本文主要研究内容
作者卢云,王若男,柯建成,王莉（2019）在《PbO和Nb2O5共掺杂对CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能的影响》一文中研究指出：采用固相反应法制备PbO和Nb2O5共掺杂的CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷,研究了CCTO巨介电效应机理。通过XRD,SEM,介电频谱及阻抗谱等测试手段,分析纯CCTO陶瓷,PbO掺杂的CCTO陶瓷和PbO、Nb2O5共掺杂CCTO陶瓷的微观结构及介电性能,研究结果表明:掺杂PbO可以显著降低CCTO陶瓷的介电损耗,掺杂摩尔分数2%PbO的CCTO陶瓷的介电损耗从0.13下降到0.03,但其介电常数也显著下降;摩尔分数2%PbO和0.25%Nb2O5共掺杂的CCTO陶瓷,在0.1～1 k Hz频率范围内相对介电常数高达4.6×104～5.5×104,而介电损耗只有0.09左右,且摩尔分数2%PbO和0.5%Nb2O5共掺杂的CCTO陶瓷的相对介电常数在4×104左右。因此,PbO和Nb2O5共掺杂可以在增加CCTO陶瓷介电常数的同时降低其介电损耗。结合阻抗谱分析表明,CCTO陶瓷的介电损耗在低频下由晶界电阻决定,在高频下主要受晶粒电容的影响,而介电常数的大小取决于晶粒尺寸和晶界极化,符合IBLC模型。
Abstract
cai yong gu xiang fan ying fa zhi bei PbOhe Nb2O5gong can za de CaCu3Ti4O12（CCTO）tao ci ,yan jiu le CCTOju jie dian xiao ying ji li 。tong guo XRD,SEM,jie dian pin pu ji zu kang pu deng ce shi shou duan ,fen xi chun CCTOtao ci ,PbOcan za de CCTOtao ci he PbO、Nb2O5gong can za CCTOtao ci de wei guan jie gou ji jie dian xing neng ,yan jiu jie guo biao ming :can za PbOke yi xian zhe jiang di CCTOtao ci de jie dian sun hao ,can za ma er fen shu 2%PbOde CCTOtao ci de jie dian sun hao cong 0.13xia jiang dao 0.03,dan ji jie dian chang shu ye xian zhe xia jiang ;ma er fen shu 2%PbOhe 0.25%Nb2O5gong can za de CCTOtao ci ,zai 0.1～1 k Hzpin lv fan wei nei xiang dui jie dian chang shu gao da 4.6×104～5.5×104,er jie dian sun hao zhi you 0.09zuo you ,ju ma er fen shu 2%PbOhe 0.5%Nb2O5gong can za de CCTOtao ci de xiang dui jie dian chang shu zai 4×104zuo you 。yin ci ,PbOhe Nb2O5gong can za ke yi zai zeng jia CCTOtao ci jie dian chang shu de tong shi jiang di ji jie dian sun hao 。jie ge zu kang pu fen xi biao ming ,CCTOtao ci de jie dian sun hao zai di pin xia you jing jie dian zu jue ding ,zai gao pin xia zhu yao shou jing li dian rong de ying xiang ,er jie dian chang shu de da xiao qu jue yu jing li che cun he jing jie ji hua ,fu ge IBLCmo xing 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自电子元件与材料的卢云,王若男,柯建成,王莉，发表于刊物电子元件与材料2019年08期论文，是一篇关于固相反应论文,陶瓷论文,共掺杂论文,微观结构论文,巨介电性能论文,模型论文,电子元件与材料2019年08期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自电子元件与材料2019年08期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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