导读:本文包含了铜薄膜论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:硫化铜薄膜,发展现状,性能研究,化学浴沉积
铜薄膜论文文献综述
孙赟[1]（2019）在《硫化铜薄膜的发展现状及性能研究》一文中研究指出硫化铜薄膜是一种应用前景十分广阔,具有非常优异的光电性能的光电功能薄膜材料。文章介绍了不同的化学方法制备硫化铜薄膜的优缺点,并着重研究了在化学浴沉积法制备硫化铜薄膜过程中,不同的溶液配比对硫化铜薄膜性能的影响。实验结果表明,将0.03mol/L的硫酸铜溶液与0.02mol/L的柠檬酸叁钠溶液络合搅拌,然后在向混合液中加入0.06mol/L的硫脲,在温度为80℃、pH值在8.5-8.8之间,沉积2.5H条件下,能够生长出镜面光滑、致密的硫化铜薄膜。(本文来源于《科技创新与应用》期刊2019年31期）
邱奕斌,陈倩倩,叶凡,蔡兴民,张东平[2]（2019）在《氮流量对掺氮氧化亚铜薄膜性能的影响》一文中研究指出氧化亚铜在光伏及光催化等领域有潜在应用,掺氮能增加其空穴浓度从而提高电导率,但氮在氧化亚铜的状态仍未被深入研究.在溅射压强等参数不变的条件下,逐步增加氮气流量,制备了一系列纯相的氮掺杂的氧化亚铜,并用X射线衍射、台阶仪、扫描电子显微镜、能量色散谱仪、拉曼光谱、X射线光电子能谱仪、霍尔效应及分光光度计等方法对所得样品进行分析.霍尔效应测试结果表明,氮掺杂能使氧化亚铜薄膜空穴浓度提高1个数量级.禁带宽度随氮气流量的增加而逐渐减小,氮在氧化亚铜中以β-N(氮原子)、α-N2(分子态氮,—N■N—)及γ-N2(分子态氮,N≡N)3种形式存在,随着氮流量的增加,β-N的结合能的峰强不断增强,而α-N2的结合能的峰强不断减弱.氮流量为2标准立方厘米每分钟(sccm)时所得样品的电阻率最小.(本文来源于《深圳大学学报(理工版)》期刊2019年05期）
孟灵灵,魏取福,黄新民,纪丹丹[3]（2019）在《涤纶基材表面银/铜薄膜制备及其性能》一文中研究指出为探索涤纶基Ag/Cu薄膜结构及性能,采用直流和射频共溅法,以不同组织结构纯涤纶织物为基材,金属银和铜为靶材,制备纳米薄膜。借助场发射扫描电子显微镜、X射线衍射仪、光电子能谱仪、织物感应式静电仪、纺织品防紫外线性能测试仪和电磁防辐射性能测试仪对试样表面薄膜形貌及结构、抗静电、防紫外线、电磁屏蔽性能进行表征。结果表明:非织造布表面薄膜均匀连续,机织布表面纳米颗粒直径较小,针织布表面颗粒分布较为连续,但仍然存在部分岛状颗粒;试样表面Cu(111)、Cu(200)、Ag(111)和Ag(200)衍射峰均不明显,结晶度低;纳米薄膜没有被氧化,以单质形式存在;以非织造布为基材的试样其抗静电、抗紫外线、电磁屏蔽性能最优,针织布最差。(本文来源于《纺织学报》期刊2019年07期）
Achraf,El,Kasmi,Henning,Vieker,吴令男,André,Beyer,Tarik,Chafik[4]（2019）在《高活性氧化亚铜薄膜材料的绿色合成研究（英文）》一文中研究指出本文采用一步脉冲雾化化学气相沉积法在250℃下制备了氧化亚铜薄膜催化剂.实验研究了前驱体中掺杂水对氧化铜薄膜表面形貌、拓扑结构、表面成分和光学特性的影响规律.结果表明所制得的催化剂为纯相的氧化亚铜.前驱体溶液中掺杂水会导致氧化亚铜的晶粒变小,从而使得共光学能隙从2.16 eV降至2.04 eV.原子力显微镜结果表明随着水的加入,氧化亚铜的表面粗糙度降低,表面更加均匀.此外,利用密度泛函理论计算得到了水和乙醇在氧化亚铜薄膜表面的吸附和反应特性,并提出了氧化亚铜的形成机理.本文开发了一种低成本且实际可行的薄膜制造方法,该方法在太阳能电池和半导体等领域具有潜在应用.(本文来源于《Chinese Journal of Chemical Physics》期刊2019年03期）
