SOI-MMI光波导器件与光开关研究

论文题目: SOI-MMI光波导器件与光开关研究

论文类型: 博士论文

论文专业: 电子科学与技术

作者: 贾晓玲

导师: 张峰

关键词: 全光网络,波分复用,多模干涉耦合器,光开

文献来源: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）

发表年度: 2005

论文摘要: 基于自镜像效应的多模干涉(MMI)型光波导器件因其具有结构紧凑、带宽大、制作容差性好等优点，已广泛应用于各种集成光学器件中。本文开展了一系列基于SOI材料的MMI型光波导器件和光开关的研究。介绍了MMI光耦合器的基本原理，分析了光场分布，介绍了普通型MMI光耦合器、配对型MMI光耦合器和对称型MMI光耦合器的工作原理和入射光场位置需满足的条件，介绍了双曲型MMI光耦合器的结构和工作原理；设计和优化了2×2阶配对型和双曲型MMI光耦合器，采用BPM方法对其进行了模拟，分析了多模波导的尺寸以及不同的归一化宽度对其输出不均衡度和附加损耗的影响；设计和优化了不同衬底的1×4阶对称型MMI光耦合器，并进行了模拟，分析了通过改变衬底厚度改变波导层与衬底层之间折射率差值对于器件性能的影响；设计和优化了配对型和斜边型1.3／1.55μm波分复用器，给出器件的波长隔离度和插入损耗两个关键技术指标随器件结构参数变化的分布曲线，分析了变化规律；简要介绍了MMI型马赫—曾德光开关的原理，设计了1×4阶和4×4阶SOI-MMI马赫—曾德光开关，通过计算得出了不同开关状态所需的驱动条件，并给出了相应的光场分布；介绍了区域调制光开关的工作原理，设计和优化了3×3阶SOI-MMI型区域调制光开关，对于其多模波导的结构进行了优化设计，分别给出了开关处于不同输入输出状态时，各折射率调制区的长度对于开关的消光比和各通道间串扰的影响，给出了经模拟获得的分布曲线，最后获得了开关的最佳结构参数。

论文目录:

致谢

摘要

Abstract

第一章绪论

1.1 全光通信系统发展概况

1.2 波分复用全光网的兴起与发展

1.3 WDM系统中的光开关技术

1.4 SOI基集成光电子器件研究进展

1.5 本论文的主要内容

第二章 BPM方法和MMI耦合器基本原理

2.1 引言

2.2 BPM方法

2.3 MMI光耦合器基本原理

2.3.1 普通型MMI光耦合器

2.3.2 配对型MMI光耦合器

2.3.3 对称型MMI光耦合器

2.3.4 双曲型MMI光耦合器

2.4 小结

第三章 SOI-MMI型光耦合器与波分复用器的设计与优化

3.1 引言

3.2 MMI型光耦合器的设计与优化

3.2.1 2×2阶配对型MMI光耦合器的设计与优化

3.2.2 1×4阶对称型MMI光耦合器的设计与优化

3.3 SOI-MMI型波分复用器的设计与优化

3.4 斜边型MMI波分复用器的设计与优化

3.5 小结

第四章 SOI-MMI光开光的设计与优化

4.1 引言

4.2 SOI-MMI型马赫—曾德光开关的设计

4.2.1 N×N阶MMI型马赫—曾德光开关模型

4.2.2 1×4阶SOI-MMI型马赫—曾德光开关设计

4.2.3 4×4阶SOI-MMI型马赫—曾德光开关的设计

4.3 SOI-MMI区域调制光开关的设计与优化

4.3.1 3×3阶矩形SOI-MMI区域调制光开关的设计与优化

4.3.2 3×3阶双曲形SOI-MMI区域调制光开关设计与优化

4.4 小结

第五章结论

参考文献

撰写论文

发布时间: 2007-06-12

参考文献

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