导读:本文包含了双晶外延论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:X射线双晶衍射,分子束外延,量子阱,电化学C-V
双晶外延论文文献综述
马永强[1]（2007）在《GaAs多层异质外延结构材料和SiC MESFET结构材料的X射线双晶衍射分析》一文中研究指出X射线双晶衍射法(XRD)能够分析生长材料的结晶完整性、均匀性、层厚、组分、应变、缺陷和界面等重要信息,同时具有非破坏性、精度高、操作简便等优点,逐渐成为对晶体质量测试的主要手段之一。本文采用优化MBE技术生长了GaAs基多层异质结材料并利用CVD法生长了SiC MESFET同质外延材料,运用X射线运动学理论并结合动力学模拟分析软件对样品的结构参数和界面完美性进行了详细的研究分析。具体内容如下:1.计算了InGaAs/GaAs量子阱材料的结构参数,并结合动力学模拟软件对材料的结构参数进行模拟。实验结果表明MBE技术中引入双速生长法,在生长量子阱中超薄的阱层和垒层结构时,采用较慢速率生长可使层厚偏差仅为几个埃;在生长较厚帽层和缓冲层时,采用相对较快速率生长的层厚误差也小于1.8%;引入中止生长法使材料中In组分的误差百分比小于1.9%。电化学C-V法测试结果也表明MBE系统中配置两个掺杂Si源,设定不同的温度分别进行轻掺杂和重掺杂,使量子阱材料帽层中的掺杂浓度百分比误差小于3.3%。2.利用布拉格定律对X射线双晶衍射系统中Kα1和Kα2射线带宽Δλ在衍射中产生的色散效应进行了研究,推导了由色散效应引起的衍射峰展宽宽度的计算方法和公式,分析结果表明参考晶体与测试样品各外延层晶体的衍射面间距的接近程度,直接影响了各外延层衍射峰展宽程度的大小。3.对4H-SiC单晶和CVD法生长的4H-SiC金属-半导体场效应晶体管(MESFET)同质外延材料样品的(004)面XRD测试中出现的相对较低的衍射强度现象进行了初步分析和讨论,研究了双原子层结构在X射线衍射过程的影响作用。(本文来源于《河北工业大学》期刊2007-11-01）
冯淦,朱建军,沈晓明,张宝顺,赵德刚[2]（2003）在《GaN外延膜厚度的X射线双晶衍射测量》一文中研究指出提出了一种利用X射线双晶衍射测量GaN厚度的新方法。该方法采用GaN积分强度和衬底积分强度的比值与样品厚度的关系来测量GaN外延膜厚度,此比值与GaN样品厚度在t<2μm为线性关系。该方法消除了因GaN吸收造成的影响,比单纯用GaN积分强度与样品厚度的关系推算GaN外延膜厚度精度更高,更方便可靠。(本文来源于《中国科学G辑:物理学、力学、天文学》期刊2003年02期）
曲轶,高欣,张宝顺,薄报学,张兴德[3]（1999）在《双晶x射线衍射法测量超薄层外延材料厚度》一文中研究指出介绍了通过双晶ｘ 射线衍射测量超薄外延层厚度的一种方法。利用回摆曲线中的干涉条纹测量了通过ＭＢＥ生长的Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ／Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ａｓ／Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ结构的各层层厚(本文来源于《半导体技术》期刊1999年06期）
卢焕明,叶志镇,黄靖云,汪雷,赵炳辉[4]（1999）在《超高真空CVD生长锗硅外延层及其双晶X射线衍射研究》一文中研究指出利用自行研制的超高真空化学气相沉积系统 ,在直径 3英寸的衬底硅片上生长了锗硅应变外延层 ,并进行了实时掺杂生长。利用双晶X射线衍射技术测试了外延层 ,确定外延层的组分与晶体质量 ,并利用二次离子质谱仪进行了纵向组分分布剖析 ,利用扩展电阻仪确定外延层的电学特性。研究了锗硅应变外延层的生长特性和材料特性 ,生长速率随锗组分的增加而降低 ,以氢气为载气的硼烷对锗硅合金的生长速率有促进作用。还通过生长锗组分渐变的缓冲层 ,改善了外延层的晶体质量(本文来源于《真空科学与技术》期刊1999年01期）
张仕国,江鉴,陈立登,袁骏,张民杰[5]（1998）在《用双晶 X 射线衍射研究 Si 液相外延层》一文中研究指出以Ｉｎ作溶剂、使用石墨滑动舟在硅衬底上液相法生长了硅外延层．双晶Ｘ射线衍射表明，对不同的生长条件，一些样品显示出具有双峰的摇摆曲线，另外一些则只有单峰，对于前者，ＸＰＳ测不出Ｉｎ的存在，而对后者，ＸＰＳ却显示硅外延层含有Ｉｎ．由此得出结论，只用双晶Ｘ射线衍射难以确定外延层的掺杂情况．(本文来源于《浙江大学学报(自然科学版)》期刊1998年02期）
庄岩,王玉田,马文全,林耀望,周增圻[6]（1997）在《MBE InGaAs/GaAs外延层晶胞弛豫直接测量的X射线双晶衍射方法》一文中研究指出本文采用了以解理面为衍射基面，直接测量水平弛豫的方法测量了InxGa1-xAs（衬底为GaAs，x～0．1）外延层的应变及其弛豫状态．在以解理面为衍射基面的衍射曲线上清楚地观测到了衬底峰与外延峰的分裂．表明当InGaAs层厚度较厚（～2μm）时，InGaAs外延层与衬底GaAs已处于非共格生长状态，同时发现大失配的InGaAs晶胞并没有完全弛豫恢复到自由状态．其平行于表面法线的晶格参数略大于垂直方向上的晶格参数（△a／a～10-3）．并且晶胞在弛豫过程中产生了切向应变．在考虑了切向应变的基础上准确地确定出了InGaAs层的In组分x．(本文来源于《半导体学报》期刊1997年07期）
