本文主要研究内容
作者佟晓明（2019）在《化学机械抛光后清洗专利技术综述》一文中研究指出：化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)清洗的目的就是把CMP中的残留粒子和金属沾污减少到可接受的水平,后清洗是CMP加工的重要部分。文章通过对全球专利申请量、专利申请在不同国家的分布、重要申请人分布进行分析,概述了CMP后清洗技术的发展脉络,为日后CMP后清洗技术的发展提供了借鉴。
Abstract
hua xue ji xie pao guang (Chemical Mechanical Polishing,CMP)qing xi de mu de jiu shi ba CMPzhong de can liu li zi he jin shu zhan wu jian shao dao ke jie shou de shui ping ,hou qing xi shi CMPjia gong de chong yao bu fen 。wen zhang tong guo dui quan qiu zhuan li shen qing liang 、zhuan li shen qing zai bu tong guo jia de fen bu 、chong yao shen qing ren fen bu jin hang fen xi ,gai shu le CMPhou qing xi ji shu de fa zhan mai lao ,wei ri hou CMPhou qing xi ji shu de fa zhan di gong le jie jian 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自科技创新与应用的佟晓明，发表于刊物科技创新与应用2019年26期论文，是一篇关于清洗论文,专利申请论文,科技创新与应用2019年26期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自科技创新与应用2019年26期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
标签：清洗论文; 专利申请论文; 科技创新与应用2019年26期论文;