条件下对SiGe HBT进行可靠性试验，试验结果证明基区杂质外扩将导致器件电流增益和特征频率严重退化。为了抑制基区杂质外扩对器件性能的影响，实践中通常采用SiGe或Si本征阻挡层结构，我们对在不同基区杂质外扩距离（5nm、10nm、15nm）下SiGe和Si本征阻挡层模型进行了模拟。通过对比不同厚度SiGe和Si阻挡层对器件电流增益和特征频率的影响得出，二者具有不同的基区杂质外扩阻挡效果：SiGe阻挡层能有效抑制电流增益和特征频率退化；Si阻挡层能有效抑制特征频率退化，而对电流增益的退化改善不大。同时还对本征层厚度及适用范围进行了优化：通常情况下应选用与基区杂质外扩距离相当厚度的SiGe作为阻挡层，但应考虑到SiGe材料的稳定性和SiGe应变层临界厚度的限制；在对电流增益要求不高的情况下，可以选用略小于基区杂质外扩距离厚度的Si作为阻挡层。(本文来源于《北京工业大学》期刊2000-05-01）
邹德恕,高国,陈建新,杜金玉,张京燕[2]（1998）在《基区杂质外扩对SiGe/Si HBT低温特性的影响》一文中研究指出ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的基区杂质在工艺过程中外扩到发射区和收集区，使得低温增益下降。提出采用适当厚度的隔离层的方法，使ＨＢＴ电流增益在低温下增长。(本文来源于《半导体技术》期刊1998年03期）
E,J.Prinz,朱帼才[3]（1993）在《si/Si_(1-x)Ge_x/Si异质结双极晶体管中基区杂质外扩散与未掺杂Si_(1-x)Ge_x结隔离层的影响》一文中研究指出研究了Si/Si_(1-x)Ge_x/Si n-p-n异质结双极晶体管(HBT)的结界面处基区杂质外扩散与标定的未掺杂Si_(1-x)Ge_x隔离层的影响。发现,来自重掺杂基区或非突变界面处少量硼的外扩散会在导带中形成寄生势垒,它严重地影响了HBT中集电极电流的提高。未掺杂界面隔离层能消除这些寄生势垒从而极大地提高了集电极电流。(本文来源于《半导体情报》期刊1993年02期）
基区杂质外扩论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的基区杂质在工艺过程中外扩到发射区和收集区，使得低温增益下降。提出采用适当厚度的隔离层的方法，使ＨＢＴ电流增益在低温下增长。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
基区杂质外扩论文参考文献
[1].汪东.SiGe微波异质结双极晶体管中基区杂质外扩及阻挡层的研究[D].北京工业大学.2000
[2].邹德恕,高国,陈建新,杜金玉,张京燕.基区杂质外扩对SiGe/SiHBT低温特性的影响[J].半导体技术.1998
[3].E,J.Prinz,朱帼才.si/Si_(1-x)Ge_x/Si异质结双极晶体管中基区杂质外扩散与未掺杂Si_(1-x)Ge_x结隔离层的影响[J].半导体情报.1993