李力,李明,徐景阳[7]（1996）在《YBCO／STO超导外延膜的X－射线双晶衍射研究》一文中研究指出应用Ｘ－射线双晶衍射对磁控溅射法制备的ＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_（７－ｘ）／ＳｒＴｉＯ_３超导外延膜和衬底之间的位向关系以及晶体完整性的研究，表明衬底和外延在相应的衍射面之间存在与两者点阵常数差无关的位向差。这种位向差与测量方向（φ角）有关，在孪晶界方向出现极值。外延摇摆曲线的半峰宽值显示外延完整性较差，其值与测量方向有关，而不同方向上的点阵常数变化却不大。这可能分别与孪晶存在和孪晶有择优取向以及外延镶嵌块间夹角变化有关。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊1996年01期）
郝茂盛,王玉田,梁骏吾[8]（1995）在《GaAs/Si外延层X射线双晶衍射摇摆曲线的动力学模拟和位错密度的测量》一文中研究指出利用X射线衍射动力学理论和位错的小角晶界模型,分析了GaAs/Si外延层中位错对X射线双晶衍射摇摆曲线的影响,认为GaAs/Si外延层并不是严格取向一致的完整单晶膜,而是存在着许多小角晶界的镶嵌晶体,并推导出了其中镶嵌块的晶向分布函数和晶格应变分布函数,模拟出了GaAs/Si外延层X射线双晶衍射摇摆曲线,由此曲线计算出了GaAs/Si外延层中的位错密度。同时还得到了Si衬底上GaAs外延层中镶嵌块的大小。为分析高失配外延材料的双晶衍射摇摆曲线提供了新的方法。(本文来源于《中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学)》期刊1995年11期）
朱南昌,李润身,陈京一,许顺生[9]（1995）在《外延层组分界面状况的X射线双晶衍射测定》一文中研究指出本文介绍了一种用Ｘ射线双晶衍射仪测定外延层与衬底界面状况并同时测定外延层点阵常数及组分的方法，只需测量叁个衍射，并考虑了晶体表面偏离对称轴的影响．同时，引入了表征界面状态的界面共格因子，讨论了它的意义．实验结果表明：在测定大失配体系外延材料的组分时，同时测定外延层与衬底之间以及外延层与外延层之间的界面关系是必要的．(本文来源于《半导体学报》期刊1995年01期）
王世光,戴远东,曾祥辉,郑培辉,王志光[10]（1993）在《双晶衬底的制备及外延钇钡铜氧晶界结的性能》一文中研究指出使用加压烧结的方法成功地制备了氧化锫双晶基片。通过激光淀积积离子束刻蚀,我们制备了外延钇钡铜氧薄膜晶界结,研究了热激活相位滑移机制对弱连接性能的影响。(本文来源于《低温物理学报》期刊1993年04期）
双晶外延论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
提出了一种利用X射线双晶衍射测量GaN厚度的新方法。该方法采用GaN积分强度和衬底积分强度的比值与样品厚度的关系来测量GaN外延膜厚度,此比值与GaN样品厚度在t<2μm为线性关系。该方法消除了因GaN吸收造成的影响,比单纯用GaN积分强度与样品厚度的关系推算GaN外延膜厚度精度更高,更方便可靠。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
双晶外延论文参考文献
[1].马永强.GaAs多层异质外延结构材料和SiCMESFET结构材料的X射线双晶衍射分析[D].河北工业大学.2007
[2].冯淦,朱建军,沈晓明,张宝顺,赵德刚.GaN外延膜厚度的X射线双晶衍射测量[J].中国科学G辑:物理学、力学、天文学.2003
[3].曲轶,高欣,张宝顺,薄报学,张兴德.双晶x射线衍射法测量超薄层外延材料厚度[J].半导体技术.1999
[4].卢焕明,叶志镇,黄靖云,汪雷,赵炳辉.超高真空CVD生长锗硅外延层及其双晶X射线衍射研究[J].真空科学与技术.1999
[5].张仕国,江鉴,陈立登,袁骏,张民杰.用双晶X射线衍射研究Si液相外延层[J].浙江大学学报(自然科学版).1998
[6].庄岩,王玉田,马文全,林耀望,周增圻.MBEInGaAs/GaAs外延层晶胞弛豫直接测量的X射线双晶衍射方法[J].半导体学报.1997
[7].李力,李明,徐景阳.YBCO／STO超导外延膜的X－射线双晶衍射研究[J].功能材料与器件学报.1996
[8].郝茂盛,王玉田,梁骏吾.GaAs/Si外延层X射线双晶衍射摇摆曲线的动力学模拟和位错密度的测量[J].中国科学(A辑数学物理学天文学技术科学).1995
[9].朱南昌,李润身,陈京一,许顺生.外延层组分界面状况的X射线双晶衍射测定[J].半导体学报.1995
[10].王世光,戴远东,曾祥辉,郑培辉,王志光.双晶衬底的制备及外延钇钡铜氧晶界结的性能[J].低温物理学报.1993