许萌[5]（2019）在《脉冲激光沉积法制备氧化亚铜薄膜的性质调控》一文中研究指出氧化亚铜(Cu2O)作为一种本征p型半导体材料,具有空穴迁移率高、光学吸收系数高、制备工艺简单和储备丰富等优点,在太阳能电池、光电二极管和薄膜晶体管等领域的应用前景良好。然而,目前报道的Cu2O薄膜通常具有迁移率低、电阻率大,混有CuO相,n型Cu2O薄膜难制备等问题,制约了 Cu2O薄膜基半导体器件的发展。因此,研究Cu2O薄膜的性质调控,制备出光电性能良好的纯相n型Cu2O薄膜,对于开发高性能Cu2O薄膜基电子器件和光电器件具有重要意义。本文采用脉冲激光沉积(PLD)法制备出了高质量的Cu2O薄膜,并系统深入地研究了氮等离子体处理、真空退火处理及锌(Zn)掺杂对Cu2O薄膜物相结构、表面形貌及光电性能的影响。本论文主要的研究内容与成果如下:(1)氮等离子体处理对Cu2O薄膜的性质调控研究了氮等离子体处理时间对PLD法制备的Cu2O薄膜性质的影响,并讨论了相关内在物理机制。我们发现薄膜的晶体结构、表面形貌、薄膜成分和光电性质都受到氮等离子体处理的影响。结果表明,通过不同时间的氮等离子体处理,薄膜从纯相Cu2O变成了 Cu2O和Cu的混合相,其导电类型从p型变为n型。样品的光学带隙在2.51-2.56 eV范围内变化。特别地,当氮等离子体处理时间为10 min时,我们得到了电阻率低至20.50 Ω·cm,霍尔迁移率为3.76 cm2V-1S-1的表面光滑的纯相n型Cu2O薄膜。(2)真空退火处理对Cu2O薄膜性质的影响研究了不同真空退火温度对PLD法制备的Cu2O薄膜性质的影响。结果表明,在真空退火温度不超过300℃时,得到的都是纯相Cu2O薄膜,且薄膜的霍尔迁移率随着退火温度的升高而增大;通过一定温度的真空退火处理,Cu20薄膜会从P型变为n型;其光学带隙在2.53-2.56 eV范围内变化。当真空退火温度为300℃时,我们得到了霍尔迁移率为22.56 cm2V-1s-1,载流子浓度为5.87× 1014 cm-3的纯相n型Cu2O薄膜。当真空退火温度增加到350℃时,薄膜从纯相Cu2O变为Cu2O和Cu的混合相,薄膜的透过率出现降低。(3)Zn掺杂Cu2O薄膜的制备及其性质研究用PLD法在掺铱氧化锆(YSZ)(100)衬底上制备出了Zn掺杂的Cu2O薄膜,研究了不同Zn掺杂浓度对Cu2O薄膜物相结构和光电性能性质的影响。我们发现随着Zn掺杂浓度的增加,薄膜从纯相Cu2O变成了Cu2O和ZnO的混合相;薄膜的透过率受Zn掺杂的影响较小,在500-900波长范围内,透过率基本上达到80%及其以上;其光学带隙在2.53-2.56 eV范围内变化。由于ZnO的形成,薄膜由p型变为n型,Hall迁移率逐渐减小。(本文来源于《山东大学》期刊2019-05-28）
杜永利[6]（2019）在《氧化铜及掺铟氧化铜薄膜的磁控溅射制备及研究》一文中研究指出氧化铜作为环保、无毒、廉价的直接带隙半导体材料,在诸多领域尤其太阳能电池领域有美好的应用前景。本研究采用直流磁控溅射法制备了氧化铜(CuO)及掺铟氧化铜(CuO:In)薄膜,并着重研究了氧氩比、衬底温度、溅射功率、反应气压等参数对薄膜微结构和光、电学性质的影响。此外,尝试制备了结构为Ag/PCBM/CH_3NH_3PbI_3/CuO/FTO的钙钛矿太阳能电池并测试其J-V特性。主要结果如下:(1)衬底温度170℃时制备了<-111>择优取向的单相CuO薄膜。晶轴a和b方向上存在压应力,而c轴上微观应力随衬底温度升高由压应力转变为拉应力。光学吸收边值在1.85 eV-1.94 eV之间变化,光学吸收边的略微蓝移可归结于量子尺寸效应。