本文主要研究内容
作者赵聪,郭迪,潘彦君,龚达涛,孙向明（2019）在《10 Gbps VCSEL激光器驱动CMOS集成电路》一文中研究指出：本设计采用国内GSMC 130 nm SOI CMOS工艺设计了一款10 Gbps的激光器驱动芯片。电路核心部分由限幅放大级、输出驱动电路、8 bit DAC电路、偏置基准电路等组成。其中,为了在130 nm工艺下实现10 Gbps速率,限幅放大级采用共享电感并联峰化技术实现带宽拓展,同时兼顾了面积与功耗的考量。该芯片整体面积为2.16 mm×1.24 mm,采用1.2 V电源供电,后仿真结果表明,在典型输入差分200 mV、10 Gbps的激励信号下,可提供2～8.6 mA范围可调调制电流和1～3 mA范围可调偏置电流。在典型配置下,输出5 mA调制电流和2 mA偏置电流,总功耗为51.2 mW,输出眼图张开且清晰。性能指标可以满足光纤通信系统和快速以太网的应用。
Abstract
ben she ji cai yong guo nei GSMC 130 nm SOI CMOSgong yi she ji le yi kuan 10 Gbpsde ji guang qi qu dong xin pian 。dian lu he xin bu fen you xian fu fang da ji 、shu chu qu dong dian lu 、8 bit DACdian lu 、pian zhi ji zhun dian lu deng zu cheng 。ji zhong ,wei le zai 130 nmgong yi xia shi xian 10 Gbpssu lv ,xian fu fang da ji cai yong gong xiang dian gan bing lian feng hua ji shu shi xian dai kuan ta zhan ,tong shi jian gu le mian ji yu gong hao de kao liang 。gai xin pian zheng ti mian ji wei 2.16 mm×1.24 mm,cai yong 1.2 Vdian yuan gong dian ,hou fang zhen jie guo biao ming ,zai dian xing shu ru cha fen 200 mV、10 Gbpsde ji li xin hao xia ,ke di gong 2～8.6 mAfan wei ke diao diao zhi dian liu he 1～3 mAfan wei ke diao pian zhi dian liu 。zai dian xing pei zhi xia ,shu chu 5 mAdiao zhi dian liu he 2 mApian zhi dian liu ,zong gong hao wei 51.2 mW,shu chu yan tu zhang kai ju qing xi 。xing neng zhi biao ke yi man zu guang qian tong xin ji tong he kuai su yi tai wang de ying yong 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自电子设计工程的赵聪,郭迪,潘彦君,龚达涛,孙向明，发表于刊物电子设计工程2019年13期论文，是一篇关于光纤通信系统论文,激光器驱动论文,电感峰化技术论文,限幅放大级论文,输出驱动级论文,电子设计工程2019年13期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自电子设计工程2019年13期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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