含C、Si、B新超导体探索

含C、Si、B新超导体探索

论文摘要

本论文对目前已发现的各类超导材料进行了简单介绍,并且归纳总结了新合金超导体的探索方向、途径及方法,重点进行了含碳、硼、硅合金超导体的探索。合成出CxGeNi3系列合金化合物,Ti-Cr共掺杂的超导体V3-2xCrxTixSi体系合金化合物,Nd1-xYxB6体系和Zr1-xYxB12体系合金化合物,以及对其它含碳和硼的超导材料进行了一些相关探索。1.我们用固相反应法合成了单相CxGeNi3(x<0.2)系列化合物,并对其制备方法、结构和物理性能进行了详细研究。发现该体系化合物中碳最大固溶度在0.15~0.2之间。CxGeNi3系列化合物与MgCNi3合金超导体具有相同晶体结构,但在5K以上不超导,表现出良好的金属性。我们同时注意到,该系列化合物在260~280K范围内存在一个由顺磁性到弱铁磁性的转变,并且随碳含量的增加,转变温度逐渐降低。2.对Ti-Cr双掺杂的V3-2xCrxTixSi体系样品的制备工艺,结构和超导电性进行了详细的研究。我们发现该体系对于V位置的相同掺杂量,双掺杂样品的T。都比单掺杂的样品高,此现象说明,费米面的电子态密度对决定T。起着重要作用。对于x=0.1的样品,在外加磁场达到4特斯拉时,其临界电流密度J。是未掺杂样品的6倍,同时在整个磁场范围内,双掺杂样品的临界电流密度都得到显著提高,说明双掺杂样品中有更多新的钉轧中心形成。双掺杂对V3Si的影响表明,等电子掺杂既能使该体系T。下降缓慢,又能大幅度提高临界电流密度,因而可以应用于其它实际应用的A15结构超导体,如Nb3Sn、Nb3Al等,这是我们目前正在研究的课题。3.在含B合金超导体的探索过程中,我们研究了具有高对称型立方晶系的二元硼化物中掺杂的效应,重点研究了NdB6中掺入Y和在ZrB12体系中掺入Y两个体系,发现Nd1-xYxB6系列样品在2K以上均未出现超导转变。但在低温范围内有顺磁性向反铁磁性转变,随着掺入Y量的增加,尼尔温度TN向低温移动。对于Zr1-xYxB12体系,该工作正在继续深入研究之中。在探索具有层状结构的二元硼化物中,我们发现在MoB4样品中出现2~3K的超导转变,但由于MoB4和MoB2结构相同,制备MoB4单相样品困难,故未能确定MoB4是否超导。

论文目录

  • 摘要
  • Abstract
  • 目录
  • 第一章 绪论
  • 1.1 超导体研究回顾
  • 1.1.1 超导体材料概述
  • 1.1.2 超导材料的类型
  • 1.1.3 高温超导机理的研究
  • 1.1.4 高温超导基础研究的意义
  • 1.1.5 高温超导的夹层模型
  • 1.1.6 当前超导体研究的方向
  • 1.2 本论文的研究背景和研究动机
  • 第二章 样品制备及结构和物性测量方法
  • 2.1 试样的制备
  • 2.1.1 配料和熔炼
  • 2.1.2 合金试样的均匀化处理
  • 2.1.3 淬冷技术
  • 2.2 样品的X射线结构分析
  • 2.2.1 X射线分析原理简介
  • 2.2.2 X射线结构分析实验过程和数据处理
  • 2.3 电阻和磁性测量方法
  • 2.3.1 电阻测量
  • 2.3.2 磁性测量
  • 2.3.3 两种方法比较
  • 2.4 扫描电子显微镜
  • 2.4.1 扫描电子显微镜的工作原理
  • 2.4.2 扫描电镜具有以下的特点
  • 第三章 C合金超导体探索
  • 3.1 典型的含C合金超导体研究进展
  • 6,CaC6'>3.1.1 YbC6,CaC6
  • 3.1.2 B掺杂金刚石
  • 2C3'>3.1.3 Y2C3
  • 3'>3.1.4 MgCNi3
  • 282C,YPd2B2C'>3.1.5 RNi282C,YPd2B2C
  • 60'>3.1.6 碱金属掺杂C60
  • 3.1.7 NbC,TaC
  • xTa2S2C,MxNb2S2C'>3.1.8 MxTa2S2C,MxNb2S2C
  • 3.2 含碳钙钛矿结构化合物探索
  • xGeNi3化合物的合成和物性研究'>3.2.1 CxGeNi3化合物的合成和物性研究
  • 3.2.1.1 样品制备
  • 3.2.1.2 物相分析和物性测量
  • 3.2.1.3 结构和电磁性能
  • 3.2.2 其它钙钛矿结构碳合金化合物探索
  • 3.3 含碳其它结构化合物探索
  • 3.4 小结
  • 3Si结构和超导电性影响研究'>第四章 Ti-Cr共掺杂对V3Si结构和超导电性影响研究
  • 4.1 引言
  • 4.2 实验方法
  • 4.2.1 样品制备
  • 4.2.2 物相分析和物性测量
  • 4.2.3 结构和电磁性能
  • 4.3 小结
  • 第五章 含B合金超导体探索
  • 5.1 引言
  • 5.2 含B立方结构化合物探索
  • 1-xYxB6系列化合物的合成和物性研究'>5.2.1 Nd1-xYxB6系列化合物的合成和物性研究
  • 5.2.1.1 样品制备
  • 5.2.1.2 物相分析和物性测量
  • 1-xYxB6系列样品的结构和磁性能'>5.2.1.3 Nd1-xYxB6系列样品的结构和磁性能
  • 0.2Y0.8B6、Y0.8Sm0.2B6和YxZr1-xB12化合物合成'>5.2.2 Nd0.2Y0.8B6、Y0.8Sm0.2B6和YxZr1-xB12化合物合成
  • 5.2.2.1 样品制备
  • 5.2.2.2 物相分析和物性测量
  • 0.2Y0.8B6、Y0.8Sm0.2B6结构和磁性能'>5.2.2.3 Nd0.2Y0.8B6、Y0.8Sm0.2B6结构和磁性能
  • xZr1-xB12系列化合物结构'>5.2.2.4 YxZr1-xB12系列化合物结构
  • 5.3 含B其它结构化合物探索
  • 5.4 小结
  • 第六章 总结与展望
  • 参考文献
  • 硕士期间论文目录
  • 致谢
  • 相关论文文献