(2)氧氩比为1:2、衬底温度≥300℃时制备的CuO薄膜具有单相结构,而600℃时薄膜的<111>择优取向最强,500℃时薄膜的导电类型开始从p型转变n型。晶轴a,b和c方向上的微观应力随衬底温度升高均呈现为拉应力。薄膜的光学吸收边随着衬底温度的升高而先略微蓝移后红移。衬底温度为400℃时,薄膜的自由载流子浓度达到最大值3.406×10~(19) cm~(-3)。(3)室温时通过调制溅射功率制备了<-111>择优取向的CuO:In薄膜,CuO:In仍是直接带系半导体。随着溅射功率的增加,薄膜的<-111>择优取向增强,在140W时薄膜的择优性最强。轴a,b和c方向上的薄膜微观应力均为拉应力,薄膜的光学吸收边随溅射功率的增加略微红移,溅射功率为100 W时薄膜的导电类型开始由p型转变为n型。薄膜的自由载流子浓度具有最大值9.333×10~(18) cm~(-3),而迁移率具有最大值23.38 cm~2s~(-1)V~(-1)。(4)室温下在不同反应气压条件下制备了CuO:In单相薄膜。CuO:In仍为直接带隙半导体。高溅射功率下增大反应气压使薄膜的结晶改善和<-111>择优取向增强。薄膜a,b和c轴方向的晶粒生长呈现各向异性,薄膜的自由载流子浓度值均大于10~(18) cm~(-3),且导电类型随反应气压发生转变。(5)CuO薄膜可作为空穴传输层应用于钙钛矿太阳能电池。制备的Ag/PCBM/钙钛矿/CuO/FTO反型结构的太阳能电池的效率为1.3%,其中短路电流、开路电压、填充因子分别为3.26E-4 A、0.597 V、40.1%。(本文来源于《郑州大学》期刊2019-05-01）
伍泳斌,赵英杰,王晓娟,莫德清,钟福新[7]（2019）在《银掺杂氧化亚铜薄膜的制备及其光电性能》一文中研究指出采用水热法以Cu片为基底,Cu(NO_3)_2为铜源,十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为添加剂,通过调节Ag~+浓度,制备不同Ag掺杂Cu_2O(Ag/Cu_2O)薄膜。研究了样品的光电性能及电容-电压特性等,并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)对其晶体结构、形貌及组成进行了表征。结果表明,当体系中Ag~+浓度为0.03 mmol/L时,Ag/Cu_2O薄膜的光电性能最佳,光电压和光电流密度分别为0.458 5 V和3.011 mA·cm~(-2),比Cu_2O薄膜分别提高了0.205 1 V和1.359 mA·cm~(-2);Ag/Cu_2O薄膜的载流子浓度达到3.10×10~(20) cm~(-3),比Cu_2O薄膜提高了2.38×10~(20) cm~(-3)。XRD,SEM和EDS结果显示,Ag/Cu_2O薄膜的结晶性比Cu_2O薄膜好,但其粒径有所增大,Ag/Cu_2O薄膜中Ag元素的原子数分数为0.13%。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年04期）
孙赟[8]（2019）在《化学浴沉积法制备硫化铜薄膜的研究》一文中研究指出硫化铜是一种非常重要的p型半导体材料,具有出色的电磁学、光学特性,广泛应用于太阳能电池、光电转换开关、气敏传感器和光催化等领域。本文探索采用一种低温、环境友好的合成路线—化学浴沉积法(CBD)制备硫化铜薄膜。详细研究了化学浴沉积工艺参数,如溶液配比、pH、浓度、沉积温度和时间等对薄膜结构、厚度、形貌和光学性能的影响规律。研究发现沉积温度在65℃-70℃范围内,沉积2.5 h-3.0 h,pH在8.5-8.8之间可成功获得均匀致密的CuS薄膜;所制得的薄膜由垂直竖立于衬底表面的六方片状纳米片组成,薄膜表面光亮,可见光透过率达35%以上。