论文摘要
单片集成的主振半导体激光放大器作为一种紧凑的高功率半导体激光光源为人们广泛接受。该类器件被证实可以实现单频、近衍射极限大功率输出。主振光源一般采用可获得较高光束质量的分布反馈激光器(DBR),但其制作工艺复杂。我们提出了工艺简单且容易集成的半环形激光器。数值分析了半环形激光器的单模工作条件,同时模拟分析了半环形结构对弯曲损耗及阈值电流密度的影响。为了保持较低的阈值电流,本文建议曲率半径选择在900μm左右。光放大器通常采用锥形结构。通过建立锥形放大器理论模型,分析了线宽增强因子和有效微分增益对光束质量的影响。我们提出了锥形光放大器设计结构,并结合实验测量了其近场及远场分布。
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