    • [1].双面发电高效率N型Si太阳电池及组件的研制[J]. 太阳能学报 2013(12)
    • [2].高效率n型Si太阳电池技术现状及发展趋势[J]. 半导体光电 2013(03)
    • [3].CaCl_2-NaCl-CaO熔盐中电解精炼Si的研究[J]. 金属学报 2012(02)
    • [4].1.25Cr-0.5Mo-Si钢加氢反应器的选材设计[J]. 化工设备与管道 2012(02)
    • [5].Si含量对放电等离子烧结制备(1-x)Ti_3SiC_2+xSiC复合材料的影响[J]. 中国有色金属学报 2011(06)
    • [6].Si基微波单片集成电路的发展[J]. 半导体技术 2010(03)
    • [7].机械搅拌对高硅铝合金初生Si形态的影响[J]. 热加工工艺 2009(09)
    • [8].Si对可锻铸铁显微组织和硬度的影响[J]. 热加工工艺 2009(23)
    • [9].6.5% Si电工钢的特性及应用[J]. 南方金属 2009(06)
    • [10].铸态球铁角型轴承箱产生石墨漂浮的原因及C、Si含量的选择[J]. 中国铸造装备与技术 2008(01)
    • [11].1.2%Si冷轧无取向电工钢铸坯高温延塑性研究[J]. 钢铁钒钛 2012(03)
    • [12].Si掺杂对TiO_2空心微球微结构和光催化性能的影响[J]. 催化学报 2011(02)
    • [13].脉冲电流对纯Si凝固组织及性能的影响[J]. 燕山大学学报 2010(04)
    • [14].信号完整性的SI设计规划问题的浅析[J]. 黑龙江科技信息 2010(35)
    • [15].离子注入法制备Si基量子点[J]. 武汉大学学报(理学版) 2008(01)
    • [16].汉语新程度副词“超”和越南语“siêu”的异同[J]. 云南师范大学学报(对外汉语教学与研究版) 2012(01)
    • [17].空位和B掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响[J]. 物理化学学报 2011(02)
    • [18].电阻率对电容法测Si片厚度的影响[J]. 半导体技术 2010(05)
    • [19].高比表面积多孔Si层柱蒙脱土材料的合成和表征[J]. 燃料化学学报 2008(02)
    • [20].稀土铈含量对1.2%Si无取向电工钢组织、织构及磁性能的影响[J]. 机械工程材料 2014(01)
    • [21].基于SI实现逼近网络原理的连续小波变换[J]. 科技信息 2009(05)
    • [22].陷阱分布模型对非晶Si太阳电池性能的影响[J]. 微纳电子技术 2009(07)
    • [23].Si—C型聚醚改性硅油消泡剂的研制[J]. 有机硅材料 2008(06)
    • [24].炭泡沫中Si含量对碳化硅多孔陶瓷组织和性能的影响[J]. 北京理工大学学报 2008(09)
    • [25].Si(111)表面离子束辅助沉积对类金刚石薄膜结构影响的计算机模拟[J]. 内蒙古民族大学学报(自然科学版) 2009(03)
    • [26].铝硅合金高温摩擦表层Si相细化和球化现象[J]. 特种铸造及有色合金 2009(06)
    • [27].设计心理学在连锁店SI规划中的运用[J]. 家具与室内装饰 2009(10)
    • [28].络合物对水—岩作用SI模型计算的影响程度分析[J]. 勘察科学技术 2008(03)
    • [29].铸造铝合金预置Si粉激光表面合金化研究[J]. 金属热处理 2008(09)
    • [30].(101)面生长双轴应变Si带边模型(英文)[J]. 半导体学报 2008(09)

    标签:;  ;  ;  ;  ;  ;  

    含C、Si、B新超导体探索
    下载Doc文档

    猜你喜欢