论文摘要
本论文对目前已发现的各类超导材料进行了简单介绍,并且归纳总结了新合金超导体的探索方向、途径及方法,重点进行了含碳、硼、硅合金超导体的探索。合成出CxGeNi3系列合金化合物,Ti-Cr共掺杂的超导体V3-2xCrxTixSi体系合金化合物,Nd1-xYxB6体系和Zr1-xYxB12体系合金化合物,以及对其它含碳和硼的超导材料进行了一些相关探索。1.我们用固相反应法合成了单相CxGeNi3(x<0.2)系列化合物,并对其制备方法、结构和物理性能进行了详细研究。发现该体系化合物中碳最大固溶度在0.15~0.2之间。CxGeNi3系列化合物与MgCNi3合金超导体具有相同晶体结构,但在5K以上不超导,表现出良好的金属性。我们同时注意到,该系列化合物在260~280K范围内存在一个由顺磁性到弱铁磁性的转变,并且随碳含量的增加,转变温度逐渐降低。2.对Ti-Cr双掺杂的V3-2xCrxTixSi体系样品的制备工艺,结构和超导电性进行了详细的研究。我们发现该体系对于V位置的相同掺杂量,双掺杂样品的T。都比单掺杂的样品高,此现象说明,费米面的电子态密度对决定T。起着重要作用。对于x=0.1的样品,在外加磁场达到4特斯拉时,其临界电流密度J。是未掺杂样品的6倍,同时在整个磁场范围内,双掺杂样品的临界电流密度都得到显著提高,说明双掺杂样品中有更多新的钉轧中心形成。双掺杂对V3Si的影响表明,等电子掺杂既能使该体系T。下降缓慢,又能大幅度提高临界电流密度,因而可以应用于其它实际应用的A15结构超导体,如Nb3Sn、Nb3Al等,这是我们目前正在研究的课题。3.在含B合金超导体的探索过程中,我们研究了具有高对称型立方晶系的二元硼化物中掺杂的效应,重点研究了NdB6中掺入Y和在ZrB12体系中掺入Y两个体系,发现Nd1-xYxB6系列样品在2K以上均未出现超导转变。但在低温范围内有顺磁性向反铁磁性转变,随着掺入Y量的增加,尼尔温度TN向低温移动。对于Zr1-xYxB12体系,该工作正在继续深入研究之中。在探索具有层状结构的二元硼化物中,我们发现在MoB4样品中出现2~3K的超导转变,但由于MoB4和MoB2结构相同,制备MoB4单相样品困难,故未能确定MoB4是否超导。
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