论文摘要
我们制备了含DCM2超薄层的白光器件,器件的结构为ITO/m-MTDATA/NPB/DPVBi/DCM2/BPhen/Alq3/LiF/Al,通过改变DCM2的厚度可以调节器件的发光光谱,相对于DCM2为其它厚度的器件而言,当DCM2的厚度为0.05 nm时器件的色坐标最接近白光等能点,效率最高,当驱动电压为5V时器件有最高的电流效率7.64 cd/A, 5V时有最高的流明效率4.80 lm/W;当电压为15 V时器件最大亮度达到11493 cd/m2;当电压从5 V变化到15 V时,器件的色坐标从（0.36, 0.31）变化到（0.28, 0.27）,始终处于白光区。此器件的特点在于在白光器件中使用了DCM2超薄层和空穴阻挡层BPhen,使得由于DCM2引起的浓度淬灭效应降低,从而提高了器件的效率。为了进一步提高非掺杂型白光器件的亮度、效率和显色指数,我们首次将高效率的荧光染料QAD和DCJTB以超薄层的形式引入到白光器件中,利用Q A D和D C J T B的独特特点,制备了结构为ITO/m-MTDATA/NPB/DPVBi/DCJTB/Alq3/QAD/Alq3/BPhen/Alq3/LiF/Al的非掺杂型白光器件,研究了厚度不同的DCJTB和QAD器件的性能,当DCJTB和QAD层的厚度都为0.05nm时,器件为白光发射,当驱动电压从4V变化到15V时,色坐标从（0.37, 0.36）变化到（0.32, 0.33）,都很接近白光等能点（0.33, 0.33）,器件的最大亮度为15V时的27360cd/m2,最大效率可达3.16 1m/W.器件的CRI由5V时的89变化到14V时的91,这种器件具有很好的色坐标和显色指数。在此基础上,为了更进一步提高白光器件的效率,我们制备了结构为ITO/m-MTDATA/ NPB/DPVBi/C545T/Alq3/DCM2/Alq3/Bphen/Alq3/LiF/Al的白光器件,我们在器件中引入了另一种高荧光效率的绿光材料C545T取代QAD,DCM2取代DCJTB,当C545T层的厚度为0.05nm时,器件为性能较好的白光发射,当电压从5V变化到14V时,色坐标从（0.40, 0.38）变化到（0.32, 0.31）,接近白光等能点（0.33, 0.33）,器件的最大亮度在14 V时为21770 cd/m2,最大效率可达4.79 1m/W.器件的CRI在5V时为87到14V时为84,综合考虑,这种器件具有较好的色坐标、显色性和效率。其性能在非掺杂型小分子荧光白光器件中处于相对较好的水平。
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