通过控制反应参数,可制得厚度从40 nm至280 nm变化的CuS薄膜。研究结果表明溶液pH、配比和浓度均可通过调节溶液中游离态离子浓度从而调控异质成核和薄膜生长速率。pH从7.0升高至9.0,所得薄膜厚度从66 nm增加至150 nm,而透过率由78%降至50%;进一步调高pH,所得薄膜厚度反而降低,相应透过率增加。随着Cu~(2+)与C_6H_5O_7~(3-)比例的降低,所得薄膜从160 nm逐渐增加到280 nm,透过率从43%降至10%以下;随着Cu~(2+)与S~(2-)比例的升高,薄膜厚度从150 nm增至280 nm,而透过率从20%降至3%;当Cu~(2+):C_6H_5O_7~(3-):S~(2-)=1:3/2:2时,随着溶液浓度增加,薄膜厚度逐渐增加至150 nm,透过率从50%降至38%。随着沉积温度升高,薄膜厚度从50 nm增至150 nm,并且在50℃-65℃范围厚度增长缓慢,65℃-80℃范围厚度随温度急剧增加,而透过率从54%降至35%,说明升高温度可加快沉积速率;而温度超过80℃后,膜厚反而降低,透过率增加,说明进一步升高温度导致均匀成核消耗大量原料,不利于薄膜的沉积生长。延长沉积时间,膜厚迅速增加,最后趋于平缓,膜厚达到最大值200 nm,相应透过率逐渐降低,由60%(沉积30 min薄膜)下降至38%(沉积5 h薄膜),符合化学浴沉积法制备薄膜的自催化动力学行为。这种低温低耗、环境友好的化学合成路线可以进一步扩大到其他半导体薄膜的制备研究。(本文来源于《安徽建筑大学》期刊2019-03-01）
杨美中[9]（2019）在《酞菁铜薄膜二极管的封装模式研究》一文中研究指出本文采用真空蒸镀和磁控溅射方法制备了垂直结构的有机薄膜二极管,制备的样品分别进行了PI封装、环氧树脂封装、薄膜与环氧树脂复合封装、薄膜与PI复合封装。对封装与未封装二极管的电气性能在一段时间内进行测试比较,探究该器件在室内环境中的电气性能稳定性和工作可靠性,解析封装的效果以及有机薄膜器件实用性需要解决的封装手段,以增加其实际应用的可能性。实验结果表明,未封装与封装的二极管初始性能相近,但随着时间的推移,未封装器件趋近于绝缘,因为导电的金属Al电极被氧化成不导电的氧化铝,通过该器件的电流十分小。PI封装虽然对有机器件存在保护作用,但封装过程中器件性能会受到影响,大幅度下降。环氧树脂封装的器件性能的测试结果表明,这种方法在封装时对器件有很大的影响,可以在一定时间内起到保护作用,器件的整流特性最终会被环氧树脂材料完全破坏,导致二极管虽然未受环境影响,却变为电阻器件。薄膜与环氧树脂复合封装的器件性能依然有所衰退,但这种方法封装的器件受环氧树脂影响较小,可以看出薄膜封装在已固化的环氧树脂和器件之间可以起到一定的阻隔作用,但不能完全消除环氧树脂对器件的影响。薄膜与PI复合封装方法对于器件有很强的保护作用,器件在封装过程中几乎不会受到影响,同时PI薄膜也能起到对器件的保护作用。器件的阈值电压上升较慢,从0.28V变为0.4V,斜率为1.65×10~(-2),输出电阻趋于稳定,为1.1×10~4?,电导率下降为2.4×10~(-8)S/cm,但下降趋势不断减缓。湿度较高的条件下对器件进行测试,未封装器件在高湿度时无法正常工作,但在测试后会有一定的性能恢复,但湿度测试对器件影响较大,会加速环境对器件的破坏。薄膜与PI复合封装的二极管仍能良好运行,且各项性能与在正常环境中变化不大,器件受湿度影响很小。(本文来源于《哈尔滨理工大学》期刊2019-03-01）
