本文主要研究内容
作者胡黎,冯旭东,明鑫,张波（2019）在《高压GaN隔离栅驱动技术设计考虑》一文中研究指出：GaN晶体管相对于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件有更小的导通电阻和栅电荷,在高速、高功率密度应用中独具优势。高速高能效电平转换器作为高侧栅极驱动的关键模块,主要决定高侧通道的传输延迟。但在高频应用中,电平转换器由于其传输延迟较大、功耗大及抗共模瞬态抑制(CMTI)能力弱等原因已不再适用。此处首先重点分析电平转换器存在的主要问题以及在高压应用下的不适用性,然后针对高压应用描述了几种替代电平转换器结构的隔离驱动结构并着重分析了数字隔离器的工作原理。数字隔离器由于其寄生电容小、传输延迟小以及抗共模噪声干扰能力强等优异的特性能够很好地满足高压的应用需求。
Abstract
GaNjing ti guan xiang dui yu jin shu yang hua wu ban dao ti chang xiao ying jing ti guan (MOSFET)qi jian you geng xiao de dao tong dian zu he shan dian he ,zai gao su 、gao gong lv mi du ying yong zhong du ju you shi 。gao su gao neng xiao dian ping zhuai huan qi zuo wei gao ce shan ji qu dong de guan jian mo kuai ,zhu yao jue ding gao ce tong dao de chuan shu yan chi 。dan zai gao pin ying yong zhong ,dian ping zhuai huan qi you yu ji chuan shu yan chi jiao da 、gong hao da ji kang gong mo shun tai yi zhi (CMTI)neng li ruo deng yuan yin yi bu zai kuo yong 。ci chu shou xian chong dian fen xi dian ping zhuai huan qi cun zai de zhu yao wen ti yi ji zai gao ya ying yong xia de bu kuo yong xing ,ran hou zhen dui gao ya ying yong miao shu le ji chong ti dai dian ping zhuai huan qi jie gou de ge li qu dong jie gou bing zhao chong fen xi le shu zi ge li qi de gong zuo yuan li 。shu zi ge li qi you yu ji ji sheng dian rong xiao 、chuan shu yan chi xiao yi ji kang gong mo zao sheng gan rao neng li jiang deng you yi de te xing neng gou hen hao de man zu gao ya de ying yong xu qiu 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自电力电子技术的胡黎,冯旭东,明鑫,张波，发表于刊物电力电子技术2019年06期论文，是一篇关于数字隔离器论文,电平转换器论文,传输延迟论文,电力电子技术2019年06期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自电力电子技术2019年06期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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