论文摘要
氧化锌(ZnO)是一种宽带隙半导体化合物材料,室温下的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能达到60meV,化学性质稳定,材料类型丰富,通过掺杂具有较好的光电性能。氧化镁(MgO)有很大的能隙宽度(约为7.78 eV) ,而且Mg的离子半径为0.057nm与Zn的离子半径0.06nm非常接近。Mg掺杂ZnO能使纳米材料的禁带宽度在3.37~7.78eV之间连续可调,可制得覆盖从蓝光到紫外光谱区域半导体激光器。因此Mg掺杂ZnO纳米材料的制备及性能研究是一项具有广泛研究意义的课题。本文简要综述了目前氧化锌(ZnO)纳米材料的制备方法、掺杂现状以及MgZnO合金的性能、应用和研究现状。并在此基础上探讨选择化学气相沉积(CVD)法、玻璃衬底,制备出两种独特形貌的ZnMgO/ ZnO纳米材料,分析了形成机制,讨论了生长参数对形貌的影响,如载气流速、生长温度、室内压强。以及简要说明了硅衬底和玻璃衬底对材料形貌、应用领域的影响。此外,还研究了其发光性能。主要有以下三方面的工作:1、ZnMgO/ZnO微纳米球、纳米棒的制备及性能采用化学气相沉积法(CVD)在玻璃衬底上制备出了ZnMgO/ZnO微纳米球、纳米棒,实验过程简单,无需催化剂。用扫描电子显微镜(SEM)观测发现ZnMgO微纳米球是空心、外辐射状。同时得到了排列整齐的MgZnO纳米棒,纳米棒直径100纳米~300纳米不等,MgZnO纳米棒仍保持ZnO纳米棒常见的六边形貌。室温下光致发光谱发现在349.5nm(Origin拟合)和420.5nm有两个典型的发射峰。ZnO纳米棒阵列大面积生成,排列紧凑,ZnO微纳米球生长在纳米棒阵列之上。分析了形成机制。2、ZnMgO带梳、纳米棒的制备及光学性能用化学气相沉积法(CVD)在玻璃衬底上通过改变载气(氩气)的流速和生长温度制备了Mg掺杂ZnO纳米棒和帯梳,实验无催化剂、结构、光致发光性质,我们采用扫描电子显微镜(SEM,J EOL-6360LV)、X-射线衍射仪(XRD,MAC science M18X)、能谱仪(EDS)、He-Cd激光器进行了测试。分析了帯梳的生长过程,Mg掺入产生了226meV的近带边发射峰的蓝移,起到了对ZnO禁带宽度的调节作用。3、玻璃衬底与硅衬底制备ZnMgO纳米材料的比较运用相同的实验方法,平行放置玻璃衬底和硅衬底,制备出ZnMgO微纳米球。并采用扫面电子显微镜(SEM)、能谱图(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、光致发光(PL)谱分别对样品进行了表征。发现导电玻璃衬底有助于纳米材料的快速生成,微纳米球内空心形貌较好;纳米棒粗细、大小均匀。硅衬底微纳米球内外辐射,纳米棒不规则,但有较好的c轴择优生长。简要分析了这些差异的原因机理。
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