赵英杰,伍泳斌,王晓娟,莫德清,钟福新[10]（2019）在《镉掺杂氧化亚铜薄膜的制备及其光电性能》一文中研究指出采用一步水热法制备镉掺杂的Cu_2O薄膜(Cd/Cu_2O),分别探讨了制备过程中CuSO_4浓度、NaOH浓度、反应时间、反应温度和CdSO_4浓度对Cu_2O和Cd/Cu_2O薄膜光电性能的影响。结果表明,当反应釜中CuSO_4浓度为0.114 2 mol/L、NaOH浓度为0.028 6 mol/L、反应时间为8 h、反应温度为90℃、CdSO_4浓度分别为0 mol/L和0.571 4μmol/L时,可在基底Cu片上分别获得光电压为0.366 7 V的Cu_2O样品和光电压为0.460 2 V的Cd/Cu_2O薄膜样品。紫外可见吸收光谱(UV-Vis)、X射线衍射(XRD)图谱、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)表征结果显示,Cu_2O的禁带宽度为2.1 eV,而Cd/Cu_2O的禁带宽度最小达到1.8 eV;Cd/Cu_2O的择优生长面为(111)面,其衍射峰强度比Cu_2O明显增强; Cd/Cu_2O样品表面与Cu_2O对比变得光滑,粒径由Cu_2O的1.0～3.0μm减小到Cd/Cu_2O的0.3～0.9μm。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年01期）
铜薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
氧化亚铜在光伏及光催化等领域有潜在应用,掺氮能增加其空穴浓度从而提高电导率,但氮在氧化亚铜的状态仍未被深入研究.在溅射压强等参数不变的条件下,逐步增加氮气流量,制备了一系列纯相的氮掺杂的氧化亚铜,并用X射线衍射、台阶仪、扫描电子显微镜、能量色散谱仪、拉曼光谱、X射线光电子能谱仪、霍尔效应及分光光度计等方法对所得样品进行分析.霍尔效应测试结果表明,氮掺杂能使氧化亚铜薄膜空穴浓度提高1个数量级.禁带宽度随氮气流量的增加而逐渐减小,氮在氧化亚铜中以β-N(氮原子)、α-N2(分子态氮,—N■N—)及γ-N2(分子态氮,N≡N)3种形式存在,随着氮流量的增加,β-N的结合能的峰强不断增强,而α-N2的结合能的峰强不断减弱.氮流量为2标准立方厘米每分钟(sccm)时所得样品的电阻率最小.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
铜薄膜论文参考文献
[1].孙赟.硫化铜薄膜的发展现状及性能研究[J].科技创新与应用.2019
[2].邱奕斌,陈倩倩,叶凡,蔡兴民,张东平.氮流量对掺氮氧化亚铜薄膜性能的影响[J].深圳大学学报(理工版).2019
[3].孟灵灵,魏取福,黄新民,纪丹丹.涤纶基材表面银/铜薄膜制备及其性能[J].纺织学报.2019
[4].Achraf,El,Kasmi,Henning,Vieker,吴令男,André,Beyer,Tarik,Chafik.高活性氧化亚铜薄膜材料的绿色合成研究（英文）[J].ChineseJournalofChemicalPhysics.2019
[5].许萌.脉冲激光沉积法制备氧化亚铜薄膜的性质调控[D].山东大学.2019
[6].杜永利.氧化铜及掺铟氧化铜薄膜的磁控溅射制备及研究[D].郑州大学.2019
[7].伍泳斌,赵英杰,王晓娟,莫德清,钟福新.银掺杂氧化亚铜薄膜的制备及其光电性能[J].半导体技术.2019
[8].孙赟.化学浴沉积法制备硫化铜薄膜的研究[D].安徽建筑大学.2019
[9].杨美中.酞菁铜薄膜二极管的封装模式研究[D].哈尔滨理工大学.2019
[10].赵英杰,伍泳斌,王晓娟,莫德清,钟福新.镉掺杂氧化亚铜薄膜的制备及其光电性能[J].半导体技术.2019