论文摘要
本文首先在绪论中讨论了红外物理学科研究的重要性以及远红外探测器研究的进展、我们面临的挑战和需要解决的问题,然后对半导体器件研究中用到的傅立叶变化光谱方法和远红外光谱的物理图象进行了简要的原理概括,接下来我们介绍了光学单层薄膜的菲涅耳公式法,多层薄膜的菲涅耳系数矩阵法等实验理论计算中的光学方法以及半导体光学参数、K-K关系、半导体薄膜的反射投射模型。我们以成熟的GaAs材料为例,研究了半导体远红外反射镜中的反射率和相位。通过测量不同掺杂浓度的15块n-GaAs和p-GaAs薄膜样品的远红外反射谱,再通过理论拟合,我们得到了自由载流子的弛豫时间随掺杂浓度变化的经验公式。我们把通过拟和样品远红外反射谱得到的自由载流子的弛豫时间转化成迁移率,和霍尔实验测得的迁移率结果进行了比较,并对两种迁移率之比的规律作出了定性的分析。我们把经验公式应用到数值计算中,详细讨论了反射镜的结构和材料
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